公开(公告)号：CN102468141A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110228993.4

申请日：2011-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张庆裕 ,  吕奎亮 ,  谢铭峰

IPC: H01L21/027 ,  C23C16/455

CPC classification number: G03F7/167 ,  B05D1/60

Abstract: 一种用于形成薄膜的蒸发喷射沉积装置包括处理室、流体线以及在处理室附近与流体线连接的喷射头。流体线被设置成向喷射头传输聚合物流体和溶剂混合物。喷射头被设置成接收聚合物流体和溶剂混合物并且雾化该聚合物流体和溶剂混合物，从而以基本上蒸发的形式喷出该聚合物流体和溶剂混合物以沉积在表面上，并且由此在溶剂蒸发之后在该表面上形成聚合物薄膜。在实施例中，该蒸发喷射沉积装置可以包括加热装置以对聚合物进行硬烘烤工艺。在实施例中，蒸发喷射沉积装置被设置成向该薄膜聚合物提供沉积后溶剂喷射修整工艺。本发明还提供了一种蒸发聚合物喷射沉积系统。

公开(公告)号：CN101054657B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200710089037.6

申请日：2002-12-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上雅一

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/54 ,  H01L51/56 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C14/5806 ,  B05D1/60 ,  C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  C23C14/56 ,  C23C14/564 ,  C23C14/568 ,  C23C16/45514 ,  H01L51/001 ,  H01L51/5008 ,  H01L51/56 ,  Y10S438/905

Abstract: 膜形成装置和膜形成方法以及清洁方法本发明的目的在于提供一种能够形成高密度和高纯度EL层的膜形成装置和清洁方法。本发明为通过加热衬底的加热装置加热衬底10、借助连接到膜形成室的减压装置(如涡轮分子泵、干泵、低温抽气泵等的真空泵)将膜形成室的压力减小到5×10-3乇(0.665Pa)或以下，优选减小到1×10-3乇(0.133Pa)或以下并通过从淀积源淀积有机化合物材料进行膜形成，形成高密度EL层。在膜形成室中，通过等离子体进行淀积掩模的清洁。

公开(公告)号：CN102443784A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110397255.2

申请日：2004-06-10

Applicant: 应用微型构造公司

Inventor： 博里斯·科布兰 ,  罗穆亚尔德·诺瓦克 ,  理查德·C·伊 ,  杰弗里·D·钦

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B05D1/185 ,  B05D1/60 ,  B05D3/142 ,  B82Y40/00 ,  C09D4/00 ,  C23C16/4485 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明涉及用于受控涂敷反应蒸气来制造薄膜和涂层的装置和方法。公开了一种气相沉积方法和装置，用于在衬底上涂敷薄的层和涂层。该方法和装置在制造电子器件、微机电系统(MEMS)、BiO-MEMS器件、微纳米印刷光刻术和微射流器件中是有用的。用于执行该方法的装置提供了在涂层形成过程的单个反应步骤中对所要消耗的各反应物的精确量的添加。该装置在单个步骤中或者当在涂层形成过程中存在许多不同的单个步骤时，提供反应物的不同组合的量的精确添加。蒸气形式的各反应物的精确添加在指定温度下被按剂量供入预定的设定体积中至指定压力，以提供高精确量的反应物。

公开(公告)号：CN102414263A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019336.2

申请日：2010-03-05

Applicant: 夸泰克工程公司

Inventor： 丹尼斯·巴萨多 ,  弗雷德里克·盖尔纳莱克

IPC: C08J7/18 ,  C23C14/48

CPC classification number: C08J7/123 ,  B05D1/60 ,  B05D3/14 ,  B05D5/08 ,  B05D7/04 ,  C08J2321/00 ,  C23C14/48 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明涉及使用氦离子处理固体弹性部件的至少一个表面的方法。根据本发明，同时注入多能量的He+和He2+离子，其中比率RHe＝He+/He2+，式中He+和He2+以％形式来表示，RHe小于或等于100，例如小于20。采用这种方法，可以非常显著地减小处理部件的摩擦特性。He+和He2+离子可由诸如ECR源来提供。

公开(公告)号：CN1878888B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200580000427.0

申请日：2005-05-24

Applicant: 应用微型构造公司

Inventor： 博里斯·科布兰 ,  杰弗里·D·晴恩 ,  罗马尔德·诺瓦客 ,  理查德·C·伊

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/0227 ,  B05D1/185 ,  B05D1/60 ,  B05D3/142 ,  B05D3/145 ,  B05D7/52 ,  B05D7/56 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/42 ,  C03C23/006 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/12632 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/261 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31667

Abstract: 本发明描述了用于在衬底上施加多层膜/涂层的改进的气相沉积方法和装置。该方法用来沉积多层涂层，其中作为衬底的化学组成的函数来控制与衬底直接接触的基于氧化物的层的厚度，从而使随后沉积的层更好的键合到基于氧化物的层。该改进的方法用来沉积这样的多层涂层，在该多层涂层中，基于氧化物的层直接沉积在衬底上，而基于有机物的层直接沉积在基于氧化物的层上。一般来说，施加一连串基于氧化物的层和基于有机物的层的交错层。

公开(公告)号：CN101801664A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880107592.X

申请日：2008-10-17

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 入仓钢 ,  大森大辅 ,  茂木薰 ,  桃野健 ,  桥本雄介

IPC: B32B15/08 ,  C23C14/12

CPC classification number: B05D5/067 ,  B05D1/60 ,  B05D7/02 ,  Y10T428/31605 ,  Y10T428/31609 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种对树脂制基材的密合性优异、可以赋予层合在其上的金属装饰膜充分的光泽的金属装饰膜向树脂制基材的层合方法及具有金属装饰膜的树脂制基材，其特征在于，在树脂制基材上层合通过蒸镀聚合法产生的高分子的平坦化膜后，层合金属装饰膜。

公开(公告)号：CN101750421A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910260476.8

申请日：2009-12-15

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高桥伸辅 ,  西田弘幸 ,  藤浪达也

IPC: G01N21/892

CPC classification number: B05D7/24 ,  B05D1/60 ,  B05D5/005 ,  B05D7/54 ,  B05D7/58 ,  C23C16/545

Abstract: 本发明提供用于制备层压体的方法。所述用于制备层压体的方法包括：膜形成步骤，用于在支持体(110)上形成具有一个或多个层的薄膜(120，160)，以获得薄膜；缺陷覆盖层(130，170)形成步骤，用于通过CVD在薄膜(120，160)上形成缺陷覆盖层(130，170)；和检查步骤，用于透过缺陷覆盖层(130，170)的顶部检测尺寸为0.1μm以上且20μm以下的缺陷(180)。该方法能够制备具有较少缺陷的层压体，其有效地允许检测细小缺陷。

公开(公告)号：CN101544476A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200810087988.4

申请日：2008-03-28

Applicant: 皮尔金顿集团有限公司

Inventor： 王健农 ,  许前丰 ,  K·D·桑德森 ,  I·H·施密斯

IPC: C03C17/34 ,  C04B41/89 ,  C08J7/06 ,  C23C16/00 ,  D06M13/00

CPC classification number: C09D5/00 ,  B05D1/185 ,  B05D1/60 ,  B05D5/083 ,  B82Y30/00 ,  C03C17/42 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/76 ,  C03C2218/113 ,  C03C2218/152 ,  C03C2218/32 ,  C09D1/00 ,  D06M13/507 ,  D06M13/513 ,  D06M23/005 ,  D06M23/08 ,  D06M2200/05 ,  D06M2200/12 ,  D06M2400/02

Abstract: 本发明涉及超疏水性涂层，其具有分布于其上的平均尺寸为约100－约500nm的许多孔，其特征在于大多数孔是彼此隔开的，并且这些孔的壁表面和涂层的连续部分由二氧化硅纳米颗粒构成，其特征还在于所述涂层是被全氟烷基硅烷的单分子层所改性的表面。在用全氟烷基硅烷改性表面后，所述涂层显示出超疏水性，其接触角为160°和滑动角接近于零。所述涂层还在大多数UV－VIS波长范围内显示出高透明性。

公开(公告)号：CN101422636A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810177889.5

申请日：2008-10-13

Applicant: 喉罩有限公司

Inventor： 罗纳德·克雷格·怀特

IPC: A61M16/04

CPC classification number: A61M16/04 ,  A61L31/10 ,  A61M16/0409 ,  A61M2205/0222 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0493 ,  C08J7/047 ,  C08J7/065 ,  C08J2327/06 ,  C08J2465/00 ,  C08J2465/04 ,  C09D165/04 ,  C08L65/04

Abstract: 本发明涉及一种用于便利在无意识患者中的肺通气的喉罩呼吸道装置，包括在进入空罩部分的内部的一个末端开口的弯曲的或柔性的管，该罩部分包括后板和套囊，该罩部分成形以符合和容易适合在喉后面的实际的和潜在的空间，并在围绕喉的入口的圆周密封，而不渗透进入喉的内部，其特征在于该装置的表面的至少部分包括聚对二甲苯。聚对二甲苯为人造呼吸道装置的改进插入提供低摩擦表面。

公开(公告)号：CN100478381C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200480013260.7

申请日：2004-05-10

Applicant: 帝斯曼知识产权资产管理有限公司

Inventor： 沙哈比·雅罗米

IPC: C08J7/00 ,  C08J7/06 ,  C23C14/00 ,  C23C14/12

CPC classification number: C08J7/065 ,  B05D1/60 ,  B05D3/044 ,  B05D3/0446 ,  B05D3/046 ,  B05D3/062 ,  B05D3/063 ,  B05D3/067 ,  B05D3/068 ,  B05D3/142 ,  B05D3/144 ,  B05D3/145 ,  B05D2201/02 ,  C23C14/022 ,  C23C14/12 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31605 ,  Y10T428/31667 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31938

Abstract: 本发明涉及制备复合材料的方法，所述复合材料包括基材和该基材上的层，所述方法包括气相沉积步骤，其中在低于1000Pa的压力下，将包含三嗪化合物的化合物沉积在该基材上，从而形成该层，在气相沉积步骤期间，基材的温度介于-15℃与+125℃之间。本发明还涉及通过本文公开的方法得到的复合材料。