公开(公告)号：KR101419802B1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：KR1020100088473

申请日：2010-09-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박정우 ,  김경옥

IPC: H01L31/10

CPC classification number: G02F1/025 ,  G02F1/2257 ,  G02F2201/063

Abstract: 본 발명은 고속으로 변조할 수 있는 광전 소자 및 그를 구비한 마흐-젠더 광 변조기를 개시한다. 그의 소자는 기판 상의 슬랩과, 상기 슬랩 상에서 일방향으로 연장되는 메사와, 상기 메사 하부의 상기 슬랩을 포함하는 립 도파로와, 상기 메사의 일측의 상기 슬랩에 형성된 제 1 불순물 영역와, 상기 제 1 불순물 영역에 대향되는 상기 메사의 타측의 상기 슬랩에 형성된 제 3 불순물 영역와, 상기 제 1 불순물 영역 및 상기 제 3 불순물 영역 사이의 상기 립 도파로 내에 형성된 제 2 불순물 영역을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100066842A

公开(公告)日：2010-06-18

申请号：KR1020080125330

申请日：2008-12-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박정우 ,  유종범 ,  김경옥

IPC: H01L31/00 ,  H01L29/868

CPC classification number: G02F1/025 ,  G02F2001/0156 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/12 ,  G02F2202/105 ,  G02F2202/32

Abstract: PURPOSE: An optical loss modulator and a method for manufacturing the same are provided to reduce the cross section of the optical loss modulator by changing the absorption rate of an intrinsic region. CONSTITUTION: An insulating layer(12) is formed on a substrate(11). A waveguide(16) with a P-I-N diode structure is formed on the insulating layer. The absorption rate of the intrinsic region(15) of the P-I-N diode is changed in a modulation operation of a light inputted to the waveguide. The P-I-N diode includes the intrinsic region, the P-type region(13) of the intrinsic region, and the N type region(14) of the intrinsic region. The waveguide enhances the absorption rate of the intrinsic region by slowing the progressing speed of the light.

Abstract translation: 目的：提供光损耗调制器及其制造方法，以通过改变本征区域的吸收率来减小光损耗调制器的横截面。 构成：在基板（11）上形成绝缘层（12）。 在绝缘层上形成具有P-I-N二极管结构的波导（16）。 在输入到波导的光的调制操作中，P-I-N二极管的本征区域（15）的吸收率发生变化。 P-I-N二极管包括本征区域，本征区域的P型区域（13）和本征区域的N型区域（14）。 波导通过减慢光的进行速度来增强本征区域的吸收率。

公开(公告)号：KR1020080102146A

公开(公告)日：2008-11-24

申请号：KR1020087021488

申请日：2007-02-16

Applicant: 미쓰미덴기가부시기가이샤

Inventor： 나카지마이쿠오 ,  하야카와에츠지 ,  미즈모토데츠야

IPC: G02B27/28 ,  G02F1/095

CPC classification number: G02F1/0955 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063

Abstract: A waveguide optical isolator comprises a substrate, a waveguide layer, a magnetic garnet, a magnetic field applying means, and a package substrate. Waveguide paths are formed in the waveguide layer. The field applying means comprises a first magnet and a second magnet. The first magnet and the second magnet are received and fixed in a magnet holder.

Abstract translation: 波导光隔离器包括基板，波导层，磁性石榴石，磁场施加装置和封装基板。 在波导层中形成波导路径。 场施加装置包括第一磁体和第二磁体。 第一磁体和第二磁体被接收并固定在磁体保持器中。

公开(公告)号：WO2016208732A1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：PCT/JP2016/068864

申请日：2016-06-24

Applicant: 株式会社フジクラ

Inventor： 小川　憲介

IPC: G02F1/025 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122

CPC classification number: G02F1/025 ,  G02B6/00 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063

Abstract: 光損失の低減、駆動電圧の低減、小型化、および製造工程の簡易化を可能とする。リブ領域（１０１ｒ）と、両スラブ領域（１０１ｓ）とを有しているリブ導波路コア（１０１）を備えており、リブ領域（１０１ｒ）から２つのスラブ領域（１０１ｓ）にまで延伸する空乏層（１１３）が形成される。

Abstract translation: 本发明可以减少光损耗，驱动电压和尺寸，并且简化制造步骤。 本发明设置有具有肋区域（101r）和两个板状区域（101s）的肋波导芯（101）和从肋区域（101r）延伸至两个板坯的耗尽层（113） 形成区域（101s）。

公开(公告)号：WO2016092829A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：PCT/JP2015/006112

申请日：2015-12-08

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 都築　健 ,  亀井　新 ,  地蔵堂　真

IPC: G02F1/025

CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/127

Abstract: 　本発明は、基板と、基板上の位相変調部であって、第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に積層され、第１のクラッド層よりも高い屈折率を有する半導体層と、半導体層上に積層され、半導体層よりも低い屈折率を有する第２のクラッド層とからなる光導波路と、第１の進行波電極と、第２の進行波電極とを含む、位相変調部とを含む光変調器であって、半導体層は、光導波路の光軸方向に形成され、光導波路のコアとなるリブ部と、リブ部の一方の脇に光軸方向に形成される第１のスラブ部と、リブ部の他方の脇に光軸方向に形成される、第２のスラブ部と、第１のスラブ部のリブ部の反対側に光軸方向に形成される、第３のスラブ部と、第２のスラブ部のリブ部の反対側に光軸方向に形成される、第４のスラブ部とを備え、第１のスラブ部は、リブ部及び第３のスラブ部よりも薄く形成され、第２のスラブ部は、リブ部及び第４のスラブ部よりも薄く形成される。

Abstract translation: 该光调制器在基板上包括基板和相位调制单元，所述相位调制单元包括：第一行波电极，第二行波电极和由第一包层，半导体层构成的光波导， 层叠在第一包层上，折射率高于第一包层的折射率，层叠在半导体层上的折射率低于第一包层的折射率， 半导体层。 半导体层设置有：在光波导的光轴方向上形成的肋状部，作为光波导的芯部; 在所述肋部的一侧沿光轴方向形成的第一板坯部; 在所述肋部的另一侧沿光轴方向形成的第二板坯部; 在与所述肋部相反的第一板坯部侧的光轴方向上形成的第三板坯部; 以及在与肋部相反的第二板坯部侧的光轴方向上形成的第四板坯部。 第一板坯部形成为比肋部和第三板坯部薄，第二板坯部形成为比肋部和第四板部更薄。

公开(公告)号：WO2013191796A1

公开(公告)日：2013-12-27

申请号：PCT/US2013/036696

申请日：2013-04-16

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： GREEN, William M. ,  ROSENBERG, Jessie C. ,  VLASOV, Yurii A.

IPC: H01L21/00

CPC classification number: G02B6/1347 ,  G02B6/12 ,  G02B2006/12061 ,  G02F1/025 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/15 ,  G02F2202/06 ,  G02F2202/105

Abstract: A method for fabricating an optical modulator includes forming n-type layer, a first oxide portion on a portion of the n-type layer, and a second oxide portion on a second portion of the n-type layer, patterning a first masking layer over the first oxide portion, portions of a planar surface of the n-type layer, and portions of the second oxide portion, implanting p-type dopants in the n-type layer to form a first p-type region and a second p-type region, removing the first masking layer, patterning a second masking layer over the first oxide portion, a portion of the first p-type region, and a portion of the n-type layer, and implanting p-type dopants in exposed portions of the n-type layer, exposed portions of the first p-type region, and regions of the n-type layer and the second p-type region disposed between the substrate and the second oxide portion.

Abstract translation: 一种光学调制器的制造方法包括在n型层的一部分上形成n型层，第一氧化物部分和n型层的第二部分上的第二氧化物部分，将第一掩模层图案化 第一氧化物部分，n型层的平面表面的部分和第二氧化物部分的部分，在n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型 去除所述第一掩蔽层，在所述第一氧化物部分上形成第二掩模层，所述第一p型区域的一部分和所述n型层的一部分，以及在所述第一掩模层的暴露部分中注入p型掺杂剂 n型层，第一p型区域的露出部分以及设置在基板和第二氧化物部分之间的n型层和第二p型区域的区域。

公开(公告)号：WO2013165376A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：PCT/US2012/035893

申请日：2012-04-30

Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. ,  LIANG, Di

Inventor： LIANG, Di

IPC: G02B6/12 ,  G02F1/025

CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02B6/125 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12145 ,  G02B2006/12159 ,  G02F1/025 ,  G02F2001/0153 ,  G02F2001/212 ,  G02F2001/213 ,  G02F2201/063 ,  G02F2202/102 ,  G02F2202/105

Abstract: A hybrid MOS optical modulator. The optical modulator includes an optical waveguide, a cathode comprising a first material and formed in the optical waveguide, and an anode comprising a second material dissimilar from the first material and formed in the optical waveguide, the anode adjoining the cathode, a capacitor being defined between the anode and the cathode.

Abstract translation: 一种混合MOS光调制器。 所述光调制器包括光波导，包括第一材料并形成在所述光波导中的阴极，以及阳极，所述阳极包括与所述第一材料不同的并且形成在所述光波导中的第二材料，所述阳极与所述阴极相邻， 在阳极和阴极之间。

公开(公告)号：WO2013133896A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：PCT/US2013/000052

申请日：2013-02-27

Applicant: KOTURA, Inc.

Inventor： FENG, Dazeng ,  ASGHARI, Mehdi

IPC: G02F1/23

CPC classification number: G02F1/025 ,  G02F1/0147 ,  G02F2001/0157 ,  G02F2201/063 ,  G02F2202/10 ,  G02F2202/101 ,  H01S5/02252

Abstract: The optical device includes a Fabry-Perot laser positioned on a base. A modulator is also positioned on the base so as to receive the output from the laser. The modulator is a Franz-Keldysh modulator that uses the Franz-Keldysh effect to modulate light signals. The laser and modulator are configured such that the modulator modulates the output from the laser and also such that the temperature dependence of the modulator tracks the temperature dependence of the laser.

Abstract translation: 光学装置包括位于基座上的法布里 - 珀罗激光器。 调制器也位于基座上，以便接收来自激光器的输出。 调制器是Franz-Keldysh调制器，其使用Franz-Keldysh效应来调制光信号。 激光器和调制器被配置为使得调制器调制来自激光器的输出，并且还使得调制器的温度依赖性跟踪激光器的温度依赖性。

公开(公告)号：WO2012064472A2

公开(公告)日：2012-05-18

申请号：PCT/US2011/056838

申请日：2011-10-19

Applicant: ALCATEL LUCENT ,  RASRAS, Mahmound, S.

Inventor： RASRAS, Mahmound, S.

IPC: G02F1/225

CPC classification number: G02F1/0147 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063 ,  G02F2203/48

Abstract: An apparatus includes a conductive or semiconductive substrate and a dielectric layer located directly thereon. A semiconductor layer is located directly on the dielectric layer. The semiconductor layer includes a ridge waveguide and a heater strip extending parallel to the ridge waveguide. The heater strip is electrically isolated from the ridge waveguide and is doped to carry a current therein about parallel to the ridge waveguide.

Abstract translation: 一种设备包括导电或半导体衬底和直接位于其上的电介质层。 半导体层直接位于电介质层上。 半导体层包括脊波导和平行于脊波导延伸的加热条。 加热器条与脊波导电隔离，并且被掺杂以在其中携带平行于脊波导的电流。

公开(公告)号：WO2010107853A2

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：PCT/US2010/027564

申请日：2010-03-17

Applicant: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY ,  HU, Juejun ,  BI, Lei ,  KIMBERLING, Lionel, C. ,  DIONNE, Gerald, F. ,  ROSS, Caroline, A.

Inventor： HU, Juejun ,  BI, Lei ,  KIMBERLING, Lionel, C. ,  DIONNE, Gerald, F. ,  ROSS, Caroline, A.

IPC: G02B6/12 ,  G02F1/09

CPC classification number: G02B6/12007 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12157 ,  G02F1/0955 ,  G02F1/3133 ,  G02F2201/063 ,  G02F2202/36 ,  G02F2203/15

Abstract: A magneto-optical isolator device is provided. The isolator device includes a substrate and a bottom cladding layer that is formed on the substrate. An optical resonator structure is formed on the bottom cladding layer. The resonator structure includes crystalline or amorphous diamagnetic silicon or silicon-germanium so as to provide non-reciprocal optical isolation. A top cladding layer is formed on the resonator structure. One or more magnetic layers positioned on the top cladding layer or between the top cladding or bottom cladding layers and the optical resonator structure.

Abstract translation: 提供了一种磁光隔离器装置。 隔离器装置包括衬底和形成在衬底上的底部包层。 在下包层上形成光谐振器结构。 谐振器结构包括晶体或无定形反磁性硅或硅 - 锗，以提供不可逆的光学隔离。 在谐振器结构上形成顶层。 位于顶部包层或顶部包层或底部包层之间的一个或多个磁性层和光学谐振器结构。