公开(公告)号：DE102014106661A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：DE102014106661

申请日：2014-05-12

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： BROWN SPYROS ,  CHAMBERLAIN TIM ,  HURWITZ JONATHAN EPHRAIM DAVID ,  GIEBELER CARSTEN

IPC: G06F3/01

Abstract: Eine Schalterbetätigungseinrichtung (100) zum Betätigen eines Schalters (103) durch vier mögliche Arten (111 bis 114) von nicht-taktilen Translationsgesten, die mit einem Wärme emittierenden Teil (115) auszuüben sind, weisen einen Gestensensor (1), der eingerichtet ist vom Teil (115) emittierte Wärme mittels mindestens vier nebeneinander angeordneter Pixel (21 bis 24) zu detektieren und pro Pixel (21 bis 24), die jeweils einen Dünnfilm aus pyroelektrischem Material aufweisen, ein Signal (51 bis 54) mit einem Signalausschlag (58) entsprechend dem zeitlichen Intensitätsverlauf der vom Dünnfilm des entsprechenden Pixels (21, 22, 23, 24) detektierten Wärme auszugeben, eine Signalauswerteeinheit (101), mit der aus dem zeitlichen Aufeinanderfolgen der Signalausschläge (58) die Ausübung einer der Arten (111 bis 114) der Translationsgesten ermittelbar ist, und einen Aktuator (104) auf, der von der Signalauswerteeinheit (101) angesteuert und, sobald die Ausübung einer der Arten (111 bis 114) der Translationsgesten ermittelt ist, den Schalter (103) betätigt, wobei vier der Pixel (21 bis 24) jeweils in einer der Ecken eines konvexen Vierecks (11) angeordnet sind, dessen eine der Diagonalen (12) im wesentlichen parallel zur Längsrichtung (31) und die andere Diagonale (13) im wesentlichen parallel zur Querrichtung (32) sind.

公开(公告)号：DE102013108280B3

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：DE102013108280

申请日：2013-08-01

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  CONWAY NEIL

IPC: H01L37/00 ,  B81C1/00 ,  G01J5/34 ,  H01L27/16

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Mikrosystems (1) mit Pixel, weisend die Schritte auf: Bereitstellen eines Siliziumwafers; Herstellen einer thermischen Siliziumoxidschicht an der Oberfläche des Siliziumwafers als eine Basisschicht (5) mit einer Dicke zwischen 200 nm und 1000 nm durch Oxidation des Siliziumwafers; Herstellen einer Siliziumoxiddünnschicht unmittelbar auf der Basisschicht (5) als eine Trägerschicht (6) mit einer Dicke von 100 nm bis 700 nm durch ein thermisches Abscheideverfahren; Herstellen einer Platinschicht unmittelbar auf der Trägerschicht (6) mit einem thermischen Abscheideverfahren mit einer Dicke von 40 nm bis 200 nm, wodurch ein Zwischenprodukt aufweisend den Siliziumwafer, die Basisschicht (5), die Trägerschicht (6) und die Platinschicht hergestellt wird; Abkühlen des Zwischenprodukts auf Raumtemperatur; pixelartige Strukturierung der Platinschicht durch Abtragen von überflüssigen Bereichen der Platinschicht, wodurch auf der Trägerschicht (5) von den verbleibenden Bereichen der Platinschicht pixelförmig Bodenelektroden (8, 12) der Pixel (7, 8) ausgebildet werden; Materialabtragung an der der Basisschicht (5) abgewandten Seite des Siliziumwafers, so dass ein Rahmen (3) verbleibt und von dem Rahmen (3) eine Membran (4) gebildet von der Basisschicht (5) und der Trägerschicht (6) aufgespannt wird; Fertigstellen des Mikrosystems (1).

公开(公告)号：RU2465685C2

公开(公告)日：2012-10-27

申请号：RU2009144002

申请日：2008-05-28

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  SCHREITER MATTHIAS ,  ZAPF JRG

IPC: G01J5/10 ,  H01L27/16

Abstract: Устройство (1) дляобнаружениятепловогоизлученияв видестопы (10) из: поменьшеймереоднойподложки (11) датчика, содержащейдатчик (111) дляпреобразованиятепловогоизлученияв электрическийсигнал; поменьшеймереоднойподложки (12) контурас поменьшеймереоднимсчитывающимконтуром (121, 122) длясчитыванияэлектрическогосигнала; поменьшеймереоднойкрышки (13), покрывающейдатчик; вкоторомдлякаждогоизуказанныхэлементов: крышка (13), подложка (12) иподложка (11) датчикаиспользуетсясоответствующаяпластина; причемподложкадатчикапомещенамеждуподложкойконтураи крышкой; причемуказаннаястопа (10) представляетсобойслоистуюструктуру; причемподложкадатчикаи крышкарасположеныдруготносительнодругатак, чтомеждудатчикомнаподложкеи крышкойимеетсяпоменьшеймереоднаперваяполость (14), ограниченнаяподложкойдатчикаи крышкой; подложкаконтураи подложкадатчикарасположеныдруготносительнодругатак, чтомеждунимиимеетсяпоменьшеймереоднавтораяполость (15), ограниченнаяэтимиподложками; перваяи/иливтораяполостивакуумированыиливыполненыс возможностьюихвакуумирования. Такжепредложенспособизготовленияуказанногоустройства. Устройствосогласноизобретениюиспользуютв датчикахдвижения, датчикахприсутствияи втепловизорах. Изобретениеобеспечиваетвозможностьсозданиякомпактногоустройствадляобнаружениятепловогоизлучения, котороеимеетуменьшенныепосравнениюс известнымигабариты. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил.

公开(公告)号：DE102007046451B4

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：DE102007046451

申请日：2007-09-28

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN DR ,  RETTIG UWE DR ,  SCHREITER MATTHIAS

IPC: H01L25/03 ,  G01J5/34 ,  H01L23/36 ,  H01L27/16 ,  H01L37/00

Abstract: Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung, mit einer auf einem Silizium-Substrat angeordneten Membran (101) und mindestens zwei Detektorelementen (11, 12), die jeweils zum Umwandeln von Wärmestrahlung in ein elektrisches Signal eingerichtet und auf der Membran (101) nebeneinander liegend angebracht sind, wobei auf der den Detektorelementen (11, 12) zugewandten Seite der Membran (100) mindestens eine Wärmeableitbahn (104) vorgesehen ist, die eine höhere Wärmeleitfähigkeit als die Membran (101) hat und mit den Detektorelementen (11, 12) via die Membran (101) thermisch leitend verbunden ist, so dass Wärme von den Detektorelementen (11, 12) mit der Wärmeableitbahn (104) abführbar ist, wodurch die Ansprechzeit der Detektorelemente (11, 12) niedrig ist, wobei die Wärmeleitbahn (104) von einer Dünnschicht gebildet ist, die auf der Membran (101) zwischen den Detektorelementen (11, 12) angeordnet ist und ausgelegt ist, um ein thermisches Übersprechen zu verhindern, und wobei in der Membran (101) integriert mindestens eine Wärmebarriere (105) vorgesehen ist, die eine niedrigere...

公开(公告)号：DE102010020348B3

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：DE102010020348

申请日：2010-05-12

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： CHAMBERLAIN TIMOTHY JOHN

IPC: G01J5/34

Abstract: Infrarotlichtdetektor mit mindestens einem Sensorchip (3, 4), der ein aus einem pyroelektrisch sensitiven Material hergestelltes Schichtelement (5, 8) sowie eine Basiselektrode (6, 9) und eine Kopfele (5, 8) zum Abgreifen von in dem Schichtelement (5, 8) durch deren Bestrahlung mit Licht (2) erzeugten elektrischen Signalen angeschlossen ist, und mindestens einem Transimpedanzverstärker (11, 12) zum Verstärken der Signale mit einem Operationsverstärker (19, 25), der mit einer Versorgungsspannungsquelle (13) mit einer positiven Versorgungsspannung asymmetrisch betrieben ist und an dessen invertierenden Eingang (21, 27) die Basiselektrode (6, 9) angeschlossen ist, wobei an der Versorgungsspannungsquelle (13) ein auf Masse (14) gelegter Spannungsteiler (15) mit einem Teilknoten (18) versehen ist, an dem eine Teilspannung anliegt, die kleiner als die Versorgungsspannung ist, und der mit dem nichtinvertierenden Eingang (20, 26) sowie der Kopfelektrode (7, 10) elektrisch gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102009001920B4

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：DE102009001920

申请日：2009-03-26

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： FREEBORN SCOTT

IPC: G01J1/42

公开(公告)号：DE102008053083A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：DE102008053083

申请日：2008-10-24

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN

IPC: G01J1/42 ,  G01J1/04 ,  H01L31/0232

Abstract: Ein Infrarotlichtdetektor weist ein erstes Substrat, das einen Sensorchip mit einer Bestrahlungsfläche aufweist, die mit Infrarotlicht bestrahlbar ist, das von dem Sensorchip in ein elektrisches Signal umwandelbar ist, und ein zweites Substrat auf, das ein Fenster aufweist, das unmittelbar benachbart zu der Bestrahlungsfläche angeordnet ist und eingereicht ist, Infrarotlicht von einer vorbestimmten Wellenlänge auszublenden, wobei die Abmaße des Fensters und dessen Abstand zur Bestrahlungsfläche derart dimensioniert sind, dass das von dem Fenster durchgelassene Infrarotlichtvollständig auf den Sensorchip trifft.

公开(公告)号：DE102007046451A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：DE102007046451

申请日：2007-09-28

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  RETTIG UWE ,  SCHREITER MATTHIAS

IPC: H01L25/03 ,  G01J5/34 ,  H01L23/36 ,  H01L37/00

公开(公告)号：AU2008256414A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：AU2008256414

申请日：2008-05-28

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： GIEBELER CARSTEN ,  SCHREITER MATTHIAS ,  ZAPF JORG

IPC: G01J5/34 ,  G01J5/10 ,  H01L27/16 ,  H01L31/0203

Abstract: In a device for the detection of thermal radiation and a method for production of such a device, a stack is formed with a detector support having a detector element for converting the thermal radiation into an electric signal, a circuit support with a read-out circuit for reading out the electrical signal and a cover to shield the detector element. The detector support and the cover are so arranged that a first stack cavity is formed between the detector element and the cover and a second stack cavity is formed between detector support and the circuit support. The first stack cavity and/or the second stack cavity is evacuated and hermetically sealed. In the manufacturing operation, functionalized silicon-substrates are stacked upon one another, firmly bonded together and subsequently sub-divided. Preferably, the detector elements are pyro-electric detector elements. The device finds application in motion detectors, presence reporters and thermal-image cameras.

公开(公告)号：AU2008256413A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：AU2008256413

申请日：2008-05-28

Applicant: PYREOS LTD

Inventor： PAULUS CHRISTIAN ,  SCHREITER MATTHIAS ,  GIEBELER CARSTEN

IPC: G01J5/04 ,  G01J5/10 ,  G01J5/22