公开(公告)号：WO2019076900A1

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：PCT/EP2018/078253

申请日：2018-10-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RÜGHEIMER, Tilman ,  HALBRITTER, Hubert

IPC: H01L25/16

Abstract: Halbleiterbauteil umfassend - einen ersten Halbleiterkörper (1) mit einem Substrat (10), das eine erste Dicke hat, sowie - einen zweiten Halbleiterkörper (2), die eine zweite Dicke geringer als die erste Dicke hat, eine Abrissstelle (40) aufweist, auf dem Substrat (10) angeordnet und elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterkörper(1) verbunden ist.

公开(公告)号：WO2019057610A1

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：PCT/EP2018/074815

申请日：2018-09-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN, Roland Heinrich ,  ZINI, Lorenzo ,  MICHAELIS, Benjamin ,  HUPPMANN, Sophia ,  HOLLAND, Brendan ,  HALBRITTER, Hubert

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauteilen (25) angegeben mit den Schritten: • - Bereitstellen eines Trägers (11) mit einer Haupterstreckungsebene, • - Aufbringen von mindestens zwei Halbleiterchips (10) auf den Träger (11), • - Erzeugen von Bruchkeimen (12) im Träger (11), die entlang mindestens einer Trennachse (13) angeordnet sind, welche parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) verläuft, • - Aufbringen des Trägers (11) auf eine Folie, wobei die Folie an der den Halbleiterchips (10) abgewandten Seite des Trägers (11) angeordnet ist, • - Vereinzeln der mindestens zwei Halbleiterchips (10) und des Trägers (11) durch Expandieren der Folie in lateralen Richtungen (x), welche parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) sind, wobei • - der Träger (11) entlang mindestens einer Trennebene (14) zertrennt wird, welche von einer vertikalen Richtung (z) und der Trennachse (13) aufgespannt wird, wobei die vertikale Richtung (z) senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) ist, und • - in den Träger (11) mindestens eine elektrisch isolierende Isolationsschicht (15) eingebracht ist, welche sich parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) erstreckt. Außerdem wird ein Halbleiterbauelement (25) angegeben.

公开(公告)号：WO2019029985A1

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：PCT/EP2018/070029

申请日：2018-07-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  HALBRITTER, Hubert ,  BRICK, Peter ,  PERÄLÄ, Mikko

IPC: H04N13/351 ,  H04N13/302 ,  H04N13/194

Abstract: In einer Ausführungsform werden mit den Verfahren mit einer autostereoskopischen Anzeigevorrichtung (1) Bilder und/oder Filme angezeigt. Die Anzeigevorrichtung (1) weist mindestens 100 x 70 Bildpunkte (2) zur dreidimensionalen Darstellung der Bilder und/oder Filme auf. Jeder der Bildpunkte (2) bedient mindestens N Abstrahlrichtungen (R) und weist dazu mindestens N Subpixel (3) auf. N ist eine natürliche Zahl größer oder gleich 12. Für jede Abstrahlrichtung (R) wird ein Teilbild ausgesandt, dass aus dem zu dieser Abstrahlrichtung (R) gehörigen Subpixeln (3) aller Bildpunkte (2) zusammengesetzt wird. Ansteuerdaten für zumindest einige der Subpixel (3) werden mittels eines Datenkompressionsalgorithmus, insbesondere einer Delta-Kodierung, an die Anzeigevorrichtung (1) übertragen.

公开(公告)号：WO2019025442A1

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：PCT/EP2018/070736

申请日：2018-07-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRICK, Peter ,  HALBRITTER, Hubert ,  PERÄLÄ, Mikko ,  SINGER, Frank

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/167

Abstract: Es wird ein lichtemittierender Halbleiterchip (1) mit einer Emissionsfläche (1a) angegeben, welche mit einer Vielzahl von ersten Emissionsbereichen (10) und zweiten Emissionsbereichen (20) gebildet ist. Die ersten Emissionsbereiche (10) und die zweiten Emissionsbereiche (20) sind dazu eingerichtet Licht (L) eines vorgebbaren Farbortes zu emittieren. Die die ersten und zweiten Emissionsbereiche (10, 20) sind separat voneinander ansteuerbar und sind in einer ersten Ebene (E1) nebeneinander angeordnet. Alle zweiten Emissionsbereiche (20) bilden zumindest einen Teil einer Außenkante (101, 102, 103, 104) der Emissionsfläche (1a) und erste Emissionsbereiche (10) weisen entlang zumindest einer Richtung, die in der ersten Ebene (E1) liegt, eine geringere Ausdehnung als zweite Emissionsbereiche (20) auf.

公开(公告)号：WO2018220062A3

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：PCT/EP2018/064274

申请日：2018-05-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER, Frank ,  HALBRITTER, Hubert

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/183 ,  H01S5/028 ,  H01S5/042

Abstract: Laserdiode (1) umfassend - einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser (10), welcher dazu eingerichtet ist elektromagnetische Strahlung (E) zu emittieren, und - ein optisches Element (20), welches dem Halbleiterlaser (10) in einer Abstrahlrichtung (L) nachgeordnet ist, wobei - das optische Element (20) eine diffraktive Struktur (200) oder eine Meta-Optik-Struktur (200) oder eine Linsenstruktur (200) umfasst, und - das optische Element (20) und der Halbleiterlaser (10) stoffschlüssig miteinander verbunden sind.

公开(公告)号：WO2018192882A1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/EP2018/059687

申请日：2018-04-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN, Roland Heinrich ,  HALBRITTER, Hubert ,  BRÖLL, Markus

IPC: H01S5/022

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Laserbarren oder von Halbleiterlasern angegeben, bei dem ein Trägerverbund zur Bildung einer Mehrzahl von Trägern für die Laserbarren oder für die Halbleiterlaser bereitgestellt wird. Es wird zudem ein Halbleiterkörperverbund bereitgestellt, der ein gemeinsames Substrat und eine darauf aufgewachsene gemeinsame Halbleiterschichtenfolge umfasst. Eine Mehrzahl von Trenngräben wird durch die gemeinsame Halbleiterschichtenfolge hindurch erzeugt, sodass der Halbleiterkörperverbund in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern unterteilt wird. Der Halbleiterkörperverbund wird auf dem Trägerverbund derart angebracht, dass die Trenngräben dem Trägerverbund zugewandt sind. Das gemeinsame Substrat wird gedünnt oder von der Halbleiterschichtenfolge entfernt. Der Trägerverbund wird in eine Mehrzahl von Trägern vereinzelt, wobei mehrere Halbleiterkörper auf einem der Träger angeordnet sind und wobei die auf einem gemeinsamen Träger angeordneten Halbleiterkörper durch die Trenngräben voneinander lateral beabstandet sind. Des Weiteren wird ein Halbleiterlaser oder eine Laserbarren angegeben, der durch ein solches Verfahren herstellbar ist.

公开(公告)号：WO2018162560A2

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：PCT/EP2018/055610

申请日：2018-03-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRICK, Peter ,  HALBRITTER, Hubert ,  PERÄLÄ, Mikko

IPC: G02B27/22 ,  G02B27/10

Abstract: 3D-Anzeigelement (1) umfassend - ein lichtemittierendes Bauteil (10), welches dazu eingerichtet ist Licht (L) zu emittieren, und - eine optische Anordnung (20), die dazu eingerichtet ist das Licht (L) zu beeinflussen, wobei - das lichtemittierende Bauteil eine Vielzahl von Tripletts (100) mit jeweils einem ersten (101), einem zweiten (102) und einem dritten (103) lichtemittierenden Bereich umfasst, - die Tripletts (100) in einer ersten lateralen Ebene (E1) nebeneinander angeordnet sind, - die Bereiche (101, 102, 103) in der ersten lateralen Ebene (E1) nebeneinander angeordnet sind, - die optische Anordnung (20) durchlaufendes Licht (L) zueinander benachbarter Triplets (100) divergiert, und - die optische Anordnung (20) durchlaufendes Licht (L) eines Tripletts durchmischt.

公开(公告)号：WO2018138077A1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：PCT/EP2018/051554

申请日：2018-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERÄLÄ, Mikko ,  QUEREN, Désirée ,  HALBRITTER, Hubert

IPC: A61B5/1455 ,  A61B5/00

CPC classification number: A61B5/14552 ,  A61B5/6826 ,  A61B2562/046

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Sensor zur Erfassung einer Herz- frequenz und/oder eines Blutsauerstoffgehalts mit einer Strahlungsquelle und einem Photodetektor, wobei die Strah- lungsquelle ein Leuchtdioden-Array aufweist. Das Leuchtdio- den-Array weist mehrere Emissionsbereiche auf, die jeweils eine erste Leuchtdiode und eine zweite Leuchtdiode aufweisen. Die erste Leuchtdiode weist eine erste Wellenlänge auf. Die zweite Leuchtdiode weist eine zweite Wellenlänge auf. Der Ab- stand der ersten Leuchtdiode und der zweiten Leuchtdiode in- nerhalb der Emissionsbereiche beträgt 100 Mikrometer oder we- niger.

公开(公告)号：WO2018114812A1

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：PCT/EP2017/083328

申请日：2017-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÜLLER, Martin ,  HALBRITTER, Hubert

IPC: H01S5/022

Abstract: In einer Ausführungsform ist der Halbleiterlaser (1) oberflächenmontierbar und umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Laserstrahlung (L) eingerichteten Erzeugungsbereich (22) zwischen einer p-Seite (p) und einer n-Seite (n) beinhaltet. Weiterhin umfasst der Halbleiterlaser zwei Kontaktflächen (31, 32) zur externen elektrischen Kontaktierung der p-Seite (p) und der n-Seite (n). Dabei ist der Erzeugungsbereich (22) dazu eingerichtet, gepulst mit zeitweisen Stromdichten von mindestens 30 A/mm 2 betrieben zu werden. Die Kontaktflächen (31, 32) befinden sich an derselben Seite der Halbleiterschichtenfolge (2) in einer gemeinsamen Ebene, sodass der Halbleiterlaser (1) bonddrahtfrei kontaktierbar ist.

公开(公告)号：WO2018041944A2

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：PCT/EP2017/071861

申请日：2017-08-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  ARZBERGER, Markus

IPC: G02B27/09 ,  G02B27/20 ,  H01S3/00 ,  G02B19/00

CPC classification number: G02B19/0052 ,  G02B27/0905 ,  G02B27/0944 ,  G02B27/20 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/58

Abstract: Eine elektromagnetische Anordnung zur Erzeugung eines Lichtmusters umfasst einen Superlumineszenzdiodenchip und ein diffraktives optisches Element, das ausgebildet ist, aus von dem Superlumineszenzdiodenchip abgestrahlter elektromagnetischer Strahlung ein Lichtmuster zu erzeugen.

Abstract translation: 用于产生光图案的电磁布置包括超发光二极管芯片和衍射光学元件，该衍射光学元件被设计为从超发光二极管芯片发射的电磁辐射产生光图案