公开(公告)号：KR100552698B1

公开(公告)日：2006-02-20

申请号：KR1020030083615

申请日：2003-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민동기 ,  홍승범

IPC: G11B9/14

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1418 ,  G11B9/1454

Abstract: 본 발명은 정보 저장 장치의 정보 추종에 관한 것이다. 정보를 기록 또는 제거될 수 있는 정보 저장 매체, 상기 정보 저장 매체 상을 스캔하며 정보를 검출하는 복수 개의 프로브, 상기 정보 저장 매체 또는 프로브를 구동하는 스캐너 및 상기 스케너에 제어 신호를 인가하는 제어부를 포함하는 정보 저장 장치의 정보 추종 방법에 있어서, (가) 프로브 또는 기록 매체를 진동시키는 단계; (나) 상기 프로브에 의해 상기 기록 매체의 정보를 검출하고, 상기 정보 기록 매체의 정보 위치 패턴과 동기화된 신호를 발생시켜, 상기 발생된 신호에 의해 상기 프로브의 경로 오차를 검출하는 단계; (다) 검출된 경로 오차에 대응하여 상기 제어부에서 저주파 신호의 dc 수준을 변화시킨 뒤, 상기 프로브 또는 상기 기록매체를 구동하는 스캐너에 인가하여 상기 프로브의 상기 정보 저장 매체 상에서의 스캔닝 위치를 보정하는 단계;를 포함하는 정보 처리 장치의 정보 추종 방법 및 장치를 제공한다. 이에 의해 간단한 보상 알고리즘으로 정보 저장 매체에서 정보를 기록하거나 재생하는 경우 높은 신뢰성을 확보할 수 있다

公开(公告)号：KR100552686B1

公开(公告)日：2006-02-20

申请号：KR1020030058285

申请日：2003-08-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백경록 ,  전종업 ,  정주환 ,  홍승범 ,  민동기 ,  박홍식

IPC: H02N1/06

CPC classification number: H02N1/008 ,  H02K2201/18

Abstract: 본 발명은 대면적 스테이지를 구비한 2축 액츄에이터에 관하여 개시된다. 개시된 2축 액츄에이터는, 기판; 상기 기판 상에 고정된 대략 4각형상 변을 가지는 앵커부; 상기 앵커부 내의 양측에서 상기 기판으로부터 이격되어서 각각 서로 마주보는 제1방향으로 구동되는 제1구동부들; 상기 제1구동부들 사이에서 양측에서 서로 마주보는 방향으로 구동되는 제2구동부들; 상기 제2구동부들의 상부에 배치되어 상기 제2방향으로 구동되는 사각형상의 스테이지; 상기 스테이지 및 상기 앵커부로부터 소정거리 이격되며, 상기 각 제1구동부의 상부에서 그 양측에서 서로 마주보게 연장되어 하나의 몸체로 형성된 제3구동부; 상기 제1구동부가 상기 앵커부의 내면에 지지된 제1방향 변형 스프링부; 및 상기 제2구동부가 상기 제3구동부의 내면에 지지되도록 형성된 제2방향 변형 스프링부;를 구비한다. 이에 따르면, 스테이지를 구동부의 상부에 별도로 형성함으로써 구동장치 면적에 대해 스테이지 면적(저장면적)이 현저하게 증가되며, 또한 X 축 및 Y 축 이동시 축간 간섭이 없는 저장장치용 XY 스테이지 마이크로구동기가 된다.

公开(公告)号：KR1020050115062A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：KR1020040040323

申请日：2004-06-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민동기 ,  홍승범

IPC: G11B9/14

CPC classification number: G11B9/1454 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 프로브를 이용한 정보저장시스템의 위치오차 검출 장치 및 방법, 이를 이용한 정보저장시스템의 정보 추종 장치 및 방법에 관한 것으로서, 그 위치오차검출장치는 프로브에 의해 독출된 신호로부터 프로브의 위치오차를 분해하는 위치오차분해부; 검출된 위치오차를 소정의 시간 단위로 합산하는 위치오차 합산부; 및 합산된 이전 시간단위의 위치오차를 저장하고 있으며, 이전 시간단위의 위치오차와 현재 시간단위의 위치오차를 신호처리하여 프로브의 위치오차를 생성하는 신호처리부를 포함함을 특징으로 한다. 그 정보추종장치는 정보저장매체를 이동시키는 스캐너; TM캐너에 의해 이동되는 정보저장매체로부터 정보를 독출하는 프로브; 프로브에 의해 독출된 신호로부터 프로브의 위치오차를 분해하는 소정의 오차분해신호를 인가하여 오차분해신호의 반주기 단위마다 프로브의 위치오차를 검출하는 오차검출기; 및 검출된 위치오차를 보상하는 보상기를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 기존의 정보 추종 원리와 달리 특수한 추출 신호를 이용하여 매우 정확한 패턴 필요 없이 외부 외란에 의해 발생하는 각 축 성분의 오차 성분을 연속적으로 검출할 수 있으므로 간단한 제어기를 통하여 정보 중심 위치와 기록/재생 시점과 쉽게 동기화시킬 수 있으며 트랙오차를 쉽게 보상할 수 있다.

公开(公告)号：KR100499125B1

公开(公告)日：2005-07-04

申请号：KR1020020022705

申请日：2002-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍승범 ,  신현정

IPC: G11B9/14

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1445 ,  G11B9/1472 ,  G11B9/149 ,  G11B11/007 ,  G11B11/08 ,  G11B2005/0021

Abstract: 커패시턴스 변화를 이용하는 정보 재생 장치 및 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 정보 재생 장치는 상기 기록 매체에 대한 상기 팁의 위치를 결정할 수 있도록 상기 캔틸레버를 이동시키는 위치결정부와, 정전력(electrostatic force)이 발생되도록 상기 기록 매체와 캔틸레버 사이에 전압을 인가하기 위하여 상기 기록 매체 및 캔틸레버에 연결되어 있는 전원과, 상기 기록 매체와 캔틸레버와의 사이에 발생되는 정전력을 측정하는 정전력 측정부와, 상기 정전력 측정부에서 측정한 정전력으로부터 상기 기록 매체의 국부 커패시턴스를 결정하는 제어부를 포함한다. 본 발명에서는 기록 매체로부터 정보를 재생하기 위하여 전도성 캔틸레버의 자유 단부에 지지되어 있는 팁을 기록 매체의 소정 위치에 접촉시킨다. 상기 팁 및 기록 매체가 접촉 상태로 유지되는 동안 상기 팁 및 기록 매체에 전압을 인가하여 정전력을 발생시킨다. 발생된 정전력을 측정하고, 이로부터 기록 매체의 소정 위치에서의 커패시턴스를 결정한다. 상기 결정된 커패시턴스의 크기에 의거하여 상기 기록 매체에 기록된 정보를 재생한다.

公开(公告)号：KR100493155B1

公开(公告)日：2005-06-03

申请号：KR1020020028656

申请日：2002-05-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍승범 ,  신현정

IPC: H01L27/105 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 열적으로 안정한 강유전성 정보 저장 매체를 포함하는 강유전성 메모리 장치가 개시된다. 개시된 메모리 장치의 강유전성 정보 저장 매체는 정보 저장 매체 및 상기 정보 저장 매체에 데이타를 저장하거나 재생하는 탐침을 포함하는 메모리 장치에 있어서, 상기 정보 저장 매체는, 하부전극; 및 상기 하부전극의 상면에 적층되는 강유전체막;을 구비하며, 상기 강유전체막에 형성되는 유전 분극 도메인은 메모리 소자의 비트로 작용되도록 하고, 상기 강유전체막의 두께는 상기 비트의 지름보다 크지 않은 것을 특징으로 한다. 열적으로 안정한 비휘발성 강유전체 메모리 장치를 제공하여 고속으로 고밀도로 정보를 저장할 수 있으며 정보 보유력을 향상시켜 신뢰성 있는 정보 저장 매체를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050026754A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：KR1020030062376

申请日：2003-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍승범 ,  김성동 ,  정주환 ,  민동기 ,  박홍식 ,  백경록 ,  박철민 ,  김윤석

IPC: G11B9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/149 ,  G11B13/00 ,  G11B2005/0021

Abstract: A data recording method is provided to rapidly record data by switching a domain of a ferroelectric film because a heat supplied to the ferroelectric film lowers a coercive field. The method includes a step of supplying a heat and an electric field on a data recording zone on a ferroelectric film of a recording medium by supplying an electric voltage for a resistive probe(40) and a lower electrode(50). A voltage(Vr) is supplied for a portion of the resistive probe(40) near the ferroelectric film of the recording medium, a voltage(V3) is supplied for the lower electrode(50) and the voltages, V3 and Vr, satisfy an inequality V3-Vr > Vc where the Vc is a coercive voltage needed in reversing a remanent polarization of the ferroelectric film.

Abstract translation: 提供数据记录方法，通过切换铁电体膜的区域来快速记录数据，因为提供给铁电体膜的热量降低了矫顽场。 该方法包括通过为电阻式探针（40）和下电极（50）提供电压，在记录介质的铁电膜上的数据记录区域上提供热和电场的步骤。 为记录介质的强电介质膜附近的电阻式探头（40）的一部分供给电压（Vr），向下部电极（50）供给电压（V3），电压V3，Vr满足 不等式V3-Vr> Vc，其中Vc是反转铁电体膜的剩余极化所需的矫顽电压。

公开(公告)号：KR1020050020381A

公开(公告)日：2005-03-04

申请号：KR1020030058285

申请日：2003-08-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백경록 ,  전종업 ,  정주환 ,  홍승범 ,  민동기 ,  박홍식

IPC: H02N1/06

CPC classification number: H02N1/008 ,  H02K2201/18

Abstract: PURPOSE: A two axis actuator with a large-area stage is provided to maximize an information storage capacity by disposing a stage over a driving unit so that the area of a stage can extend. CONSTITUTION: A two axis actuator comprises a substrate(10), an anchor unit(20), first driving units, second driving units, a stage, a third driving unit, a first direction transform spring unit(45), and a second direction transform spring unit(46). The anchor unit has near rectangular sides fixed on the substrate and a plurality of spaces corresponding to both sides of a first direction. The first driving units are driven in the first direction, in each of the regions formed in the vicinity of sides of a second direction vertical to the sides of the first direction. The second driving units are spaced apart upward from the substrate, and driven in a second direction, in each of the regions formed in the vicinity of sides of the second direction. The stage is disposed over the second driving units such that the stage is driven in the second direction. The third driving unit is spaced apart from the stage and the anchor unit, and extended from both sides of the first driving units into a single body such that the third driving unit drives the stage in the first direction when the first driving units are driven in the first direction. The first direction transform spring unit is arranged such that the first driving units are supported at an inner surface of the anchor unit and the first driving units are transformable in the first direction. The second direction transform spring unit is arranged such that the second driving units are supported at an inner surface of the third driving unit and the second driving units are transformable in the second direction.

Abstract translation: 目的：提供具有大面积平台的双轴致动器，以通过在驱动单元上设置平台使舞台的面积延伸来最大化信息存储容量。 构成：双轴致动器包括基板（10），锚固单元（20），第一驱动单元，第二驱动单元，载物台，第三驱动单元，第一方向变换弹簧单元（45）和第二方向 变换弹簧单元（46）。 锚固单元具有固定在基板上的近似矩形侧面和对应于第一方向两侧的多个空间。 第一驱动单元沿垂直于第一方向的侧面的第二方向的侧面附近形成的每个区域沿第一方向被驱动。 所述第二驱动单元从所述基板向上间隔开，并且在形成在所述第二方向的侧面附近的每个区域中沿第二方向被驱动。 台架设置在第二驱动单元上，使得台沿第二方向被驱动。 第三驱动单元与平台和锚单元间隔开，并且从第一驱动单元的两侧延伸到单个主体中，使得当第一驱动单元被驱动时第三驱动单元在第一方向上驱动平台 第一个方向。 第一方向变换弹簧单元布置成使得第一驱动单元被支撑在锚单元的内表面处，并且第一驱动单元可沿第一方向变形。 第二方向变换弹簧单元布置成使得第二驱动单元被支撑在第三驱动单元的内表面处，并且第二驱动单元可沿第二方向变形。

公开(公告)号：KR100905720B1

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：KR1020070071286

申请日：2007-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고형수 ,  박철민 ,  정주환 ,  홍승범 ,  전대영

IPC: G11B5/127

CPC classification number: G11B9/02 ,  G11B5/6082 ,  H01L29/78

Abstract: 전계 재생/기록 헤드와 그의 제조방법 및 전계 재생/기록 헤드를 포함한 정보 저장 장치에 대해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 전계 재생/기록 헤드는, 기판 내에 형성된 것으로서, 기록 매체와 대향하는 끝면을 갖는 저항영역, 상기 저항영역 양측의 상기 기판 내에 각각 형성된 소오스 및 드레인, 및 상기 저항영역 상에 차례로 구비된 절연층 및 쓰기전극을 포함하되, 상기 저항영역의 길이(ℓ)와 폭(w)은 (ℓ/w)≥0.2를 만족하는 것을 특징으로 하는 전계 재생/기록 헤드를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020080090932A

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：KR1020070034413

申请日：2007-04-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍승범 ,  좌성훈 ,  정주환 ,  고형수 ,  김용관

IPC: G11B9/02 ,  G11B21/02

CPC classification number: G11B9/02

Abstract: A ferroelectric hard disk system is provided to store and reproduce information in a hard disk by using the switching principle of ferroelectric dipole. A ferroelectric hard disk system comprises a hard disk(20) and a head(21). The hard disk comprises a substrate, a seed layer formed on the substrate, a lower electrode(201) formed on the seed layer, and a ferroelectric layer(202) formed on the lower electrode. The head formed on the upper part of the ferroelectric hard disk records and reproduces information in the ferroelectric layer.

Abstract translation: 提供铁电硬盘系统，通过使用铁电偶极子的切换原理来在硬盘中存储和再现信息。 铁电硬盘系统包括硬盘（20）和磁头（21）。 硬盘包括基板，形成在基板上的种子层，形成在种子层上的下电极（201）和形成在下电极上的铁电层（202）。 形成在铁电硬盘的上部的磁头记录并再现铁电层中的信息。

公开(公告)号：KR1020080073589A

公开(公告)日：2008-08-11

申请号：KR1020070012369

申请日：2007-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍승범 ,  부엘만사이먼 ,  전신애 ,  좌성훈 ,  장은주 ,  김용관

IPC: G11B9/08 ,  G11B9/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G11B5/7325 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B9/02 ,  G11B9/08 ,  G11B9/1472

Abstract: An information storage medium, a method of manufacturing the same, and an information storage apparatus are provided to trap electric charges by using conductive nanocrystal so as to secure high recording density more than 1Tb/in^2, and to form a recording layer at a low temperature. An information storage medium comprises a conductive layer(112), a lower insulating layer(114), a nanocrystal layer(120), and an upper insulating layer(124). The lower insulating layer is formed on the conductive layer. The nanocrystal layer, which is formed on the lower insulating layer, includes conductive nanocrystal(121) for trapping electric charges. The upper insulating layer is formed on the nanocrystal layer. The nanocrystal layer is formed with a monolayer or a multilayer.

Abstract translation: 提供信息存储介质，其制造方法和信息存储装置，以通过使用导电纳米晶体捕获电荷，以便确保高于1Tb / in ^ 2的高记录密度，并在 低温。 信息存储介质包括导电层（112），下绝缘层（114），纳米晶层（120）和上绝缘层（124）。 下绝缘层形成在导电层上。 形成在下绝缘层上的纳米晶层包括用于俘获电荷的导电纳米晶体（121）。 上绝缘层形成在纳米晶层上。 纳米晶层由单层或多层形成。