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公开(公告)号：KR1020090108194A
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：KR1020080033491
申请日：2008-04-11
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A gas sensor and a manufacturing method thereof are provided to make the manufacturing process simple by forming holes on the lower side of a sensor unit by injecting etching gas through etching holes formed previously. CONSTITUTION: A gas sensor includes a substrate, an insulating layer, a sensor unit, an electrode pad, first holes, and second holes. The substrate(300) has a plurality of grooves(301). The insulating layer is formed on the top of the substrate. The sensor unit(310) and the electrode pad are formed on the insulating layer. The first holes(340) for etching are formed by removing the insulating layer around the sensor unit. The second holes(350) are formed through the first holes on the lower part of the sensor unit for thermal isolation.
Abstract translation: 目的：提供一种气体传感器及其制造方法，通过在先前形成的蚀刻孔中注入蚀刻气体，在传感器单元的下侧形成孔，使制造工艺简单。 构成：气体传感器包括基板，绝缘层，传感器单元，电极焊盘，第一孔和第二孔。 基板（300）具有多个槽（301）。 绝缘层形成在基板的顶部。 传感器单元（310）和电极焊盘形成在绝缘层上。 用于蚀刻的第一孔（340）通过去除传感器单元周围的绝缘层而形成。 第二孔（350）通过传感器单元的下部的第一孔形成，用于热隔离。
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公开(公告)号：KR1020090093360A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：KR1020080018839
申请日：2008-02-29
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A gas sensor circuit is provided to make the structure of a calculating circuit simple by reducing the noise on an output signal by the temperature. A gas sensor circuit comprises an infrared sensor(100) and a clipping part(300). The infrared sensor receives the infrared ray emitted from the infrared light source. The clipping part is connected to the infrared sensor. The clipping part clips the inputted signal with the maximum voltage value of the signal. The clipping part comprises a maximum voltage generating system(320) and a clipping member(310). The maximum voltage generating system produces the signal maximum voltage value. The clipping member clips the signal referring to the maximum voltage value generated in the maximum voltage generating system.
Abstract translation: 提供了一种气体传感器电路，通过降低输出信号上的噪声，使计算电路的结构简单化。 气体传感器电路包括红外传感器（100）和夹持部（300）。 红外线传感器接收从红外光源发射的红外线。 剪辑部分连接到红外传感器。 剪辑部分用信号的最大电压值剪切输入的信号。 夹持部分包括最大电压产生系统（320）和夹持部件（310）。 最大电压发生系统产生信号最大电压值。 剪辑构件根据最大电压产生系统中产生的最大电压值来剪辑信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101909380B1
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：KR1020170049134
申请日：2017-04-17
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/6428 , G01N2021/6434 , G01N2021/6491
Abstract: 형광측정장치및 그형광측정방법이개시된다. 본발명에따른형광측정장치는, 여기광을방사하는광원; 광원에의해방사되는여기광을필터링하여형광을통과시키는형광필터; 광원과형광필터의사이에서광원에의해방사되는여기광을균일하게시료까지가이드하는광 가이드; 및형광필터에의해필터링된형광을검출하는광 검출기를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101845139B1
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：KR1020150188463
申请日：2015-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/107 , H01L31/02 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L27/0248 , H01L27/1443 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , H01L31/1864
Abstract: 본발명은실리콘(Si)으로형성되는제1 실리콘나노와이어, 상기제1 실리콘나노와이어의일면에, 제1 도펀트가도핑되어형성되는제1 도전성영역, 및상기제1 실리콘나노와이어의일면에, 상기제1 도전성영역으로부터길이방향으로연속하도록, 상기제1 도펀트와상이한도전형을갖는제2 도펀트가도핑되어형성되는제2 도전성영역을포함하며, 상기제1 실리콘나노와이어는양단에인가되는역전압의크기가기설정된항복전압이상인경우, 외부로부터의광 입사에의한내부전류의애벌런치증배가발생하는발생하는실리콘나노와이어를이용한애벌런치포토다이오드를제공한다.
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公开(公告)号：KR101761128B1
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：KR1020160047189
申请日：2016-04-18
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01N21/6402 , G01N21/6458 , G02B27/141 , G02B27/30
Abstract: 본발명의일 실시예에따른바이오센서용형광광학계는여기광을출력하는광원, 상기광원에서출력되는여기광을평행광으로만드는콜리메이팅렌즈, 상기여기광을측정시료상에결상시키는대물렌즈, 상기여기광에의해상기측정시료에서발생되는형광을측정하는광검출기, 상기광원으로부터출력되는여기광을반사하여상기대물렌즈로진행시키고, 상기측정시료에서발생되는형광을투과하여상기광검출기로진행시키는제1빔스플리터, 및상기빔스플리터와상기광검출기사이에배치되고, 상기형광을상기광검출기상에결상시키는결상렌즈를포함할수 있다.
Abstract translation: 用于根据本发明的一个实施例的生物传感器的荧光光学系统的物镜被成像在光源上，准直透镜使从光源输出的激发光为平行光，激发测量光样品到输出的激发光， 以反映用于测量由从样品中产生的激发光的荧光的激发光的光检测器进行测量，这是从光源输出，然后进到物镜，通过从待测量的样本产生的荧光发射进入光检测器 以及设置在分束器和光电探测器之间并在光电探测器上形成荧光图像的成像透镜。
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公开(公告)号：KR1020170078188A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020150188468
申请日：2015-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/146 , H01L29/06
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14689 , H01L29/4916 , H01L31/022408 , H01L31/035227
Abstract: 본발명의나노와이어를이용한이미지센서는기판, 입사광을감지하여입사광의세기에따라크기가변화하는광전류를생성하는광검출소자, 광전류의발생여부및 크기에기초하여, 입사광의발생여부및 세기정보를포함하는광검출전류를출력하는신호처리모듈및 광검출소자와신호처리모듈을전기적으로연결하며, 광검출소자와신호처리모듈상에형성되는전극을포함하며, 광검출소자와상기신호처리모듈은동일한기판상에형성되며, 광검출소자는적어도하나이상의실리콘나노와이어로형성된다.
Abstract translation: 使用本发明的纳米线的图像传感器包括基板，检测入射光和光学检测的基础上，以产生一光电流，其大小是根据入射光强度chulsoja改变时，如果产生的光电流和大小，发生和强度信息入射光 和电连接所述光检测信号处理，用于输出当前的模块和光学检测chulsoja以及信号处理模块，包括，它包括一个在光学检测chulsoja以及信号处理模块，所述光学检测chulsoja和信号处理模块形成的电极是在同一基板 并且光电探测器由至少一个硅纳米线形成。
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公开(公告)号：KR1020170078187A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020150188463
申请日：2015-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/107 , H01L31/02 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L27/0248 , H01L27/1443 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , H01L31/1864
Abstract: 본발명은실리콘(Si)으로형성되는제1 실리콘나노와이어, 상기제1 실리콘나노와이어의일면에, 제1 도펀트가도핑되어형성되는제1 도전성영역, 및상기제1 실리콘나노와이어의일면에, 상기제1 도전성영역으로부터길이방향으로연속하도록, 상기제1 도펀트와상이한도전형을갖는제2 도펀트가도핑되어형성되는제2 도전성영역을포함하며, 상기제1 실리콘나노와이어는양단에인가되는역전압의크기가기설정된항복전압이상인경우, 외부로부터의광 입사에의한내부전류의애벌런치증배가발생하는발생하는실리콘나노와이어를이용한애벌런치포토다이오드를제공한다.
Abstract translation: 如权利要求1所述的发明中，硅纳米线，第一硅纳米线的一个表面上，在所述第一掺杂剂被掺杂形式的第一导电区域，与所述第一硅纳米线的一个表面上的硅（Si）形成， 以及第二导电区域，其掺杂有导电性不同于所述第一掺杂物的第二掺杂物，以从所述第一导电区域沿纵向连续， 提供了使用硅纳米线的雪崩光电二极管，其中当电压大于预定击穿电压时，内部电流的雪崩倍增是由来自外部的光入射引起的。
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