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公开(公告)号：CN103818872B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310471850.5
申请日：2013-10-11
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00873 , B81C2201/017 , B81C2201/053 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2201/003
Abstract: MEMS器件和制造MEMS器件的方法。公开了一种用于制造MEMS器件的方法。此外，公开了MEMS器件和包括该MEMS器件的模块。实施例包括一种用于制造MEMS器件的方法，包括在基板的第一主表面上形成MEMS堆叠、在基板的第二主表面上形成聚合物层并在聚合物层和基板中形成第一开口，使得第一开口邻接MEMS堆叠。
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公开(公告)号：CN105762088A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610228764.5
申请日：2016-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L24/83 , B81B7/02 , B81B2201/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81C1/00261 , B81C2203/0118 , H01L2224/83051 , H01L2924/013
Abstract: 本发明公开了一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法，先在第一器件结构的器件衬底上制作第一键合金属图形，然后基于第一键合金属图形制作器件保护结构；器件保护结构包括第一槽型腔体，第一槽型腔体的底面为第一键合金属图形；然后在第二器件结构上制作出第二键合金属图形之后，在第一槽型腔体中对第一器件结构和第二器件结构进行金属共晶键合。由于器件保护结构包括第一槽型结构，因此在进行金属共晶键合时，可将金属共晶键合时外溢的液相合金流入第一槽型腔体内，会对外溢的液相合金起到阻隔作用，使之无法自由滚动，从而有效避免外溢的液相合金扩散到器件结构区域。此方式不但提高金属键合的气密等级，而且提高了MEMS器件生产制造的良率。
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公开(公告)号：CN104024816B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201280052198.7
申请日：2012-10-24
Applicant: 奥谢陶尔公司
Inventor： S·布里达
CPC classification number: G01L9/0047 , B81B3/0051 , B81B3/0097 , B81B2201/0264 , G01L9/0042 , G01L9/0048 , G01L19/0618
Abstract: 本发明涉及一种用于测量或者探测机械量或者动态量的微机械机构，其包括能够变形的膜片(20)和支撑基板(10)，所述膜片(20)包括第一部分(20a)和由所述第一部分(20a)包围的第二部分(20b)，所述第二部分(20b)的厚度小于所述第一部分(20a)的厚度，所述膜片(20)悬置在所述支撑基板(10)之上，并且因此限定了自由空间(30)，所述微机械机构还另外包括下邻接支座(21)，所述下邻接支座(21)用于限制所述膜片(20)的变形，所述下邻接支座(21)布置在所述支撑基板(10)之上并且从所述支撑基板(10)朝着所述膜片(20)延伸到所述自由空间(30)中，其特征在于，所述下邻接支座(21)包括岛状体(101–108)，所述岛状体(101–108)从所述下邻接支座(21)的平坦表面朝着膜片(20)延伸到所述自由空间(30)中，所述岛状体(101–108)以这样的方式形成浮雕结构，从而在所述岛状体(101–108)和膜片(20)的精细部分(20b)接触的情况下，所述岛状体(101–108)和膜片(20)的精细部分(20b)之间的接触表面相对于膜片(20)的精细部分(20b)的尺寸是较小的。
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公开(公告)号：CN102401706B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201110240721.6
申请日：2011-08-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81C1/00309 , B81B2201/0264 , G01L9/0073 , Y10T29/49126
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)压力传感器件(20、62)及其制造方法。该器件包括其中形成有腔(32、68)的衬底结构(22、64)和其中形成有基准元件(36)的衬底结构(24)。感测元件(44)置于衬底结构(22、24)之间并且与基准元件(36)隔开。感测元件(44)经由腔(68)和基准元件(36)中形成的多个开口(38)中的一个而暴露于外部环境(48)。感测元件(44)能够响应于来自环境(48)的压力激励(54)而相对于基准元件(36)移动。制造方法(76)涉及形成(78)具有腔(32、68)的衬底结构(22、64)、制造(84)包括感测元件(44)的衬底结构(24)、耦接(92)衬底结构和随后在衬底结构(24)中形成(96)基准元件(36)。
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公开(公告)号：CN105371878A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510890382.4
申请日：2015-12-04
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: G01D5/241
CPC classification number: G01D5/2417 , B81B2201/0214 , B81B2201/0221 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/053 , B81C1/00182 , B81C1/00214 , G01K7/34 , G01L9/0045 , G01L9/0047 , G01L9/0073
Abstract: 本发明公开了一种环境传感器及其制造方法，包括基材，在所述基材的上端设有至少一个凹槽，还包括位于基材上方的敏感膜层，所述敏感膜层包括固定在基材端面上的固定部，以及伸入至凹槽内的弯曲部，所述弯曲部与凹槽的侧壁构成了用于检测信号的电容器；其中，所述弯曲部、固定部与凹槽形成了密闭的容腔。本发明的环境传感器，将传统设置在基材表面的电容器结构，改为垂直伸入基材内部的电容器结构，加大凹槽的深度即可增大电容器两个极板之间的感测面积，由此可大大缩小电容器在基材上的覆盖面积，满足了现代电子器件的轻薄化发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102947216B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180016329.1
申请日：2011-03-15
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司 , 硅微结构有限公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264
Abstract: 微机电装置具有：适于制造微电子组件的衬底（1），尤其是半导体衬底。微机械组件集成到衬底（1）中，所述微机械组件具有能够可逆地弯曲的弯曲元件（4），该弯曲元件具有与衬底（1）连接的第一端部（34），并且从该第一端部（34）出发通过自由空间（3）延伸。弯曲元件（4）具有至少一个接片（8），该接片带有两个侧边缘，所述侧边缘的走向（35）通过与侧边缘邻接的、引入弯曲元件（4）中的凹处（6）来限定。为了形成在接片（8）内的均匀区域，从弯曲元件（4）的第一端部（34）出发来观察，接片（8）的侧边缘的相互距离减小，其中在所述均匀区域中在将弯曲元件（4）弯曲时出现的机械应力基本上大小相同。此外，该装置具有对于机械应力敏感的至少一个微电子组件（36），所述微电子组件在接片（8）的均匀区域内集成在其中。
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公开(公告)号：CN102674237B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210038129.2
申请日：2012-02-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B7/008 , B81B2201/0264 , B81B2203/0315 , B81B2207/015 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C2203/0707 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L27/0611
Abstract: 本发明公开了单片集成传感器装置及形成方法和形成其腔体结构的方法。实施例涉及MEMS装置，具体涉及单个晶片上的集成有相关电子器件的MEMS装置。实施例利用模块化工艺流程概念作为MEMS-first方法的一部分，从而能够利用新颖的腔体密封工艺。因此减少或消除了由于MEMS加工对电子器件的影响和潜在有害作用。同时，提供了高度灵活的解决方案，能够实施各种测量原理，包括电容式和压阻式。因此，各种传感器应用可具有改进的性能和质量，同时保持成本高效。
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公开(公告)号：CN102183335B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110061167.5
申请日：2011-03-15
Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司
Inventor： 柳连俊
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B2201/0264 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , G01L9/0073
Abstract: 本发明提供一种MEMS压力传感器，包括：第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面侧设置有电容式压力传感单元的感应薄膜、电连线层和第一衬底表面的第一粘合层；第二衬底，所述第二衬底包括相对的第三表面和第四表面，在所述第三表面侧设置有导体间介质层、位于导体间介质层中的导体连线层和第二衬底表面的第二粘合层；其中，第二衬底与第一衬底相对设置，通过第一粘合层和第二粘合层固定连接，第一粘合层与第二粘合层的图案对应并且均为导电材料。该MEMS压力传感器及其制作方法，能够与集成电路制造工艺兼容，有效地降低制作成本并减小传感器尺寸。
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公开(公告)号：CN102714200B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080054194.3
申请日：2010-12-29
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00261 , B81B3/0081 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , H01L2224/45144 , H01L2224/48465 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统（MEMS）设备（100），其具有定义空腔的凹部（117），该空腔中心开放到载体表面（111）上。导电引脚（112）在载体表面外围嵌入。包括集成电路芯片（101）的插入物（120）在凹部的顶部（114、116）内安装，并为空腔提供罩盖。电连接（130）连接芯片上端子与导电引脚。附加到载体表面的罩盖（140）包围集成电路芯片和电连接。穿过包括罩盖中通风孔（141）、插入物中第一和第二开孔（121，122）以及集成电路芯片中开孔（104）的路径，提供从环境大气经空腔到在芯片中活动箔片（105）的气道。
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公开(公告)号：CN104704335A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380052765.3
申请日：2013-09-24
Applicant: 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司
CPC classification number: G01L9/0072 , B81B3/0027 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00396 , B81C1/00531 , G01L9/0073 , G01L13/025 , G01L19/0618
Abstract: 本发明涉及压差传感器(1)，包括测量膜(10)，该测量膜(10)布置在两个平台(20)之间，并且经相应的第一绝缘层(26)与平台(20)中的每个压力紧密地连接，以便在平台与测量膜之间形成压力室。绝缘层尤其包括氧化硅。压差传感器进一步包括用于记录测量膜的压力依赖偏转的电换能器。平台(20)具有支撑位置(27)，在过载的情况下，测量膜(10)至少部分地接触支撑位置(27)。支撑位置(10)具有位置依赖高度h。压差传感器的特征在于，支撑位置(27)通过各向同性蚀刻形成在第一绝缘层(26)中，并且每个支撑位置的相应高度h是在基准平面中的支撑位置的基部的距离的函数。
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