투명 디스플레이를 이용한 증강 현실 구현 방법 및 장치
    91.
    发明授权
    투명 디스플레이를 이용한 증강 현실 구현 방법 및 장치 失效
    使用透明显示实现使用现实的方法和设备

    公开(公告)号:KR100911376B1

    公开(公告)日:2009-08-10

    申请号:KR1020070113970

    申请日:2007-11-08

    Abstract: 본 발명은 증강 현실 구현 방법에 관한 것으로, 투명 전자 소자를 이용하여 복잡한 광학적 구조가 필요 없는 증강 현실 구현 장치를 제공한다.
    이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 전자 소자를 이용한 증강 현실 구현 방법은, (a) 사용자의 현재 위치를 인식하는 단계; (b) 상기 인식된 사용자의 현재 위치 정보를 위치에 따른 영상 데이터를 저장하는 서버로 출력하고, 상기 현재 위치 정보에 대응하여 상기 서버로부터 출력되는 영상 데이터를 수신하는 단계; (c) 사용자가 바라보는 방향을 인식하는 단계; 및 (d) 상기 인식된 방향 정보를 기반으로 상기 수신된 영상 데이터 중 상기 사용자에게 표시할 부분 영상 데이터를 외부로부터 입력되는 빛을 투과시키는 투명 전자 소자로 구성된 화면에 출력하는 단계를 포함한다.
    그럼으로써, 복잡한 광학적 구조가 없는 증강 현실 구현 장치를 제공하는 이점이 있다.
    증강 현실, 투명 디스플레이, 투명 전자 소자

    투명 전자 소자 및 그 제조 방법
    92.
    发明公开
    투명 전자 소자 및 그 제조 방법 有权
    透明电子器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090065271A

    公开(公告)日:2009-06-22

    申请号:KR1020070132757

    申请日:2007-12-17

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L29/78603 H01L29/78618

    Abstract: A transparent electronic device and a manufacturing method thereof are provided to reduce a manufacturing process and a manufacturing cost by forming simultaneously a p-type channel and an n-type channel. A buffer layer(120) is formed on an upper surface of a substrate. The buffer layer is made of an oxide layer or a nitride layer in order to form easily a crystalline thin film. A source(150) and a drain(160) are formed on an upper part of the buffer layer. A channel layer is formed between the source and the drain. A hard mask layer(140) is formed on an upper part of the channel layer. A transparent electrode(170) is formed on an upper part of the source and the drain. A gate is formed at an upper part of the transparent electrode.

    Abstract translation: 提供透明电子器件及其制造方法,以同时形成p型沟道和n型沟道来减少制造工艺和制造成本。 在衬底的上表面上形成缓冲层(120)。 缓冲层由氧化物层或氮化物层制成,以便容易地形成结晶薄膜。 源极(150)和漏极(160)形成在缓冲层的上部。 在源极和漏极之间形成沟道层。 在沟道层的上部形成有硬掩模层(140)。 在源极和漏极的上部形成透明电极(170)。 在透明电极的上部形成栅极。

    폴리머 보호막이 형성된 투명 박막 트랜지스터 및 이의제조 방법
    93.
    发明公开
    폴리머 보호막이 형성된 투명 박막 트랜지스터 및 이의제조 방법 失效
    具有聚合物钝化层的透明薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090065269A

    公开(公告)日:2009-06-22

    申请号:KR1020070132753

    申请日:2007-12-17

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L29/78606

    Abstract: A transparent thin film transistor having a polymer protection layer and a manufacturing method thereof are provided to prevent a change of characteristics caused by external environment and to prevent a change of characteristics of an active layer caused by a low-temperature process. A gate electrode(122) is formed on an upper surface of a substrate. A gate insulating layer(120) is formed on an upper surface of the gate electrode. A semiconductor active layer(130) is formed on an upper surface of the gate insulating layer. A source electrode and a drain electrode are formed at both ends of the semiconductor active layer, respectively. A protective layer of the polymer material is formed to cover the semiconductor active layer, the source electrode, and the drain electrode.

    Abstract translation: 提供具有聚合物保护层的透明薄膜晶体管及其制造方法,以防止由外部环境引起的特性变化,并防止由低温处理引起的活性层特性的变化。 栅极电极(122)形成在基板的上表面上。 栅极绝缘层(120)形成在栅电极的上表面上。 半导体有源层(130)形成在栅极绝缘层的上表面上。 分别在半导体活性层的两端形成源电极和漏电极。 形成聚合物材料的保护层以覆盖半导体有源层,源电极和漏电极。

    투명 디스플레이를 이용한 증강 현실 구현 방법 및 장치
    94.
    发明公开
    투명 디스플레이를 이용한 증강 현실 구현 방법 및 장치 失效
    使用透明显示来实现已实现的现实的方法,装置和系统

    公开(公告)号:KR1020090047889A

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:KR1020070113970

    申请日:2007-11-08

    CPC classification number: G06T19/006 G01S19/03 G06F3/015 H04N13/332

    Abstract: 본 발명은 증강 현실 구현 방법에 관한 것으로, 투명 전자 소자를 이용하여 복잡한 광학적 구조가 필요 없는 증강 현실 구현 장치를 제공한다.
    이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 전자 소자를 이용한 증강 현실 구현 방법은, (a) 사용자의 현재 위치를 인식하는 단계; (b) 상기 인식된 사용자의 현재 위치 정보를 위치에 따른 영상 데이터를 저장하는 서버로 출력하고, 상기 현재 위치 정보에 대응하여 상기 서버로부터 출력되는 영상 데이터를 수신하는 단계; (c) 사용자가 바라보는 방향을 인식하는 단계; 및 (d) 상기 인식된 방향 정보를 기반으로 상기 수신된 영상 데이터 중 상기 사용자에게 표시할 부분 영상 데이터를 외부로부터 입력되는 빛을 투과시키는 투명 전자 소자로 구성된 화면에 출력하는 단계를 포함한다.
    그럼으로써, 복잡한 광학적 구조가 없는 증강 현실 구현 장치를 제공하는 이점이 있다.
    증강 현실, 투명 디스플레이, 투명 전자 소자

    전자소자용 ZnO 반도체막 형성방법 및 상기 반도체막을포함하는 박막 트랜지스터
    95.
    发明公开
    전자소자용 ZnO 반도체막 형성방법 및 상기 반도체막을포함하는 박막 트랜지스터 有权
    ZNO半导体膜电子器件的制造方法和包括ZNO半导体膜的薄膜晶体管

    公开(公告)号:KR1020080065514A

    公开(公告)日:2008-07-14

    申请号:KR1020070051792

    申请日:2007-05-29

    Abstract: A method for forming a ZnO semiconductor layer for an electronic device is provided to improve mobility by increasing the crystallinity of a semiconductor layer. A substrate is disposed in a chamber(S11). A zinc precursor is injected into the chamber so that the zinc precursor is absorbed to the surface of the substrate(S12). Nitrogen or inert gas is injected into the chamber to remove residual zinc precursor(S13). An oxygen precursor is injected into the chamber to react with the zinc precursor formed on the substrate so that a ZnO semiconductor layer is formed(S14). Nitrogen or inert gas is injected into the chamber to remove residual oxygen precursor(S15). The abovementioned processes are repeated. A surface treatment is repeatedly performed on the ZnO semiconductor layer by using oxygen plasma or ozone(S16). Nitrogen or inert gas is injected into the chamber to remove residual oxygen precursor and residual zinc precursor(S17). The abovementioned processes are repeated to adjust the thickness of the ZnO semiconductor layer. The oxygen precursor can be water or water plasma. The substrate can be made of one of glass, metal foil, plastic or silicon.

    Abstract translation: 提供一种用于形成用于电子器件的ZnO半导体层的方法,以通过增加半导体层的结晶度来改善迁移率。 基板设置在室(S11)中。 将锌前体注入到室中,使得锌前体被吸收到衬底的表面(S12)。 将氮气或惰性气体注入室中以除去残留的锌前体(S13)。 将氧前体注入室内以与形成在衬底上的锌前体反应,形成ZnO半导体层(S14)。 将氮气或惰性气体注入到室中以除去残留的氧气前体(S15)。 重复上述处理。 通过使用氧等离子体或臭氧,在ZnO半导体层上重复进行表面处理(S16)。 将氮气或惰性气体注入室中以除去残留的氧前体和残留的锌前体(S17)。 重复上述处理以调整ZnO半导体层的厚度。 氧气前体可以是水或水等离子体。 基板可以由玻璃,金属箔,塑料或硅中的一种制成。

    유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법과 상기 방법을이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터 및 유기 전계 발광디바이스
    96.
    发明授权
    유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법과 상기 방법을이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터 및 유기 전계 발광디바이스 有权
    有机电子器件和有机薄膜晶体管和有机电子发射器件的有机材料的图案化方法

    公开(公告)号:KR100843553B1

    公开(公告)日:2008-07-04

    申请号:KR1020060057815

    申请日:2006-06-27

    Abstract: 본 발명은 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법과 상기 방법을 이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터 및 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
    본 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법은 기판상에 제1 포토레지스트를 도포하는 단계와, 도포된 제1 포토레지스트를 열처리하는 단계와, 제1 포토레지스트를 전면 노광하는 단계와, 제1 포토레지스트 상에 금속 박막을 증착하는 단계와, 금속 박막 상에 제2 포토레지스트를 형성하는 단계와, 도포된 제2 포토레지스트를 열처리하는 단계와, 열처리된 제2 포토레지스트 상부에 원하는 패턴에 따른 마스크를 형성하는 단계와, 마스크 상부에서 상기 제2 포토레지스트를 노광하는 단계와, 제1 포토레지스트 및 상기 제2 포토레지스트를 현상하는 단계와, 패터닝된 상기 기판 및 제2 포토레지스트 상에 유기 전자 소자에 이용될 유기 물질층을 형성하는 단계와, 유기 물질층 표면에 보호막을 형성하는 단계, 및 리프트-오프 방법으로 상기 제1 및 제2 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하되, 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트를 현상하는 단계에서는 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트를 동시에 현상할 수 있는 현상액을 이용하여 현상하는 것을 특징으로 한다.
    이에 따라, 다층 구조의 포토레지스트를 사용함으로써 공정 중의 변형을 방지할 수 있고, 유기 전자 소자의 유기 물질층을 보호하는 보호막을 형성한 후에도 리프트 오프 방법을 이용할 수 있어, 유기 전자 소자의 유기 물질층의 특성 변화 없이 미세 패터닝을 수행할 수 있다.
    유기 전자 소자의 유기 물질층, 제1 포토레지스트, 제2 포토레지스트, 유기 박막 트랜지스터, 유기 전계 발광 디바이스

    건식 식각 공정을 이용한 산화물 박막 트랜지스터 소자의제조방법
    97.
    发明授权
    건식 식각 공정을 이용한 산화물 박막 트랜지스터 소자의제조방법 有权
    使用干蚀刻工艺制备氧化物薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号:KR100814901B1

    公开(公告)日:2008-03-19

    申请号:KR1020070049557

    申请日:2007-05-22

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L21/3065

    Abstract: A method for fabricating an oxide TFT using a dry etch process is provided to optimize an etch process condition and improve etch selectivity by performing a helicon plasma dry etch process using specific etch gas. An oxide thin film transistor is composed of a substrate(200), a gate electrode, a gate insulation layer, a source/drain electrode and a semiconductor thin film(208). The gate insulation layer or the semiconductor thin film are patterned by a helicon plasma dry process using an etch gas as a mixture gas including argon and chlorine. The etch gas can include fluoromethane gas. The gate insulation layer can be made of Al2O3, and the semiconductor thin film can be made of ZnO.

    Abstract translation: 提供了使用干蚀刻工艺制造氧化物TFT的方法,以通过使用特定蚀刻气体进行螺旋等离子体干蚀刻工艺来优化蚀刻工艺条件并提高蚀刻选择性。 氧化物薄膜晶体管由基板(200),栅极电极,栅极绝缘层,源极/漏极电极和半导体薄膜(208)构成。 使用蚀刻气体作为包括氩和氯的混合气体,通过螺旋等离子体干法将栅极绝缘层或半导体薄膜图案化。 蚀刻气体可以包括氟甲烷气体。 栅极绝缘层可以由Al 2 O 3制成,并且半导体薄膜可以由ZnO制成。

    유기 전계 발광 소자의 전극 형성 방법 및 그를 이용하여제조된 유기 전계 발광 소자
    98.
    发明授权
    유기 전계 발광 소자의 전극 형성 방법 및 그를 이용하여제조된 유기 전계 발광 소자 失效
    有机发光装置的阳极制造方法和包括阳极的有机发光装置

    公开(公告)号:KR100784487B1

    公开(公告)日:2007-12-11

    申请号:KR1020060113220

    申请日:2006-11-16

    CPC classification number: H01L51/0021 H01L51/0017 H01L51/5203 H01L51/56

    Abstract: A method for fabricating an anode of an organic light emitting device and an organic light emitting device manufactured thereby are provided to maximize a reflective rate and prevent deterioration of a light emitting characteristic by forming a multi-layered anode including a sacrificial layer. A method for fabricating an anode of an organic light emitting device includes the steps of: forming a multi-layered anode layer by forming a plurality of metalline electrode layers on a substrate(11) and forming a conductive sacrificial layer(12c) on the metallic electrode layer; forming an electrode pattern by patterning the multi-layered anode layer; exposing an electrode layer, formed beneath the sacrificial layer, by etching conductive sacrificial layer after forming the electrode pattern; and performing a surface treating process for enhancing surface characteristics of the exposed electrode layer.

    Abstract translation: 提供一种用于制造有机发光器件的阳极的方法和由其制造的有机发光器件,以通过形成包括牺牲层的多层阳极来最大化反射率并防止发光特性的劣化。 一种制造有机发光器件的阳极的方法包括以下步骤:通过在衬底(11)上形成多个金属电极层并在金属层上形成导电牺牲层(12c)来形成多层阳极层 电极层; 通过图案化多层阳极层形成电极图案; 通过在形成电极图案之后蚀刻导电牺牲层来暴露形成在牺牲层之下的电极层; 并进行表面处理工艺以增强暴露的电极层的表面特性。

    백색 유기 전계 발광 소자
    99.
    发明授权
    백색 유기 전계 발광 소자 有权
    白色有机发光装置

    公开(公告)号:KR100760901B1

    公开(公告)日:2007-09-21

    申请号:KR1020060044065

    申请日:2006-05-17

    Abstract: 본 발명은 백색 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 본 백색 유기 전계 발광 소자는 기판상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되는 발광층; 상기 발광층 상에 형성되는 전자 수송층; 및 상기 정공 수송층, 상기 발광층 및 상기 전자 수송층 중 적어도 하나에 형성되며, 상기 발광층으로부터의 에너지 전이에 의해 녹색 또는 적색으로 발광하는 발광 보조층을 포함한다. 이에 따라, 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 효율이 높고, 색 재현율이 우수하고, 연색 지수(물체를 얼마나 잘 비춰주느냐를 평가하는 지수)가 높은 백색 유기 전계 발광 소자를 제공할 수 있다.
    발광층, 발광 보조층, 백색 발광

    플렉시블 디스플레이 판넬의 측정장치 및 측정 방법
    100.
    发明授权
    플렉시블 디스플레이 판넬의 측정장치 및 측정 방법 失效
    柔性显示面板的测量装置和测量方法

    公开(公告)号:KR100721262B1

    公开(公告)日:2007-05-23

    申请号:KR1020060074166

    申请日:2006-08-07

    Abstract: 본 발명은 플렉시블 디스플레이 판넬의 측정장치 및 측정방법에 관한 것으로, 본 플렉시블 디스플레이 판넬의 측정장치는 챔버; 상기 챔버 내에 마련되며, 적어도 하나의 발광소자를 포함하는 플렉시블 발광소자 디스플레이 판넬이 배치되며, 상기 배치된 디스플레이 판넬의 측정 위치를 조절하는 선형 및 회전운동 스테이지; 상기 선형 및 회전 운동 스테이지에 배치된 상기 디스플레이 판넬에 인접하게 설치되어, 상기 디스플레이 판넬의 변형 및 발광특성을 측정하는 광계측부; 상기 선형 및 회전운동 스테이지와 연결되며, 상기 디스플레이 판넬의 측정 위치를 조절하기 위해 상기 선형 및 회전운동 스테이지를 동작시키는 모터구동부; 상기 광계측부 및 상기 모터구동부와 연결되어 상기 광계측부 및 상기 모터구동부를 동작시키기 위한 제어신호를 제공하는 제어부; 및 상기 제어부 및 상기 모터구동부와 연결되어 상기 제어부에서 제공된 제어신호에 따라 측정에 필요한 펄스 형태의 전압 및 전류를 제공하며, 상기 디스플레이 판넬의 구동시 측정된 전압 및 전류를 디지털 데이터로 변환하는 바이어스 공급 및 측정부를 포함하며, 상기 제어부는 상기 바이어스 공급 및 측정부로부터 상기 디지털 데이터를 입력받아 파라미터를 생성하고, 상기 파라미터를 이용하여 상기 디스플레이 판넬의 발광특성을 분석하는 데이터 처리부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
    이에 따라, 플렉시블 디스플레이 판넬 내에 형성된 발광소자의 스트레인의 종류, 크기, 다양한 휘도 관련 특성을 빠르고 정밀하게 측정할 수 있다.
    플렉시블 디스플레이 판넬, 변형률, 위치센서, 반사 금속층

    Abstract translation: 柔性显示面板的测量装置和测量方法技术领域本发明涉及柔性显示面板的测量装置和测量方法, 线性旋转运动台,布置在所述室中并布置在柔性发光装置显示面板中,所述柔性发光装置显示面板包括至少一个发光元件并调整所布置的显示面板的测量位置; 光测量单元安装在显示面板附近,设置在线性和旋转运动台上并测量显示面板的变形和发光特性; 马达驱动单元,连接到线性和旋转运动台并操作线性和旋转运动台以调节显示面板的测量位置; 连接到光学测量单元和电动机驱动单元的控制器,用于提供用于操作光学测量单元和电动机驱动单元的控制信号; 和一个偏置电源用于转换的控制和,并连接到电动机驱动单元提供了根据所述显示面板的操作过程中从所述控制单元,所述电压和电流测量供应到数字数据的控制信号,用于测量所需的电压和电流的脉冲形式, 测量单元,其中控制单元包括数据处理单元,用于接收来自偏压供应和测量单元的数字数据,产生参数,并且使用该参数分析显示面板的发光特性 。

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