公开(公告)号：KR100250356B1

公开(公告)日：2000-04-01

申请号：KR1019970072452

申请日：1997-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용준 ,  문재호 ,  문창렬

IPC: B41J2/06

Abstract: PURPOSE: An ink injector of an ink jet printer is provided to simplify structure and to reduce a consumption amount of ink. CONSTITUTION: An ink injector of an ink jet printer comprises plural power; plural conductive beams forming each closed circuit and connecting to the power; a magnet installed on upper and lower parts of the conductive beams; and an ink chamber(14) forming a space between every conductive beam to contain ink. As the magnets (12,13) are prepared on the upper and lower parts of the plural beams(11,11'), a current is flowed to the beam so that an electromagnetic force is generated in the rectilinear direction of the magnet. Thus, each beam is deflected to the left or the right according to the direction of a current flow. Further, the ink contained between the beams is discharged to a front part.

Abstract translation: 目的：提供喷墨打印机的墨水喷射器以简化结构并减少墨水的消耗量。 构成：喷墨打印机的喷墨打印机具有多个功率; 形成每个闭合电路并连接到电源的多个导电波束; 安装在导电梁的上部和下部的磁体; 以及在每个导电束之间形成容纳墨水的墨室（14）。 当在多个梁（11,11'）的上部和下部准备磁体（12,13）时，电流流向光束，从而在磁体的直线方向产生电磁力。 因此，每个光束根据电流的方向偏向左或右。 此外，容纳在梁之间的油墨被排出到前部。

公开(公告)号：KR101872777B1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：KR1020120019752

申请日：2012-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고승필 ,  김은정 ,  김용준

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

Abstract: 콘택형성방법및 이를이용한상변화메모리장치의제조방법이제공된다. 상기콘택형성방법은기판상에, 제1 방향의제1 측벽및 상기제1 방향과수직인제2 방향의제2 측벽을갖는다수의콘택홀를포함하는절연막패턴을형성하고, 상기콘택홀내에반도체패턴을형성하고, 상기반도체패턴및 상기제1 측벽의측면상에상기반도체패턴의일부를노출시키는분리스페이서를형성하고, 상기분리스페이서를이용하여상기노출된반도체패턴을식각하여다수개의반도체패턴으로분리하는것을포함한다.

公开(公告)号：KR101679358B1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：KR1020090075334

申请日：2009-08-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 은희석 ,  김종한 ,  김재홍 ,  채동혁 ,  송승환 ,  유한웅 ,  공준진 ,  이영환 ,  조경래 ,  김용준

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C11/5642

Abstract: 플래시메모리장치, 이의프로그램방법및 독출방법이개시된다. 발명의실시예에따른 N(N은 2 이상의자연수) 비트멀티-레벨셀 플래시메모리장치는, 프로그램명령또는독출명령에응답하여, 상기멀티-레벨셀 플래시메모리장치의메모리셀 어레이로데이터의제1 내지제N 비트를프로그램하거나, 상기메모리셀 어레이로부터데이터의제1 내지제N 비트를독출하는것을제어하는제어로직; 및상기데이터의제1 내지제N 비트에대한프로그램또는독출이완료되면, 제어신호에응답하여, 상기데이터의 N+1번째비트에대한프로그램또는독출을수행하는비트레벨변환제어회로를구비한다. 이때, 상기비트레벨변환제어회로는, 상기데이터의제1 내지제N 비트에대한프로그램또는독출에사용되는전압의전압레벨을변경하여, 상기데이터의 N+1번째비트에대응되는 2개의셀 산포들중 2개의셀 산포들에대하여프로그램또는독출한후, 나머지 2개의셀 산포들에대하여프로그램또는독출한다.

Abstract translation: 闪存器件包括控制逻辑电路和位电平转换逻辑电路。 控制逻辑电路对N位MLC闪速存储器件的存储单元阵列中的第一到第N位数据进行编程，或响应于程序命令和程序命令之一从存储单元阵列中读取数据的第一至第N位 读命令。 在数据的第一至第N位被完全编程或读取之后，位电平转换控制逻辑电路响应于控制信号编程或读取数据的第（N + 1）位。 位电平转换控制逻辑电路转换用于编程或读取数据的第一至第N位的电压电平，以对与第（N + 1）个对应的2N + 1个单元分布的2N个单元分布进行编程或读取 ）位，然后编程或读取其他2N个单元分布。

公开(公告)号：KR101678915B1

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：KR1020100135623

申请日：2010-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정정수 ,  김용준 ,  손홍락 ,  공준진

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10

CPC classification number: G06F12/0246

Abstract: 본발명은플래시메모리장치에관한것이다. 본발명의실시예에따른플래시메모리장치는데이터를저장하는메모리셀 어레이, 랜더마이저및 제어로직회로를포함한다. 상기랜더마이저는랜덤시퀀스를발생하고, 상기메모리셀 어레이에프로그램될데이터에대한메모리파라미터들중 적어도하나를이용하여상기랜덤시퀀스를인터리브하며(interleave), 상기인터리브된시퀀스를이용하여상기프로그램될데이터를랜덤화한다(randomize). 상기제어로직회로는상기메모리파라미터들을상기랜더마이저에제공하고, 상기랜더마이저를제어한다.

公开(公告)号：KR101650130B1

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：KR1020100045521

申请日：2010-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용준 ,  손홍락 ,  최성혁 ,  공준진 ,  임용태 ,  김재홍 ,  조경래 ,  장우태

IPC: G06F11/10 ,  H03M13/11 ,  H03M13/13 ,  H03M13/15 ,  H03M13/29 ,  H03M13/00 ,  G11C16/06 ,  G06F13/16 ,  G06F12/16

CPC classification number: G06F11/106 ,  H03M13/1102 ,  H03M13/136 ,  H03M13/152 ,  H03M13/155 ,  H03M13/2909 ,  H03M13/618

Abstract: 본발명에따른저장장치는, 소스영역으로부터의독출데이터를출력하는불휘발성메모리장치, 및상기독출데이터에포함되는복수의벡터들각각에대한에러정정부호(ECC) 연산을수행하여상기불휘발성메모리장치의타깃영역으로기입하는메모리컨트롤러를포함하되, 상기메모리컨트롤러는상기에러정정부호(ECC) 연산시플래그비트없이상기복수의벡터들중 클린영역에대응하는벡터를디코딩패스(Decoding pass)로처리한다.

公开(公告)号：KR1020140147367A

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：KR1020130070471

申请日：2013-06-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용준 ,  이길호 ,  김기준 ,  손명수

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76807

Abstract: Provided is a manufacturing method of a semiconductor device which forms; a mold layer on a substrate; a first damascene mask layer and a first mask layer on the mold layer; a first mask layer pattern by etching the first mask layer; a first damascene pattern by etching the first damascene mask layer partially by using the first mask layer pattern; a second damascene mask layer on the first mask layer pattern to bury the first damascene pattern; and a second damascene pattern which is overlapped with the first damascene pattern partially by etching the second damascene mask layer and the first mask layer pattern. The manufacturing method of the semiconductor device connects the first damascene pattern and the second damascene pattern by eliminating a portion of the first mask pattern which is exposed by the second damascene pattern and forms a third damascene pattern on the second damascene mask layer to bury the second damascene pattern and forms a trench extended from the first and second damascene patterns by etching the third, second, and first damascene mask layers, and the mold layer by using the residual first mask layer pattern.

Abstract translation: 提供一种形成半导体器件的制造方法; 基底上的模具层; 模具层上的第一镶嵌掩模层和第一掩模层; 通过蚀刻第一掩模层的第一掩模层图案; 通过使用第一掩模层图案部分地蚀刻第一镶嵌掩模层的第一镶嵌图案; 在第一掩模层图案上的第二镶嵌掩模层以埋藏第一镶嵌图案; 以及通过蚀刻第二镶嵌掩模层和第一掩模层图案部分地与第一镶嵌图案重叠的第二镶嵌图案。 半导体器件的制造方法通过消除由第二镶嵌图案暴露的第一掩模图案的一部分并在第二镶嵌掩模层上形成第三镶嵌图案来连接第一镶嵌图案和第二镶嵌图案，以将第二镶嵌图案 通过使用残留的第一掩模层图案蚀刻第三，第二和第一镶嵌掩模层和模具层，形成从第一和第二镶嵌图案延伸的沟槽。

公开(公告)号：KR101466695B1

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020080040877

申请日：2008-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용준 ,  김재홍 ,  조경래 ,  공준진 ,  이기준 ,  정하봉 ,  최근성

IPC: H04L27/26

CPC classification number: H03M13/451 ,  G06F11/1072

Abstract: 멀티비트레벨데이터의부호화및 복호화방법이개시된다. 상기멀티비트레벨데이터의부호화방법은전송심볼에따라발생될수 있는오류패턴의범위를결정하는결정단계; 및상기오류패턴의범위에기초하여상기전송심볼과상응하는 P(P는 2이상의자연수)비트레벨중에서 M(M은상기 P보다작은자연수) 비트레벨은부호화하고 (P-M) 비트레벨은부호화하지않는단계를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR101425020B1

公开(公告)日：2014-08-04

申请号：KR1020080024415

申请日：2008-03-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재홍 ,  은희석 ,  김용준 ,  공준진 ,  송승환

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G06N99/005

Abstract: 메모리 장치 및 데이터 판정 방법이 제공된다. 본 발명의 메모리 장치는 메모리 셀 어레이, 및 상기 메모리 셀 어레이로부터 제1 채널을 경유하여 제1 데이터를 읽고, 상기 제1 채널의 특성에 기초하여 설정된 제1 개수의 판정 레벨을 이용하여 상기 제1 데이터를 경판정 또는 연판정하고, 상기 메모리 셀 어레이로부터 제2 채널을 경유하여 제2 데이터를 읽고, 상기 제2 채널의 특성에 기초하여 설정된 제2 개수의 판정 레벨을 이용하여 상기 제2 데이터를 연판정하는 판정부를 포함하며, 이를 통해 메모리 장치의 데이터를 읽고 쓸 때의 오류 비율을 줄일 수 있다.
멀티 비트 셀, 멀티 레벨 셀, ECC, Error Control Coding, soft decision, 연판정

公开(公告)号：KR101398200B1

公开(公告)日：2014-05-26

申请号：KR1020080024930

申请日：2008-03-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용준 ,  김재홍 ,  공준진

IPC: G11C29/42

CPC classification number: H03M13/2903 ,  G06F11/1072 ,  H03M13/29 ,  H03M13/353

Abstract: 메모리 장치 및 인코딩/디코딩 방법이 제공된다. 본 발명의 메모리 장치는 메모리 셀 어레이, 상기 메모리 셀 어레이로부터 읽은 제1 코드워드에는 상기 제1 코드워드를 읽은 제1 채널의 특성에 기초하여 선택된 제1 디코딩 기법을 적용하여 상기 제1 코드워드를 오류 제어 코드(ECC) 디코드하고, 상기 메모리 셀 어레이로부터 읽은 제2 코드워드에는 상기 제2 코드워드를 읽은 제2 채널의 특성에 기초하여 선택된 제2 디코딩 기법을 적용하여 상기 제2 코드워드를 오류 제어 코드(ECC) 디코드하는 내부 디코더, 및 상기 오류 제어 코드 디코드된 제1 코드워드 및 상기 오류 제어 코드 디코드된 제2 코드워드를 외부 디코딩 기법을 적용하여 오류 제어 코드 디코드하는 외부 디코더를 포함하며, 이를 통해 메모리 장치의 데이터를 읽고 쓸 때의 오류 비율을 줄일 수 있다.
멀티 비트 셀, 멀티 레벨 셀, Error Control Coding (ECC), Multi-level Coding

公开(公告)号：KR101378602B1

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：KR1020080044146

申请日：2008-05-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조경래 ,  김용준 ,  송승환 ,  공준진

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/12 ,  G11C16/10 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C2211/5621

Abstract: 메모리장치및 메모리프로그래밍방법이제공된다. 본발명의메모리장치는복수의멀티비트셀들을포함하는멀티비트셀 어레이, 상기복수의멀티비트셀들에제1 데이터페이지를프로그램하고, 상기제1 데이터페이지가프로그램된멀티비트셀들에제2 데이터페이지를프로그램하는프로그래밍부, 상기제1 데이터페이지가프로그램된멀티비트셀들을제1 그룹및 제2 그룹으로분할하는제1 제어부, 및제1 읽기전압레벨들및 상기제2 데이터페이지에기초하여상기제1 그룹의멀티비트셀들각각의목표문턱전압구간을설정하고, 제2 읽기전압레벨들및 상기제2 데이터페이지에기초하여상기제2 그룹의멀티비트셀들각각의목표문턱전압구간을설정하는제2 제어부를포함하며, 이를통해데이터프로그래밍시의오류를줄일수 있다.