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公开(公告)号：KR1020110112579A
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：KR1020100031753
申请日：2010-04-07
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0002 , H01L2251/56
Abstract: 본 발명은 고휘도 및 고효율의 유기발광다이오드 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
굴곡구조가 형성된 유리기판과, 상기 유리기판의 상기 굴곡구조상에 형성되는 투명전극층과, 상기 투명전극층상에 형성되는 p-type 유기층과, 상기 p-type 유기층상에 형성되는 n-type 유기층과, 상기 n-type 유기층상에 형성되는 캐소드층을 포함하는 유기발광다이오드가 제시된다.-
公开(公告)号：KR101050142B1
公开(公告)日：2011-07-19
申请号：KR1020080084554
申请日：2008-08-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/027 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 나노선 다중채널 FET 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 기존 나노물질 FET 소자들의 한계를 극복하여 높은 전류 전송 능력과 빠른 전하 이동도를 동시에 구현하는 나노선 다중채널 FET 소자를 저비용으로 대량생산할 수 있는 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 나노선 다중채널 FET 소자의 제조 방법에 있어서, 포토리소그라피와 습식식각 공정을 통해 기판 또는 기판 위 박막에 V 홈 나노선 배열을 형성하는 단계와; 용액 공정을 통해 상기 V 홈 나노선 배열의 V 홈 내에 나노물질을 자기조립하는 단계와; 상기 나노물질이 자기조립된 V 홈 나노선 배열을 이용하여 다중채널 FET 소자를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
나노물질, 나노튜브, 나노와이어, V 홈, 나노선 배열, 다중채널, 포토리소그라피, 습식식각, 용액 공정, 반도체 공정, FET, 전계효과 트랜지스터Abstract translation: 本发明是一种纳米多信道涉及制造FET元件，用于实现现有的纳米材料以克服FET器件的高电流承载能力和快速电荷载流子迁移率的同时的局限性的方法以低成本大量生产纳米线的多通道FET器件 更具体地说，涉及其制造方法。 本发明提供了一种根据FET器件，光刻的制造方法以及形成V形槽，或通过湿法蚀刻工艺和布置在衬底上或在衬底上方的薄膜的线的纳米多通道; 通过溶液工艺将纳米材料自组装在V形槽纳米线阵列的V形槽内; 并使用其中纳米材料是自组装的V形槽或纳米线阵列制造多通道FET器件。
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公开(公告)号：KR1020110058388A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090115158
申请日：2009-11-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and manufacturing method thereof are provided to form an uneven structure on an upper semiconductor layer to reduce the total reflection in a light emitting diode, thereby increasing the light emitting efficiency of the light emitting diode. CONSTITUTION: A first conductive lower semiconductor layer(120), an active layer(130), and a second conductive upper semiconductor layer(140) are formed on a substrate(110). A porous alumina layer(210) including a hole is formed on the upper semiconductor layer. Parts of the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer are etched to form an etching unit(260). The etching process is performed using an alumina layer as a mask.
Abstract translation: 目的：提供发光二极管及其制造方法以在上半导体层上形成不均匀结构，以减少发光二极管中的全反射，从而提高发光二极管的发光效率。 构成：在衬底（110）上形成第一导电下半导体层（120），有源层（130）和第二导电上半导体层（140）。 在上半导体层上形成包括孔的多孔氧化铝层（210）。 对上半导体层，有源层和下半导体层的部分进行蚀刻以形成蚀刻单元（260）。 使用氧化铝层作为掩模进行蚀刻处理。
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94.发明公开
公开(公告)号：KR1020110014849A
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020090072420
申请日：2009-08-06
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01J3/10 , G02F1/3501 , G02F1/365 , G02F1/37 , G02F2001/3507 , G02F2001/3528 , G02F2203/13
Abstract: PURPOSE: Terahertz wave and wideband super-continuous spectrum simultaneous generating device, a method for the same, and a spectroscopy method using the same are provided to plenty of the number of spectrum peaks by simultaneously detecting two bands. CONSTITUTION: A focusing lens(110) focuses light incident signal(100). A first light media(120) generates terahertz wave(130) based on the light incident signal. A second light media(140) generates wideband super-continuous spectrum(150) based on the light incident signal. A collimating lens(160) outputs both the terahertz wave and the wideband super-continuous spectrum.
Abstract translation: 目的：通过同时检测两个频带，提供太赫波和宽带超连续频谱同步发生装置，其方法和使用该方法的光谱方法来获得大量的频谱峰。 构成：聚焦透镜（110）聚焦光入射信号（100）。 第一光介质（120）基于光入射信号产生太赫兹波（130）。 第二光介质（140）基于光入射信号产生宽带超连续光谱（150）。 准直透镜（160）输出太赫兹波和宽带超连续光谱。
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公开(公告)号：KR1020100101485A
公开(公告)日：2010-09-17
申请号：KR1020090019990
申请日：2009-03-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: PURPOSE: A lighting device manufacturing method is provided to manufacture lighting devices of high efficiency, low costs, and large size and to prevent the generation of a crack during a manufacturing process. CONSTITUTION: A lighting device includes a step which forms a separation layer by injecting ion into a substrate or a lower semiconductor layer. The upper part and the lower part of the separation layer are separated through a thermal process. The lower semiconductor layer is separated from a separation layer and is divided into a first lower semiconductor layer(11a) and a second lower semiconductor layer(11b).
Abstract translation: 目的：提供一种照明装置制造方法，用于制造高效率，低成本和大尺寸的照明装置，并且防止在制造过程中产生裂纹。 构成：照明装置包括通过将离子注入基底或下半导体层形成分离层的步骤。 分离层的上部和下部通过热处理分离。 下半导体层与分离层分离，分为第一下半导体层（11a）和第二下半导体层（11b）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100025836A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：KR1020080084554
申请日：2008-08-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/823456 , B82Y40/00 , H01L21/02603
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nano-wire multichannel field effect transistor(FET) device is provided to determine the current size of a source-drain by adjusting the number of nano-channel through a semiconductor process. CONSTITUTION: A V-groove nano-wire array is formed on a substrate(4) or a thin film on the substrate through a photolithography process and a wet-etching process. A nano-material is self-assembled in the V-groove(11) of the V-groove nano-wire array through a solution process. A multichannel is composed of the V-groove nano-wire array with self-assembled nano-materal. A source electrode(5) and a drain electrode(6) are formed. The multichannel is arranged between the source electrode and the drain electrode. A back-gate electrode(7) is formed on the back side of the substrate to form a V-groove FET device.
Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米线多通道场效应晶体管（FET）器件的方法，通过调整半导体工艺中的纳米通道的数量来确定源漏的电流大小。 构成：通过光刻工艺和湿蚀刻工艺在衬底（4）或衬底上的薄膜上形成V形沟槽纳米线阵列。 纳米材料通过溶液法在V形槽纳米线阵列的V形槽（11）中自组装。 多通道由具有自组装纳米侧面的V沟纳米线阵列组成。 形成源电极（5）和漏电极（6）。 多通道布置在源电极和漏电极之间。 背板电极（7）形成在衬底的背面，以形成V沟槽FET器件。
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公开(公告)号：KR1020060037925A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040087027
申请日：2004-10-29
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 단일 반도체 광증폭기(SOA)의 이득포화 특성을 이용한 전광 OR 논리소자 구현장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 광컴퓨팅과 같은 광회로의 임의의 지점에서 전송되는 광신호를 펌프신호와 조사신호로 이용하여 전광 논리동작을 하는 새로운 전광 OR 논리소자를 구현하는 기술에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 광펄스를 생성하기 위한 광펄스 발생기와; 상기 광펄스 발생기로부터 입력신호 패턴 A와 B를 생성하기 위한 모드잠김 광섬유 레이저(MLFL); 상기 모드잠김 광섬유 레이저의 출력광을 50:50으로 분리하기 위한 제1 광분배기; 상기 제1 광분배기로부터 출력광의 시간 지연을 얻기 위한 제1 광지연수단; 상기 제1 광분배기로부터 출력광의 세기와 편광을 조절하기 위한 광조절 수단; 상기 제1 광지연수단 및 광조절 수단으로부터의 출력광을 결합시켜 조사신호로서 입력신호 패턴 A를 발생시키는 제1 광결합기; 상기 제1 광결합기로부터의 출력광을 50:50으로 분리하기 위한 제2 광분배기; 상기 제2 광분배기로부터의 출력광이 시간 지연되어 입력신호 패턴 B가 발생되는 제2 광지연수단; 상기 입력신호 패턴 B가 50:50으로 분리되기 위한 제3 광분배기; 상기 제3 광분배기에서 한 측의 입력신호 패턴 B를 펌프신호로 증폭하기 위한 어븀첨가 광섬유 증폭기(EDFA); 상기 펌프신호와 조사신호가 반대방향으로 입사되는 반도체 광증폭기(SOA); 상기 반도체 광증폭기로부터의 출력신호와 입력 신호 패턴(B)를 결합하는 제2 광결합기; 및 상기 제2 광결합기로부터의 출력광을 검출하여 분석하는 광신호 분석기를 포함하는 것을 특징으로 하는 전광 OR 논리소자 구현장치 를 제시한다.
반도체 광증폭기(SOA), 전광 OR 논리소자, 조사신호, 펌프신호-
公开(公告)号：KR100570799B1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：KR1020030093617
申请日：2003-12-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G06F7/50
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기 (SOA)의 이득포화 특성을 이용하여 전광 가산기를 구현할 수 있는 기술로서, 전광 가산기의 SUM과 CARRY의 동작에는 각각 2개의 전광 XOR 논리소자와 4개의 전광 NOR 논리소자가 이용되었으며, 두 연산이 동시에 구현되었다.
전광 가산기, XOR 논리소자, NOR 논리소자, 반도체 광증폭기, SUM, CARRY-
公开(公告)号：KR1020060024930A
公开(公告)日：2006-03-20
申请号：KR1020040073803
申请日：2004-09-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B6/12 , G02B27/28 , G02B2006/12157 , G02F1/09
Abstract: 본 발명은 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법에 관한 것으로, 특히 다중모드 간섭을 일으키는 1 ×1 단일 다중모드 영역에 자장을 인가하여 유효 굴절율을 변화시킨 광 아이솔레이터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법은 다중모드 도파로 영역에 빛의 진행방향에 수직이면서 광 도파로 평면에 평행한 방향으로 외부 자장을 가하여 전방으로 진행하는 빛과 후방으로 진행하는 빛이 각각 서로 다른 유효 굴절율(effective refractive index)을 갖도록 하는 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법을 포함한다.
자기 광학적 효과, 다중모드 간섭영역, 집적화된 광 아이솔레이터-
公开(公告)号：KR100523871B1
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020030025361
申请日：2003-04-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기의 이득포화 특성을 이용한 전광 NOR 논리소자 구현장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 광컴퓨팅과 같은 광회로의 임의의 지점에서 전송되는 광신호를 펌프신호와 조사신호로 이용하여 논리소자 중에 특히 10Gbit/s 전광 NOR 논리소자를 구현하는 장치 및 그 구현방법에 관한 것이다.
본 발명의 전광 NOR 논리소자 구현방법은, 1100의 입력신호 패턴 A와 0110의 입력신호 패턴 B의 입력신호 합인 A+B 신호를 펌프신호(1110)로 이용하고 상기 1100의 입력신호 패턴 A로 클락신호를 만들어 조사신호(1111)로 이용하여, 상기 조사신호와 펌프신호를 반도체 광증폭기(SOA)에 동시에 반대방향으로 입사시켜 불리언(Boolean) 논리식 를 얻음을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전광 NOR 논리소자는 반도체 광증폭기의 이득포화 특성을 이용하는 XGM(Cross Gain Modulation) 방법으로 구현되기 때문에 구조가 간단하며, 다른 기능의 전광 논리소자들이 동일한 방법으로 구성될 수 있으므로 전광회로 및 전광 시스템 구현에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다.
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