公开(公告)号：WO0146066A3

公开(公告)日：2002-04-04

申请号：PCT/DE0004454

申请日：2000-12-14

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  REICHENBACH FRANK ,  PINTER STEFAN ,  HENNING FRANK ,  ARTMANN HANS ,  BAUMANN HELMUT ,  LAERMER FRANZ ,  OFFENBERG MICHAEL ,  BISCHOPINK GEORG

Inventor： REICHENBACH FRANK ,  PINTER STEFAN ,  HENNING FRANK ,  ARTMANN HANS ,  BAUMANN HELMUT ,  LAERMER FRANZ ,  OFFENBERG MICHAEL ,  BISCHOPINK GEORG

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/08

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2207/095 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: According to the invention, the cover (13) of the inventive sensor is made of a first layer (32) (deposition layer) which is transparent to an etching to reaction products and has a hermetically sealed second layer (34) (sealing layer) located thereover. In the method according to the invention, at least the sensor chamber (28) is located in the base wafer (11) is filled with an oxide (30), in particular CVD oxide or porous oxide after a structure (26) has been established. The sensor chamber (28)is covered with a first layer (32) in particular a polysilicon layer which is or has been made transparent to the etching medium and the reaction products (deposition layer). The oxide (30) in the sensor chamber (28) is removed by an etching medium which etches through the deposition layer (32). A second layer (34) (sealing layer) is subsequently applied to the deposition layer (32) which hermetically seals the sensor chamber (28). Said second layer is in particular made of a metal or an insulator.

Abstract translation: 据设想，在本发明的传感器，由透明的盖（13）的蚀刻介质和反应产物中的第一层（32）（分离层）和上覆的气密地密封的第二层（34）（密封层），并且本发明的方法 至少在基底晶片（11）建立结构之后（26），现有的传感器腔室（28）填充有具有氧化物（30），特别是CVD氧化物或多孔氧化物，所述传感器室（28），一个用于蚀刻介质和反应产物 透明或随后作出透明的第一层（32）（分离层），特别是多晶硅，被覆盖，这是在所述传感器室（28）通过所述分离层（32）的氧化物（30）通过蚀刻介质和随后的第二层（去世 由金属或绝缘体（在沉积层32上）的34）（密封层），特别是施加到浅草 rraum（28）气密地密封。

公开(公告)号：WO2017012748A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/EP2016/061717

申请日：2016-05-24

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： LASSL, Andreas ,  KUHLMANN, Burkhard ,  HATTASS, Mirko ,  HOEPPNER, Christian ,  SCHMIDT, Benjamin ,  BALSLINK, Thorsten

IPC: G01C19/5747

CPC classification number: G01C19/5747 ,  B81B3/0054 ,  B81B2201/0228 ,  G01C19/5712 ,  G01C19/5726 ,  G01C19/5762

Abstract: Es wird ein Drehratensensor mit einem Substrat mit einer Haupterstreckungsebene und mit mindestens einer gegenüber dem Substrat beweglichen ersten Struktur und mit mindestens einer gegenüber dem Substrat und gegenüber der ersten Struktur beweglichen zweiten Struktur vorgeschlagen, wobei der Drehratensensor mindestens eine erste Antriebsstruktur zur Auslenkung der ersten Struktur aus einer Ruhelage der ersten Struktur mit einer Bewegungskomponente im Wesentlichen parallel zu einer ersten Achse umfasst, wobei der Drehratensensor mindestens eine zweite Antriebsstruktur zur Auslenkung der zweiten Struktur aus einer Ruhelage der zweiten Struktur mit einer Bewegungskomponente im Wesentlichen parallel zu der ersten Achse umfasst, wobei die erste Struktur und die zweite Struktur zu einer im Wesentlichen gegenphasigen Schwingung mit Bewegungskomponenten im Wesentlichen parallel zu der ersten Achse anregbar sind, wobei die erste Antriebsstruktur mindestens eine an dem Substrat befestigte erste Feder derart aufweist, dass die erste Feder einem Verschwenken der ersten Struktur im Wesentlichen um eine zu einer senkrecht zu der Haupterstreckungsebene verlaufenden zweiten Achse parallel verlaufende Achse entgegenwirkt, wobei die zweite Antriebsstruktur mindestens eine an dem Substrat befestigte zweite Feder derart aufweist, dass die zweite Feder einem Verschwenken der zweiten Struktur im Wesentlichen um eine zu der zweiten Achse parallel verlaufende weitere Achse entgegenwirkt.

Abstract translation: 它至少建议一个相对的衬底和第一结构可移动的第二结构相反，具有具有主延伸平面，并且具有至少一个基片可移动的第一结构对面和衬底的横摆率传感器，其中至少一个第一驱动结构的用于第一结构的偏转旋转率传感器 包括用一个移动分量与第一结构的一个静止位置基本上平行于第一轴线，旋转速度传感器包括用于从与一个移动分量与第二结构的一个静止位置，所述第二结构的偏转至少一个第二驱动器结构，其基本上平行于所述第一轴线，其中所述第一 结构和第二结构，以基本上反相振荡运动部件基本平行于所述第一轴线能够被激发，其中，所述第一驱动结构的至少一个固定到基板只 ，E菲德具有这样一种方式，第一弹簧反作用于第一结构的枢转大致到的平面垂直于所述第二轴线平行于所述轴线延伸，其中所述第二驱动器结构包括至少一个固定于所述基底的第二弹簧，以使第二主延伸平面 弹簧反作用于第二结构的枢转基本上是一个平行于另一个轴线延伸的第二轴线。

公开(公告)号：WO2016192372A1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：PCT/CN2015/097314

申请日：2015-12-14

Applicant: 歌尔声学股份有限公司

Inventor： 郑国光

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00269 ,  G01L9/12 ,  G01L19/04 ,  G01P15/125

Abstract: 一种MEMS压力传感器、MEMS惯性传感器集成结构，第一下电极（3a）与第一上电极(4a)构成气压敏感型电容器，第二下电极(3b)与第二上电极(4b)构成基准电容器，惯性敏感结构(4c)与固定极板构成惯性检测电容器，盖体（8）将惯性检测电容器封装在衬底上。该集成结构，将MEMS惯性传感器和MEMS压力传感器集成在同一衬底上，通过一次封装，即可完成整个芯片的封装，降低了芯片封装的成本。

公开(公告)号：WO2016024064A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：PCT/FR2015/052183

申请日：2015-08-07

Applicant: TRONIC'S MICROSYSTEMS

Inventor： BOILLOT, François-Xavier

IPC: B81B3/00 ,  G01P15/12

CPC classification number: B81B3/0094 ,  B81B2201/0228 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0831

Abstract: Dispositif micro-électromécanique réalisé dans un substrat semi-conducteur et comprenant au moins une masse principale (1) apte à se déplacer en rotation autour d'un axe de rotation (4) parallèle au plan du substrat sous l'effet d'une première sollicitation mécanique. Le dispositif comprend en outre au moins un ensemble mécanique de détection formé: -d'une masse intermédiaire (51, 52) reliée à une zone d'ancrage (2) via des moyens de liaison (61, 62) mécanique, autorisant un déplacement de la masse intermédiaire (51, 52) parallèlement au plan du substrat sous l'effet d'une deuxième sollicitation mécanique induisant un déplacement du dispositif suivant un axe X parallèle au plan du substrat et perpendiculaire à l'axe de rotation (4);et -d'une jauge de contraintes (71, 72) solidarisée à la masse principale (1) via un premier point d'attache (711, 721)et solidarisée à la masse intermédiaire (51, 52) via un second point d'attache (712, 722), les déplacements du premier point d'attache (711, 721)et du second point d'attache (712, 722) étant de directions sensiblement identiques et d'amplitudes différentes sous l'effet de la première sollicitation, et de directions sensiblement identiques et d'amplitudes sensiblement égales sous l'effet de la deuxième sollicitation.

Abstract translation: 微电子机械装置由半导体衬底制成并且包括至少一个能够施加的第一机械力的作用下能平行于衬底的平面旋转的旋转轴线（4）的主质量块（1）。 所述装置还包括至少一个机械检测组件，所述机械检测组件通过以下方式形成： - 经由机械连接装置（61,62）连接到锚定区域（2）的中间质量块（51,52），允许中间质量块（51,52） 在施加的第二机械力的作用下平行于基板的平面，引起装置沿着平行于基板的平面并垂直于旋转轴线（4）的轴线X移动; 和经由第一附接点（711,721）固定到所述主质量块（1）上并经由第二连接点（712,722）固定到所述中间质量块（51,52）的应变计（71,72） 第一连接点（711,721）和第二连接点（712,722）的移动在施加的第一力的作用下具有不同振幅的基本上相同的方向，并且在基本相同的方向上具有基本相等的振幅 在第二次施加力的作用下。

公开(公告)号：WO2014100497A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/US2013/076725

申请日：2013-12-19

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  FEYH, Ando ,  CHEN, Po-jui ,  ULM, Markus

Inventor： FEYH, Ando ,  CHEN, Po-jui ,  ULM, Markus

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0228 ,  B81C1/00134 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0771

Abstract: A semiconductor device includes a substrate, a first dielectric layer located above the substrate, a moving-gate transducer, and a proof mass. The moving-gate transducer is at least partially formed within the substrate and is at least partially formed within the first dielectric layer. The proof mass includes a portion of the first dielectric layer and a portion of a silicon layer. The silicon layer is located above the first dielectric layer.

Abstract translation: 半导体器件包括衬底，位于衬底上方的第一介电层，移动栅极换能器和校验块。 移动栅极换能器至少部分地形成在衬底内并且至少部分地形成在第一介电层内。 检测质量包括第一电介质层的一部分和硅层的一部分。 硅层位于第一介电层的上方。

公开(公告)号：WO01046066A2

公开(公告)日：2001-06-28

申请号：PCT/DE2000/004454

申请日：2000-12-14

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  B81C5/00

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2207/095 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: According to the invention, the cover (13) of the inventive sensor is made of a first layer (32) (deposition layer) which is transparent to an etching to reaction products and has a hermetically sealed second layer (34) (sealing layer) located thereover. In the method according to the invention, at least the sensor chamber (28) is located in the base wafer (11) is filled with an oxide (30), in particular CVD oxide or porous oxide after a structure (26) has been established. The sensor chamber (28)is covered with a first layer (32) in particular a polysilicon layer which is or has been made transparent to the etching medium and the reaction products (deposition layer). The oxide (30) in the sensor chamber (28) is removed by an etching medium which etches through the deposition layer (32). A second layer (34) (sealing layer) is subsequently applied to the deposition layer (32) which hermetically seals the sensor chamber (28). Said second layer is in particular made of a metal or an insulator.

Abstract translation: 本发明涉及与至少一个微机械结构的传感器基于硅，其被集成到基底晶片的传感器区域，并且在覆盖传感器空间覆盖的区域和用于制造传感器的方法中的基底晶片的至少其中之一。 据设想，在本发明的传感器，由透明的盖（13）的蚀刻介质和反应产物中的第一层（32）（分离层）和上覆的气密地密封的第二层（34）（密封层），并且本发明的方法 至少在基底晶片（11）建立结构之后（26），现有的传感器腔室（28）填充有具有氧化物（30），特别是CVD氧化物或多孔氧化物，所述传感器室（28），一个用于蚀刻介质和反应产物 透明或随后作出透明的第一层（32）（分离层），特别是多晶硅，被覆盖，这是在所述传感器室（28）通过所述分离层（32）的氧化物（30）通过蚀刻介质和随后的第二层（去世 由金属或绝缘体（在沉积层32上）的34）（密封层），特别是施加到浅草 rraum（28）气密地密封。

公开(公告)号：KR1020120107432A

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：KR1020120025466

申请日：2012-03-13

Applicant: 엘아이지넥스원 주식회사

Inventor： 임성호 ,  최태영 ,  이승준 ,  박도현 ,  조강현 ,  송충호 ,  이기남 ,  이현중

IPC: G01C21/16 ,  G01P15/00 ,  G01P3/44 ,  B81B7/02

CPC classification number: G01C21/16 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0228 ,  G01P3/44 ,  G01P15/00

Abstract: PURPOSE: An INS(Inertial Navigation System) module using an along MEMS(Micro Electro Mechanical System) sensor and a driving method thereof are provided to measure acceleration and angular velocity by using a plurality of MEMS sensors and to respectively determine acceleration information and angular velocity information for positioning by using an average value of the measured acceleration and angular velocity, thereby improving the accuracy of the acceleration information and angular velocity information required for a mobile satellite communication terminal. CONSTITUTION: An INS module using an along MEMS(Micro Electro Mechanical System) sensor comprises a plurality of analog MEMS acceleration sensors(110), a plurality of analog MEMS angular velocity sensors(120), an acceleration calculation unit(140), an angular velocity calculation unit(150), and a DSP(Digital Signal Processing) chip(160). The MEMS acceleration sensor measures the acceleration of a mobile satellite communication terminal. The MEMS angular sensor measures the angular velocity of the mobile satellite communication terminal. The acceleration calculation unit calculates average acceleration by obtaining an average value of the measured acceleration. The acceleration calculation unit calculates average angular velocity by obtaining an average value of the measured angular velocity. The DSP chip processes the calculated average angular velocity and average acceleration as acceleration information and angular information for positioning. [Reference numerals] (110) MEMS acceleration sensor; (120) MEMS angular velocity sensor; (130) Compass sensor; (140) Acceleration calculation unit; (150) Angular velocity calculation unit; (160) DSP chip; (AA) Acceleration, Angular velocity, Speed, 3D posture, Each heading position; (BB) GPS or DGPS data

Abstract translation: 目的：提供使用沿MEMS（微机电系统）传感器及其驱动方法的INS（惯性导航系统）模块，以通过使用多个MEMS传感器来测量加速度和角速度，并分别确定加速度信息和角速度 通过使用所测量的加速度和角速度的平均值进行定位的信息，从而提高移动卫星通信终端所需的加速度信息和角速度信息的精度。 构造：使用沿着MEMS（微机电系统）传感器的INS模块包括多个模拟MEMS加速度传感器（110），多个模拟MEMS角速度传感器（120），加速度计算单元（140），角度 速度计算单元（150）和DSP（数字信号处理）芯片（160）。 MEMS加速度传感器测量移动卫星通信终端的加速度。 MEMS角度传感器测量移动卫星通信终端的角速度。 加速度计算单元通过求出测定的加速度的平均值来计算平均加速度。 加速度计算单元通过求出测定的角速度的平均值来算出平均角速度。 DSP芯片将计算出的平均角速度和平均加速度作为加速度信息和角度信息进行定位。 （附图标记）（110）MEMS加速度传感器; （120）MEMS角速度传感器; （130）指南针传感器; （140）加速计算单位; （150）角速度计算单位; （160）DSP芯片; （AA）加速度，角速度，速度，3D姿态，每个方向位置; （BB）GPS或DGPS数据

公开(公告)号：KR1020050056018A

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：KR1020030089099

申请日：2003-12-09

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박호준

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/0018 ,  B81B2201/0228 ,  B81C1/00388 ,  B81C1/00436

Abstract: 본 발명은 실리콘기판을 제공하는 단계; 상기 실리콘기판의 하부면에 상부희생층을 식각하여 형성하는 단계; 상기 실리콘기판의 하부면에 금속박막을 일정두께로 증착하고, 상기 상부희생층에 해당하는 금속박막을 패터닝하여 전극부를 형성하는 단계; 상기 전극부가 형성된 실리콘기판의 하부면에 하부유리기판을 본딩하는 단계; 상기 하부유리기판이 본딩된 실리콘기판의 상부면에 사진인쇄된 마스크를 패터닝한 다음 식각하여 관성질량체, 고정전극, 이동, 고정코옴및 판스프링을 형성하는 단계; 상기 전극부를 외부로 노출시키는 전극연결용 비아홀을 형성하도록 상기 전극부와 대응하는 하부유리기판의 하부면을 식각하는 단계를 포함하여 디바이스웨이퍼를 제조하고; 상부유리기판을 제공하는 단계; 상기 상부유리기판의 하부면에 상부희생층을 식각하는 단계를 포함하여 캡웨이퍼를 제조하며; 상기 상부희생층과 상기 관성질량체가 상하대응되도록 상기 디바이스웨이퍼의 상부면에 상기 캡웨이퍼의 하부면을 본딩하는 단계;를 포함하여 디바이스웨이퍼에 관성질량체를 릴리즈(부유)시키기 위해서 형성되는 희생층의 바닥면으로 관성질량체가 변형되거나 파손되는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120107433A

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：KR1020120025467

申请日：2012-03-13

Applicant: 엘아이지넥스원 주식회사

Inventor： 임성호 ,  송충호 ,  이승준 ,  백성호 ,  박도현 ,  김승완 ,  김형종 ,  최태영 ,  조강현 ,  이기남 ,  이현중

IPC: G01C21/16 ,  G01P3/44 ,  G01P15/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: G01C21/16 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0228 ,  G01P3/44 ,  G01P15/00

Abstract: PURPOSE: An INS(Inertial Navigation System) module using a digital MEMS(Micro Electro Mechanical System) sensor and a method for driving the same are provided to improve the accuracy of angular information and acceleration information required for a mobile satellite communication terminal and to miniaturize the mobile satellite communication terminal for a small MEMS sensor. CONSTITUTION: An INS module using a digital MEMS sensor comprises a plurality of digital MEMS acceleration angular sensors(110), a plurality of digital MEMS angular sensor(120), an acceleration calculation unit(140), an angular velocity calculation unit(150), and a CUP chip(160). The MEMS acceleration sensor measures the acceleration of a mobile satellite communication terminal and the MEMS angular sensor measures the angular velocity of the mobile satellite communication terminal. The acceleration calculation unit obtains an average value of the acceleration, thereby calculating average acceleration. The angular velocity calculation unit obtains an average value of the angular velocity, thereby calculating average angular velocity. The CUP chip determines the calculated average acceleration and angular velocity as acceleration information and angular information for positioning. [Reference numerals] (110) MEMS acceleration sensor; (120) MEMS angular sensor; (130) Compass sensor; (140) Acceleration calculation unit; (150) Angular velocity calculation unit; (160) CPU chip; (AA) Acceleration, Angular velocity, Speed, 3D posture, Each heading position; (BB) GPS or DGPS data

Abstract translation: 目的：提供使用数字MEMS（微机电系统）传感器的INS（惯性导航系统）模块及其驱动方法，以提高移动卫星通信终端所需的角度信息和加速度信息的精度，并使其小型化 用于小型MEMS传感器的移动卫星通信终端。 构成：使用数字MEMS传感器的INS模块包括多个数字MEMS加速角度传感器（110），多个数字MEMS角度传感器（120），加速度计算单元（140），角速度计算单元（150） ，以及CUP芯片（160）。 MEMS加速度传感器测量移动卫星通信终端的加速度，并且MEMS角度传感器测量移动卫星通信终端的角速度。 加速度计算单元获得加速度的平均值，由此计算平均加速度。 角速度计算单元获得角速度的平均值，从而计算平均角速度。 CUP芯片将计算出的平均加速度和角速度作为加速度信息和角度信息进行定位。 （附图标记）（110）MEMS加速度传感器; （120）MEMS角度传感器; （130）指南针传感器; （140）加速计算单位; （150）角速度计算单位; （160）CPU芯片; （AA）加速度，角速度，速度，3D姿态，每个方向位置; （BB）GPS或DGPS数据

公开(公告)号：KR1020050055330A

公开(公告)日：2005-06-13

申请号：KR1020030088526

申请日：2003-12-08

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박호준

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/0018 ,  B81B2201/0228 ,  B81C1/00388 ,  B81C1/00436

Abstract: 본 발명은 마이크로 관성센서를 제조하는 방법에 관한 것으로, 하부유리기판을 제공하는 단계; 상기 하부유리기판의 표면에 중앙비아홀과 외측비아홀을 관통형성하는 단계; 상기 중앙, 외측비아홀이 형성된 하부유리기판의 상부면에 실리콘기판의 하부면을 본딩하는 단계; 상기 하부유리기판의 하부면측으로 금속박막을 일정두께로 증착하고, 상기 중앙비아홀에 영역에 금속박막을 패터닝하여 전극부를 형성하는 단계; 상기 실리콘기판의 상부면에 사진인쇄된 마스크를 패터닝하여 관성질량체를 형성하는 단계를 포함하여 디바이스웨이퍼를 제조하고; 상부유리기판을 제공하는 단계; 상기 상부유리기판의 하부면에 상부희생층을 식각하는 단계를 포함하여 캡웨이퍼를 제조하며; 상기 상부희생층과 상기 관성질량체가 상하대응되도록 상기 디바이스웨이퍼의 상부면에 상기 캡웨이퍼의 하부면을 본딩하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 의하면, 디바이스웨이퍼에 관성질량체를 릴리즈(부유)시키기 위해서 형성되는 희생층의 바닥면으로 관성질량체가 변형되거나 파손되는 것을 방지할 수 있다.