碳纳米管场发射体的制备方法

    公开(公告)号:CN103367074A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201210087168.1

    申请日:2012-03-29

    Inventor: 柳鹏 范守善

    Abstract: 一种碳纳米管场发射体的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列,该碳纳米管阵列形成于一生长基底;采用一拉伸工具从所述碳纳米管阵列中选定多个碳纳米管片段拉取获得一碳纳米管膜,该碳纳米管膜包括一三角区碳纳米管膜,所述拉伸工具所选定的多个碳纳米管片段为该三角区碳纳米管膜的一顶部;处理所述拉伸工具所选定的碳纳米管片段,使三角区碳纳米管膜的所述顶部形成一碳纳米管线;采用激光束以三角区碳纳米管膜的所述顶部为中心,沿着三角区碳纳米管膜的切割线切断所述三角区碳纳米管膜,所述三角区碳纳米管膜的切割线至三角区碳纳米管膜的顶部的距离为10微米~5毫米,得到一扇形或三角形的碳纳米管场发射体。

    场发射装置
    98.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102254762B

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201010178218.8

    申请日:2010-05-20

    Abstract: 本发明涉及一种场发射装置,其包括:一绝缘基底;一电子引出电极,该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面;一二次电子发射层,该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面;一阴极电极,该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置,所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间,该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置,该阴极电极具有一第一开口,该第一开口定义一电子出射部;一电子发射层,该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面;一栅极电极,该栅极电极与阴极电极绝缘设置,且所述阴极电极设置在电子引出极与栅极电极之间。

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