Abstract:
본 발명은 증강 현실 구현 방법에 관한 것으로, 투명 전자 소자를 이용하여 복잡한 광학적 구조가 필요 없는 증강 현실 구현 장치를 제공한다. 이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 전자 소자를 이용한 증강 현실 구현 방법은, (a) 사용자의 현재 위치를 인식하는 단계; (b) 상기 인식된 사용자의 현재 위치 정보를 위치에 따른 영상 데이터를 저장하는 서버로 출력하고, 상기 현재 위치 정보에 대응하여 상기 서버로부터 출력되는 영상 데이터를 수신하는 단계; (c) 사용자가 바라보는 방향을 인식하는 단계; 및 (d) 상기 인식된 방향 정보를 기반으로 상기 수신된 영상 데이터 중 상기 사용자에게 표시할 부분 영상 데이터를 외부로부터 입력되는 빛을 투과시키는 투명 전자 소자로 구성된 화면에 출력하는 단계를 포함한다. 그럼으로써, 복잡한 광학적 구조가 없는 증강 현실 구현 장치를 제공하는 이점이 있다. 증강 현실, 투명 디스플레이, 투명 전자 소자
Abstract:
A transparent electronic device and a manufacturing method thereof are provided to reduce a manufacturing process and a manufacturing cost by forming simultaneously a p-type channel and an n-type channel. A buffer layer(120) is formed on an upper surface of a substrate. The buffer layer is made of an oxide layer or a nitride layer in order to form easily a crystalline thin film. A source(150) and a drain(160) are formed on an upper part of the buffer layer. A channel layer is formed between the source and the drain. A hard mask layer(140) is formed on an upper part of the channel layer. A transparent electrode(170) is formed on an upper part of the source and the drain. A gate is formed at an upper part of the transparent electrode.
Abstract:
A transparent thin film transistor having a polymer protection layer and a manufacturing method thereof are provided to prevent a change of characteristics caused by external environment and to prevent a change of characteristics of an active layer caused by a low-temperature process. A gate electrode(122) is formed on an upper surface of a substrate. A gate insulating layer(120) is formed on an upper surface of the gate electrode. A semiconductor active layer(130) is formed on an upper surface of the gate insulating layer. A source electrode and a drain electrode are formed at both ends of the semiconductor active layer, respectively. A protective layer of the polymer material is formed to cover the semiconductor active layer, the source electrode, and the drain electrode.
Abstract:
본 발명은 증강 현실 구현 방법에 관한 것으로, 투명 전자 소자를 이용하여 복잡한 광학적 구조가 필요 없는 증강 현실 구현 장치를 제공한다. 이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 전자 소자를 이용한 증강 현실 구현 방법은, (a) 사용자의 현재 위치를 인식하는 단계; (b) 상기 인식된 사용자의 현재 위치 정보를 위치에 따른 영상 데이터를 저장하는 서버로 출력하고, 상기 현재 위치 정보에 대응하여 상기 서버로부터 출력되는 영상 데이터를 수신하는 단계; (c) 사용자가 바라보는 방향을 인식하는 단계; 및 (d) 상기 인식된 방향 정보를 기반으로 상기 수신된 영상 데이터 중 상기 사용자에게 표시할 부분 영상 데이터를 외부로부터 입력되는 빛을 투과시키는 투명 전자 소자로 구성된 화면에 출력하는 단계를 포함한다. 그럼으로써, 복잡한 광학적 구조가 없는 증강 현실 구현 장치를 제공하는 이점이 있다. 증강 현실, 투명 디스플레이, 투명 전자 소자
Abstract:
A method for forming a ZnO semiconductor layer for an electronic device is provided to improve mobility by increasing the crystallinity of a semiconductor layer. A substrate is disposed in a chamber(S11). A zinc precursor is injected into the chamber so that the zinc precursor is absorbed to the surface of the substrate(S12). Nitrogen or inert gas is injected into the chamber to remove residual zinc precursor(S13). An oxygen precursor is injected into the chamber to react with the zinc precursor formed on the substrate so that a ZnO semiconductor layer is formed(S14). Nitrogen or inert gas is injected into the chamber to remove residual oxygen precursor(S15). The abovementioned processes are repeated. A surface treatment is repeatedly performed on the ZnO semiconductor layer by using oxygen plasma or ozone(S16). Nitrogen or inert gas is injected into the chamber to remove residual oxygen precursor and residual zinc precursor(S17). The abovementioned processes are repeated to adjust the thickness of the ZnO semiconductor layer. The oxygen precursor can be water or water plasma. The substrate can be made of one of glass, metal foil, plastic or silicon.
Abstract:
본 발명은 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법과 상기 방법을 이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터 및 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다. 본 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법은 기판상에 제1 포토레지스트를 도포하는 단계와, 도포된 제1 포토레지스트를 열처리하는 단계와, 제1 포토레지스트를 전면 노광하는 단계와, 제1 포토레지스트 상에 금속 박막을 증착하는 단계와, 금속 박막 상에 제2 포토레지스트를 형성하는 단계와, 도포된 제2 포토레지스트를 열처리하는 단계와, 열처리된 제2 포토레지스트 상부에 원하는 패턴에 따른 마스크를 형성하는 단계와, 마스크 상부에서 상기 제2 포토레지스트를 노광하는 단계와, 제1 포토레지스트 및 상기 제2 포토레지스트를 현상하는 단계와, 패터닝된 상기 기판 및 제2 포토레지스트 상에 유기 전자 소자에 이용될 유기 물질층을 형성하는 단계와, 유기 물질층 표면에 보호막을 형성하는 단계, 및 리프트-오프 방법으로 상기 제1 및 제2 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하되, 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트를 현상하는 단계에서는 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트를 동시에 현상할 수 있는 현상액을 이용하여 현상하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 다층 구조의 포토레지스트를 사용함으로써 공정 중의 변형을 방지할 수 있고, 유기 전자 소자의 유기 물질층을 보호하는 보호막을 형성한 후에도 리프트 오프 방법을 이용할 수 있어, 유기 전자 소자의 유기 물질층의 특성 변화 없이 미세 패터닝을 수행할 수 있다. 유기 전자 소자의 유기 물질층, 제1 포토레지스트, 제2 포토레지스트, 유기 박막 트랜지스터, 유기 전계 발광 디바이스
Abstract:
A method for fabricating an oxide TFT using a dry etch process is provided to optimize an etch process condition and improve etch selectivity by performing a helicon plasma dry etch process using specific etch gas. An oxide thin film transistor is composed of a substrate(200), a gate electrode, a gate insulation layer, a source/drain electrode and a semiconductor thin film(208). The gate insulation layer or the semiconductor thin film are patterned by a helicon plasma dry process using an etch gas as a mixture gas including argon and chlorine. The etch gas can include fluoromethane gas. The gate insulation layer can be made of Al2O3, and the semiconductor thin film can be made of ZnO.
Abstract translation:提供了使用干蚀刻工艺制造氧化物TFT的方法,以通过使用特定蚀刻气体进行螺旋等离子体干蚀刻工艺来优化蚀刻工艺条件并提高蚀刻选择性。 氧化物薄膜晶体管由基板(200),栅极电极,栅极绝缘层,源极/漏极电极和半导体薄膜(208)构成。 使用蚀刻气体作为包括氩和氯的混合气体,通过螺旋等离子体干法将栅极绝缘层或半导体薄膜图案化。 蚀刻气体可以包括氟甲烷气体。 栅极绝缘层可以由Al 2 O 3制成,并且半导体薄膜可以由ZnO制成。
Abstract:
A method for fabricating an anode of an organic light emitting device and an organic light emitting device manufactured thereby are provided to maximize a reflective rate and prevent deterioration of a light emitting characteristic by forming a multi-layered anode including a sacrificial layer. A method for fabricating an anode of an organic light emitting device includes the steps of: forming a multi-layered anode layer by forming a plurality of metalline electrode layers on a substrate(11) and forming a conductive sacrificial layer(12c) on the metallic electrode layer; forming an electrode pattern by patterning the multi-layered anode layer; exposing an electrode layer, formed beneath the sacrificial layer, by etching conductive sacrificial layer after forming the electrode pattern; and performing a surface treating process for enhancing surface characteristics of the exposed electrode layer.
Abstract:
본 발명은 백색 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 본 백색 유기 전계 발광 소자는 기판상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되는 발광층; 상기 발광층 상에 형성되는 전자 수송층; 및 상기 정공 수송층, 상기 발광층 및 상기 전자 수송층 중 적어도 하나에 형성되며, 상기 발광층으로부터의 에너지 전이에 의해 녹색 또는 적색으로 발광하는 발광 보조층을 포함한다. 이에 따라, 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 효율이 높고, 색 재현율이 우수하고, 연색 지수(물체를 얼마나 잘 비춰주느냐를 평가하는 지수)가 높은 백색 유기 전계 발광 소자를 제공할 수 있다. 발광층, 발광 보조층, 백색 발광
Abstract:
본 발명은 플렉시블 디스플레이 판넬의 측정장치 및 측정방법에 관한 것으로, 본 플렉시블 디스플레이 판넬의 측정장치는 챔버; 상기 챔버 내에 마련되며, 적어도 하나의 발광소자를 포함하는 플렉시블 발광소자 디스플레이 판넬이 배치되며, 상기 배치된 디스플레이 판넬의 측정 위치를 조절하는 선형 및 회전운동 스테이지; 상기 선형 및 회전 운동 스테이지에 배치된 상기 디스플레이 판넬에 인접하게 설치되어, 상기 디스플레이 판넬의 변형 및 발광특성을 측정하는 광계측부; 상기 선형 및 회전운동 스테이지와 연결되며, 상기 디스플레이 판넬의 측정 위치를 조절하기 위해 상기 선형 및 회전운동 스테이지를 동작시키는 모터구동부; 상기 광계측부 및 상기 모터구동부와 연결되어 상기 광계측부 및 상기 모터구동부를 동작시키기 위한 제어신호를 제공하는 제어부; 및 상기 제어부 및 상기 모터구동부와 연결되어 상기 제어부에서 제공된 제어신호에 따라 측정에 필요한 펄스 형태의 전압 및 전류를 제공하며, 상기 디스플레이 판넬의 구동시 측정된 전압 및 전류를 디지털 데이터로 변환하는 바이어스 공급 및 측정부를 포함하며, 상기 제어부는 상기 바이어스 공급 및 측정부로부터 상기 디지털 데이터를 입력받아 파라미터를 생성하고, 상기 파라미터를 이용하여 상기 디스플레이 판넬의 발광특성을 분석하는 데이터 처리부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 플렉시블 디스플레이 판넬 내에 형성된 발광소자의 스트레인의 종류, 크기, 다양한 휘도 관련 특성을 빠르고 정밀하게 측정할 수 있다. 플렉시블 디스플레이 판넬, 변형률, 위치센서, 반사 금속층