公开(公告)号：KR1020040034169A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：KR1020020064252

申请日：2002-10-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하종호 ,  임정수 ,  강태진

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A boat cover of a high temperature oxide layer depositing equipment for manufacturing a semiconductor device is provided to be capable of guiding the flow of reaction gas for uniformly depositing a high temperature oxide layer on the entire surface of a semiconductor wafer. CONSTITUTION: A high temperature oxide layer depositing equipment includes a chamber, a gas supply part, and a boat inserted into the chamber. A boat cover(100) is used for enclosing the boat. The boat cover includes a gas supply nozzle(108) having a plurality of holes, wherein the hole is formed through the boat cover for supplying reaction gas to the semiconductor wafer. Preferably, a plurality of gas supply nozzles spaced apart from each other are used for the boat cover.

Abstract translation: 目的：提供用于制造半导体器件的高温氧化物层沉积设备的船盖，以能够引导用于在半导体晶片的整个表面上均匀沉积高温氧化物层的反应气体流。 构成：高温氧化物层沉积设备包括一个室，一个气体供应部分和一个插入该室的船。 船盖（100）用于封闭船。 船盖包括具有多个孔的气体供给喷嘴（108），其中通过船盖形成孔，用于向半导体晶片供应反应气体。 优选地，船形盖使用彼此间隔开的多个气体供给喷嘴。

公开(公告)号：KR100375985B1

公开(公告)日：2003-03-15

申请号：KR1020000047386

申请日：2000-08-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임정수 ,  문강욱 ,  손용운 ,  권흥안

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C30B25/105 ,  C30B31/12

Abstract: A wafer treatment apparatus includes a wafer heating device having a wafer-load region at an upper portion, a shower head opposing the wafer-load region for ejecting/directing a source gas toward the wafer surface, and a reflecting apparatus positioned between the shower head and the heating device for reflecting thermal energy radiated from the heating device back toward the wafer-load region. The reflecting apparatus includes a reflector positioned above and opposing the wafer-load region, and a supporter for supporting the reflector. The reflector may have a flattened reflecting surface facing toward the wafer-load region, or may be a semi-spherical type reflector having a concave mirror facing toward the wafer-load region. The reflector can be controlled to move vertically relative to the wafer.

Abstract translation: 一种晶片处理装置包括晶片加热装置和反射装置，所述晶片加热装置在上部具有晶片加载区域，与晶片加载区域相对的用于将源气体向晶片表面喷射/引导的喷头，以及位于喷头 以及用于将从加热装置辐射的热能反射回晶片加载区域的加热装置。 反射装置包括位于晶片加载区上方并与其相对的反射器，以及用于支撑反射器的支撑件。 反射器可以具有面向晶片加载区域的平坦反射表面，或者可以是具有面向晶片加载区域的凹面镜子的半球形反射器。 可以控制反射器相对于晶片垂直移动。

公开(公告)号：KR1020010090375A

公开(公告)日：2001-10-18

申请号：KR1020000015300

申请日：2000-03-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임정수 ,  박준식 ,  문강욱

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A wafer loading apparatus is provided to reduce particles formed on a wafer and to reduce the dispersion error of the wafer by preventing the movement of a particle source on the wafer and forming a space between the wafer and a susceptor. CONSTITUTION: The wafer loading apparatus comprises a susceptor(240) for transferring a heat of a heater to a wafer(220), a silicon cover(260) for covering the peripheral region of the susceptor(240), and a wafer holding plate(420) located on the susceptor(240) without coating the silicon cover(260). The wafer holding plate(420) has three-pins structure, so that the height of the upper surface of the wafer(220) is higher than that of the upper surface of the silicon cover(260).

Abstract translation: 目的：提供晶片装载装置，以减少晶片上形成的颗粒，并通过防止颗粒源在晶片上移动并在晶片和基座之间形成空间来减小晶片的色散误差。 构成：晶片装载装置包括用于将加热器的热传递到晶片（220）的基座（240），用于覆盖基座（240）的周边区域的硅覆盖物（260）和晶片保持板 420），而不涂覆硅覆盖物（260）。 晶片保持板（420）具有三针结构，使得晶片（220）的上表面的高度高于硅覆盖物（260）的上表面的高度。

公开(公告)号：KR1020000059698A

公开(公告)日：2000-10-05

申请号：KR1019990007505

申请日：1999-03-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임정수

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A reaction chamber and method for fabricating a semiconductor device is to allow a reflecting angle of a reflector for reflecting heat in the reaction chamber to be changed, thereby uniformly coating a film on a wafer. CONSTITUTION: A reaction chamber(100) for fabricating a semiconductor device comprises a wafer supporting portion, a heater(120) for radiating heat at a lower portion of the wafer supporting portion, and a reflector(150) for reflecting heat from the heater to supply the heat to an upper face of a wafer(130). The reflector is symmetric with respect to an axis so that left and right ends of the reflector are moved upward and downward. The axis is connected with a driving portion(160) for driving the reflector. A method for fabricating a semiconductor device using the reaction chamber comprises the steps of observing a thickness of a film coated on the wafer, and controlling an angle of the reflector so as for the film to be uniformly formed.

Abstract translation: 目的：用于制造半导体器件的反应室和方法是允许改变用于反射反应室中的热量的反射器的反射角，从而将膜均匀地涂覆在晶片上。 构成：用于制造半导体器件的反应室（100）包括晶片支撑部分，用于在晶片支撑部分的下部放热的加热器（120）和用于将来自加热器的热量反射到反射器 将热量供应到晶片（130）的上表面。 反射器相对于轴对称，使得反射器的左端和右端向上和向下移动。 轴与用于驱动反射器的驱动部分（160）连接。 使用反应室制造半导体器件的方法包括以下步骤：观察涂覆在晶片上的膜的厚度，并控制反射器的角度以使膜均匀地形成。

公开(公告)号：KR2020000002783U

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR2019980012720

申请日：1998-07-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임정수

IPC: E05D11/08

Abstract: 본 고안은 두 개의 부품을 서로 상대회전 가능하게 결합하는데 사용되는 힌지장치에 관한 것이다. 본 고안에 따른 힌지장치에 있어서는, 지지부재에 고무소재의 관부재가 끼워지고, 지지부재에 대해 회전 가능한 축부재의 외주에는 상기 관부재에 탄력적으로 밀착되는 판스프링들이 설치되며, 관부재와 판스프링들 사이의 마찰력에 의해서 지지부재에 대한 축부재의 임의의 회전이 억제될 수 있으므로 전체적인 구성이 단순화될 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990080110A

公开(公告)日：1999-11-05

申请号：KR1019980013115

申请日：1998-04-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임정수 ,  김홍근 ,  조종현 ,  안중일

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체 장치 및 이를 이용하는 방법에 관한 것으로, 특히 캐리어를 스테이지의 전면에서 후면으로 밀면서 캐리어를 고정시키는 반도체 장치의 캐리어 고정 장치 및 캐리어 고정 방법에 관한 것이다. 캐리어를 웨이퍼를 담는 캐리어를 놓는 스테이지와, 스테이지의 전면(前面)에 설치된 캐리어 고정 키 및 스테이지의 전단 상부에 설치되어 캐리어 고정 동작 시 캐리어 고정 키를 지지하는 지지대로 된 캐리어 고정부를 갖는 캐리어 고정 장치의 지지대와 캐리어 고정 키 사이의 스테이지 상에 올려놓는다. 캐리어 고정 키로 캐리어가 지지대에 의해 지지될 때 까지 캐리어를 스테이지 전면에서 후면으로 민다.

公开(公告)号：KR100212159B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019970008914

申请日：1997-03-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임정수

IPC: H01L27/02

Abstract: 본 발명은 출력전압 보상형 전송 게이트에 관한 것으로서, 특히 동일한 형이며 트랜지스터 크기가 다른 제 1 트랜지스터와 제 2 트랜지스터가 병렬로 접속하여 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터가 동시에 온되고 상기 제 2 트랜지스터가 상기 제 1 트랜지스터 보다 소정시간 늦게 오프되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 출력전압에 발생하는 오차전압의 크기를 최소화시킬 수 있어 아날로그 응용회로에 효과적으로 사용할 수 있다.

公开(公告)号：KR100156086B1

公开(公告)日：1998-12-15

申请号：KR1019960010979

申请日：1996-04-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임정수

IPC: H03L7/08

Abstract: 본 발명은 주파수 합성기(Frequency Synthesizer)에 있어서, 로우 패스 필터에서 만들어진 직류 전압에 의해 출력 주파수를 가변시켜 주는 전압 제어 발진기에 관한 것으로, 특히 인버터의 크기를 조절하여 발진 주파수를 조정하는 전압 제어 발진기에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은 전압 제어 발진기내의 인버터의 MOS 트랜지스터들의 폭의 비를 조절하여 트립 포인트 전압을 낮추므로써 충방전 시간을 줄여 발진 주파수를 조정한다.
따라서 본 발명은 원하는 높은 발진 주파수 신호를 얻을 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100129958B1

公开(公告)日：1998-10-01

申请号：KR1019940021081

申请日：1994-08-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이방원 ,  임정수 ,  권세영

IPC: H03G3/00

Abstract: 캐퍼시터를 이용한 아날로그 이득 조정기를 공개한다. 본 발명에 의한 아날로그 이득 조정기는 외부제어신호에 응답하여 소정의 클럭신호들을 발생하는 스위치 클럭 발생기와, 상기 클럭신호에 응답하여 그 자신의 출력단의 전압이 상승 또는 하강하는 입력부와, 상기 입력부의 출력단에 그 자신의 반전 입력단이 전기적으로 연결되고 그 자신의 비반전 입력단이 접지전압에 전기적으로 연결되는 연산증폭기와, 상기 연산증폭기의 반전 입력단과 연산증폭기의 출력단 사이에 직렬연결되는 제1스위치와 궤환캐퍼시터, 및 상기 연산증폭기의 반전 입력단과 상기 연산증폭기의 출력단을 전기적으로 연결하는 제2스위치를 구비하여, 작은 칩면적에도 불구하고 큰 이득을 얻을 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970072710A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019960010979

申请日：1996-04-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임정수

IPC: H03L7/08

Abstract: 본 발명은 주파수 합성기(Frequency Synthesizer)에 있어서, 로우 패스 필터에서 만들어진 직류 전압에 의해 출력 주파수를 가변시켜 주는 전압 제어 발진기에 관한 것으로, 특히 인버터의 크기를 조절하여 발진 주파수를 조정하는 전압 제어 발진기에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 전압 제어 발진기내의 인버터의 MOS 트랜지스터의 폭의 비를 조절하여 트립 포인트 전압을 낮춤으로써 충방전 시간을 줄여 발진 주파수를 조정한다. 따라서 본 발명은 원하는 높은 발진 주파수 신호를 얻을 수 있게 된다.