-
公开(公告)号：KR1020040022308A
公开(公告)日：2004-03-12
申请号：KR1020020053451
申请日：2002-09-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04L27/0014 , H04L2025/03375 , H04L2025/0349 , H04L2027/0055
Abstract: PURPOSE: A device of compensating for a phase error of a digital signal is provided to stop an operation of an equalizer during delay time of the equalizer, and to operate the equalizer after almost removing a phase error, thereby enabling the equalizer to focus on removing inter-symbol interference by reducing burden of the equalizer. CONSTITUTION: An equalizer(210) outputs a compensated equalization signal when the first predetermined delay time elapses. The first multiplier(260) complex-multiplies the compensated signal, and outputs the first multiplied value. The first multiplexer(220) selectively outputs a receiving signal and the first multiplied value. A phase compensator(230) sets an initial value of a local oscillator before the first delay time elapses, and removes a phase error existing in the first multiplied value after the first delay time elapses. A signal decider(240) decides an original signal from an inputted signal. A subtractor(290) compares an input signal with an output signal, and detects an error. The second multiplier(270) multiplies the output signal of the subtractor(290) by an output signal of the phase compensator(230), and outputs the second multiplied value. The third multiplier(280) multiplies an output signal of the decider(240) by the output signal of the compensator(230), and outputs the third multiplied value. The first switch(295-1) supplies an output signal of the first multiplexer(220) to the subtractor(290). The second switch(295-2) supplies the output signal of the decider(240) to the subtractor(290) and the third multiplier(280). An error controller(250) controls an error value, and supplies the error value to the equalizer(210).
Abstract translation: 目的：提供补偿数字信号的相位误差的装置，以在均衡器的延迟时间期间停止均衡器的操作，并且在几乎消除相位误差之后操作均衡器，从而使均衡器能够集中于去除 符号间干扰减轻均衡器的负担。 构成：当第一预定延迟时间过去时，均衡器（210）输出经补偿的均衡信号。 第一乘法器（260）对补偿信号进行复乘，并输出第一相乘值。 第一复用器（220）选择性地输出接收信号和第一相乘值。 相位补偿器（230）在第一延迟时间经过之前设置本地振荡器的初始值，并且在经过第一延迟时间之后去除存在于第一相乘值中的相位误差。 信号判定器（240）根据输入信号判定原始信号。 减法器（290）将输入信号与输出信号进行比较，并检测错误。 第二乘法器（270）将减法器（290）的输出信号乘以相位补偿器（230）的输出信号，并输出第二相乘值。 第三乘法器（280）将判决器（240）的输出信号乘以补偿器（230）的输出信号，并输出第三乘法值。 第一开关（295-1）将第一多路复用器（220）的输出信号提供给减法器（290）。 第二开关（295-2）将决定器（240）的输出信号提供给减法器（290）和第三乘法器（280）。 误差控制器（250）控制误差值，并将误差值提供给均衡器（210）。
-
公开(公告)号：KR100296710B1
公开(公告)日：2001-08-07
申请号：KR1019970047535
申请日：1997-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/68
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a diamond vacuum device is provided to improve efficiency of a vacuum device by using a diamond layer as a field emission layer. CONSTITUTION: A silicon oxide layer(11A) is formed on a silicon substrate. A polysilicon wiring layer is deposited thereon. A diamond layer is deposited selectively on an upper portion of the silicon wiring layer. A diamond cathode(13) is formed by removing the diamond layer from the upper portion of the silicon wiring layer. A metal such as titanium or tungsten is deposited thereon. A gate(15) and an anode(14) are formed by performing a mask process. The silicon oxide layer(11A) is etched by using a photoresist layer as a mask. The photoresist layer is removed. A photoresist layer is filled into the diamond cathode(13), the silicon wiring layer, the gate(15), and the anode(14). A silicon oxide layer(17) is deposited on the whole surface of the above structure. An exhaust hole is formed by etching the silicon oxide layer(17).
-
公开(公告)号：KR100279737B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019970070316
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 전계방출소자와 광소자로 구성된 단파장 및 그의 제작방법에 관한 것으로서, 광전소자 기판상에 초격자 완충층, 광도파층, 양자우물층, 브레그 회절 초격자층을 차례로 증착하고, 상기 기판의 이면상에 1차 절연막, 1차 금속막, 2차 절연막, 2차 금속막을 차례로 적층하고, 상기 2차 금속막상에 마스크 패턴을 형성한 후 노출된 2차 금속막으로부터 기판을 차례로 식각하여 상기 기판의 상표면상에 형성된 초격자 완충층의 표면을 노출시키는 비아홀을 형성하며, 상기 비아홀의 저면에 광반사막을 형성하고, 상기 기판의 상표면상의 브레그 회절 초격자층, 양자우물층, 광도파층을 메사구조를 가지도록 식각하고, 그 표면상에 양전극 금속막을 증착하여 광소자를 제조한 후 전계방출 소자 기판상에 절연막, 1차 금속막, 절연막, 2차 금속막, 고전압 절연막 및 3차 금속막을 차례로 적층하고, 상기 1차 내지 3차 금속막과 절연막을 감광막 패턴을 이용하여 상부로부터 차례로 식각하여 상기 기판의 표면을 노출시키는 개구를 형성하는 것에 의해 기판상에 그리드 금속, 1차 가속 전극 및 1차 집속전극을 형성하며, 상기 노출된 기판상에 음극용 탈침을 형성하는 것에 의해 전계방출 소자 어레이를 제조하고, 상기 광소자와 전계방출 소자 어레이를 지지기둥을 이용하여 소정의 간격으로 유지시켜 합착함으로써, 반도체를 pn 접합을 만들기 위한 불순물도핑이 필요치 않으며, 고에너지의 전자는 하나 이상의 전자-정공쌍을 발생시키게 되므로 매우 높은 효율을 낼 수 있는 효과를 갖는다.
-
公开(公告)号：KR100270319B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019970064079
申请日：1997-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B23/066
Abstract: PURPOSE: An evaporation crucible for an epitaxial apparatus is provided to minimize the contamination of the apparatus and the time required to recover the state. CONSTITUTION: A gate valve is installed between an entrance flange and an adapter flange of a vacuum chamber, and maintains the vacuum in the vacuum chamber by being isolated from the external, and is opened/closed to introduce vacuum into the vacuum chamber. An introduction tube comprises a heater providing heat to evaporize a growth material and a supporter supporting the heater. And, a crucible flange(23) is combined with a bottom flange of an adapter by being installed to one end of the introduction tube. And, a fringe tube(25) is extended and shrunken to separate the introduction tube from the vacuum chamber by removing a local vacuum as maintaining the vacuum of the vacuum chamber.
Abstract translation: 目的：提供用于外延装置的蒸发坩埚，以最小化装置的污染和恢复状态所需的时间。 构成：闸阀安装在真空室的入口法兰和适配器法兰之间，通过与外部隔离而将真空保持在真空室中，并打开/关闭以将真空引入真空室。 引入管包括提供热量以蒸发生长材料的加热器和支撑加热器的支撑件。 并且，坩埚凸缘（23）通过安装在导入管的一端与适配器的底部凸缘组合。 并且，通过在保持真空室的真空的情况下去除局部真空，使边缘管（25）伸长和缩小以将引入管与真空室分离。
-
公开(公告)号：KR1019990025772A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970047535
申请日：1997-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/68
Abstract: 본 발명은 다이아몬드 진공 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 다이아몬드 박막을 전계 방출용으로 이용하는 진공 소자 제조 방법에 관한 것이다.
진공 소자는 전자의 방출 팁으로 텅스텐이나 타이타늄 합금등의 내화 금속을 사용하는데, 이들 금속의 전자방출을 위해서는 가열을 하거나 수 십 ∼ 수 백 V 이상의 높은 전압을 걸어 주어야 한다. 따라서 반도체 칩 위에 장착할 수 있는 만큼의 크기로 축소시키기도 어렵고 기대하는 만큼의 성능을 얻기가 어렵다. 또한 공정이 매우 복잡하고 정밀한 장치 및 제어기술이 필요한 문제점 및 제작 단가가 비싸고 수율도 높지 않은 것이 단점이다.
본 발명에서는, 낮은 전압에서도 전자 방출이 가능하고 화학적인 변화에 강하며 음성 전자친화력을 가지고 있는 다이아몬드를 사용하여 고속 및 고전압용 진공 소자를 제조하는 방법을 제시한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100149433B1
公开(公告)日：1998-10-01
申请号：KR1019940036374
申请日：1994-12-23
IPC: H01L29/06
Abstract: 본 발명의 방법은 에미터, 베이스, 컬렉터 형성과 소자격리후 플라즈마 화학증착법을 이용한 저온 절연막을 형성하는 대신 고분자 화합물질인 폴리이미드를 이용한다.
폴리이미드는 큰 점도(viscosity)를 지니고 있으므로 이를 기판의 표면에 도포함으로써 단차의 커짐을 극복하고 평탄한 표면(planarized surface)을 얻게 되며, 도포된 폴리이미드를 경화 열처리(curing)하면 이미드화(imidization)가 일어나 새로운 물질로 변화되는데, 이 변태된 물질은 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막 등을 대체하는 양호한 절연특성을 갖는다.-
公开(公告)号：KR1019970054264A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950052646
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/12
Abstract: 본 발명은 격자부정합이 큰 이종박막 표면에 생기는 줄무늬 형태를 이용한 양자선 제작방법에 관한 것으로서, 특히 빗살무늬 자연적인 생성과정을 잘 선택하여 양자선 구조의 기본틀이 되는 V자형의 골이 파지고 산이 평평한 박막을 만드는 것이다.
인디움 갈륨비소박막의 줄무늬는 반원의 형태를 가지고, 갈륨비소 기판위에 성장할 때 성장온도를 고온에서 저온으로 점차적으로 내려 성장시키고, 인디움 조성은 그레이딩 방법으로 점차적으로 늘려 성장하고, 이 줄무늬를 가진 박막위에 생성하고, 또한 인디움 갈륨비소박막의 줄무늬는 M자의 형태를 가지고, 갈륨비소 기판위에 성장할 때 성장온도를 고온에서 저온으로 점차적으로 내려 성장시키고, 인디움 조성은 그레이딩 방법으로 점차적으로 늘려 성장하고, 이 줄무늬를 가진 박막위에 양자선을 생성하는 것이다.-
公开(公告)号：KR1019970053234A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950052674
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 MOCVD 방법으로 반도체 이종구조를 성장함에 있어서 레이저를 이용한 실시간 분석장치를 사용하여 반도체에 도핑된 불순물의 농도를 실시간으로 알아내는 방법과 고핑으로 인한 성장조건의 변화중 성장속도의 시간에 따른 변화를 감지한 방법이다. 실시간 분석장치로 알아낸 성장중의 반사신호는 에피층오가 기판에서의 레이저 간섭신호에 의해 반사신호가 주기적 성향을 띠며, 에피층에 흡수가 있을 경우 반사신호의 진폭변화는 흡수계수에 의해 결정됨을 이용하고 흡수계수와 불순물농도의 관계를 이용하여 불순물의 농도를 계산할 수 있다. 또한 반사신호에 나타나는 개개의 피크를 독립적으로 분석하여 보면 시간에 따른 성장속도를 일일이 계산할 수 있는데 탄소도핑된 알루미늄비소층에서 성장속도의 시간에 따른 감속이 감지되었다.
-
-
公开(公告)号：KR1019960026918A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036374
申请日：1994-12-23
IPC: H01L29/06
Abstract: 본 발명의 방법은 에미터, 베이스, 컬렉터 형성과 소자격리 후 플라즈마 화학증착법을 이용하여 저온 절연막을 형성하는 대신 고분자 화합물질인 폴리이미드를 이용한다. 폴리이미드는 큰 점도(viscosity)를 지니고 있으므로 이를 기판의 표면에 도포함으로써 단차의 커짐을 극복하고 평탄한 표면(planarized surface)을 얻게 되며, 도포된 폴리이미드를 경화 열처리(curing) 하면 이미드화(imidization)가 일어나 새로운 물질로 변화되는데, 이 변태된 물질은 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막 등을 대체하는 양호한 절연특성을 갖는다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
103
records
(took 0.036 seconds)
