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公开(公告)号：CN104249991B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310261321.2
申请日：2013-06-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B7/007 , B81B2207/015 , B81B2207/094 , B81C2201/0132 , B81C2201/0176 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L41/0973
Abstract: 一种MEMS器件及其制作方法，MEMS器件制造方法包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路；在第一半导体衬底上形成第一介质层，第一介质层中具有第一金属互连结构，第一金属互连结构与CMOS控制电路相连；在第一介质层上形成牺牲层和覆盖牺牲层的键合层；将第二半导体衬底与键合层键合在一起；形成贯穿第二半导体衬底与键合层的第一通孔；在第一通孔的侧壁形成隔离层；在第一通孔中形成导电插塞，导电插塞与第一金属互连结构相连；形成第二金属互连结构，第二金属互连结构将第二半导体衬底和导电插塞的上端相连；释放出MEMS器件的可动电极。形成的MEMS器件的集成度高。
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公开(公告)号：CN103964371B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310034420.7
申请日：2013-01-29
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 孙其梁
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L21/31116 , B81C1/00476 , B81C2201/0132
Abstract: 本发明涉及一种硅晶片的钝化层的腐蚀方法，包括往顶部开口的容器中倒入氢氟酸溶液、将硅晶片放置于容器的开口处，使硅晶片的形成有钝化层的一面与氢氟酸溶液相对，以及在常温下保持足够腐蚀的时间，氢氟酸溶液挥发产生氟化氢气体将硅晶片的钝化层腐蚀的步骤，其中，足够腐蚀的时间为(钝化层的厚度/腐蚀速率)×(1+0.2)。该利用氢氟酸挥发产生的氟化氢气体腐蚀硅晶片的钝化层，避免了一般的湿法腐蚀中由于液体的表面张力的作用，腐蚀液难以完全浸润钝化层的表面而使得腐蚀精度较低的问题，腐蚀精度较高。
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公开(公告)号：CN103935953B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410172235.9
申请日：2014-04-25
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00158 , B81C1/00396 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/019 , B81C2201/0198 , B81C2201/053
Abstract: 本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结构；在键合片的上方形成保护膜，并在硅衬底的背面形成掩蔽层；对掩蔽层作图形化，掩蔽层的图形与待形成的大腔体的位置对应；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至其正面的氧化层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和氧化层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片至其上方的保护膜，在键合片中形成一个或多个小腔体。本发明很好地控制了复合腔体中小腔体所在的半导体介质层的厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN103328688B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201280006276.X
申请日：2012-01-24
Applicant: 梅姆斯塔有限公司
Inventor： 安东尼·奥哈拉
IPC: C23F1/44 , B81C1/00 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/30604 , B81C1/00595 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , H01L21/31116
Abstract: 通过蚀刻剂气体即氟化氢（HF）蒸汽的使用，以对MEMS内的其它部分且尤其是氮化硅（Si3N4）部分的较高选择性，在微结构比如微机电结构（MEMS）中进行牺牲二氧化硅（SiO2）部分的蚀刻。这是通过适合用于增加HF蒸汽内的二氟化物反应物质（HF2-和H2F2）与一氟化物反应物质（F-和HF）的比率的第二非蚀刻剂气体的添加来实现的。第二非蚀刻剂气体可以包括氢化合物气体。HF蒸汽内的二氟化物反应物质（HF2-和H2F2）与一氟化物反应物质（F-和HF）的比率还可以通过将蚀刻操作温度设定到20℃或以下来增加。
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公开(公告)号：CN105236345A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510608392.4
申请日：2015-09-22
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司 , 杭州士兰集成电路有限公司
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B2203/0315 , B81B2203/033 , B81B2203/0384 , B81C1/00285 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/0154 , B81C2201/0198 , B81C2203/0109 , H01L23/26
Abstract: 本发明提供了一种MEMS器件、半导体器件及其制造方法，所述MEMS器件具有密闭的腔体，所述腔体具有在第一平面内延伸的内壁，所述内壁包括用于淀积吸气剂薄膜的薄膜淀积区域，所述薄膜淀积区域形成有一个或多个凹槽，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角大于0°且小于180°，所述吸气剂薄膜覆盖所述凹槽的侧壁。本发明能够在常规的蒸发、溅射设备上以较小的入射角度形成吸气剂薄膜，即形成多孔性、高粗糙度的吸气剂薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103443020B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280005251.8
申请日：2012-01-13
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 迈克·雷诺 , 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 维克拉姆·乔希 , 托马斯·L·麦圭尔
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2207/096 , B81C1/00039 , B81C1/00333 , B81C1/00476 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0145 , B81C2203/0714
Abstract: 本发明一般涉及生产MEMS或NEMS器件的方法及器件本身。具有比悬臂结构体低的复合系数的材料的薄层可沉积于悬臂结构体、RF电极和拉拔电极上。该薄层允许引入至空腔的蚀刻气体降低空腔内的总蚀刻剂复合速率，因此增加空腔内牺牲材料的蚀刻速率。蚀刻剂本身可经由与悬臂结构体的锚定部分线性对准的包封层中的开口引入，使得牺牲材料的最顶层首先得以蚀刻。此后，密封材料可密封空腔并在空腔中一直延伸至锚定部分以为锚定部分提供额外的强度。
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公开(公告)号：CN104795311A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410027719.4
申请日：2014-01-21
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/033
CPC classification number: H01L23/5283 , B81B7/007 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81C1/00095 , B81C1/00849 , B81C2201/0132 , H01L21/02068 , H01L21/475 , H01L23/53219 , H01L23/53233 , H01L23/53247 , H01L29/0649 , H01L2221/1063 , B81C1/00396
Abstract: 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一电极层，所述第一电极层表面具有牺牲层；在所述牺牲层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层的材料为导电材料；在第一掩膜层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出部分与第一电极层位置对应的第一掩膜层表面；以图形化层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层和牺牲层，直至暴露出第一电极层表面为止，在所述第一掩膜层和牺牲层内形成开口；进行清洗工艺，去除附着于第一掩膜层表面、以及开口的侧壁和底部表面的刻蚀副产物；在进行清洗工艺之后，在所述开口内形成导电插塞。所形成的半导体器件性能得到改善。
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公开(公告)号：CN104249991A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201310261321.2
申请日：2013-06-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B7/007 , B81B2207/015 , B81B2207/094 , B81C2201/0132 , B81C2201/0176 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L41/0973
Abstract: 一种MEMS器件及其制作方法，MEMS器件制造方法包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路；在第一半导体衬底上形成第一介质层，第一介质层中具有第一金属互连结构，第一金属互连结构与CMOS控制电路相连；在第一介质层上形成牺牲层和覆盖牺牲层的键合层；将第二半导体衬底与键合层键合在一起；形成贯穿第二半导体衬底与键合层的第一通孔；在第一通孔的侧壁形成隔离层；在第一通孔中形成导电插塞，导电插塞与第一金属互连结构相连；形成第二金属互连结构，第二金属互连结构将第二半导体衬底和导电插塞的上端相连；释放出MEMS器件的可动电极。形成的MEMS器件的集成度高。
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公开(公告)号：CN102124544B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN200980132360.4
申请日：2009-08-10
Applicant: 岩谷产业株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3065 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C1/00531 , B81C2201/0132 , G02B1/00 , H01L21/76898
Abstract: 本发明提供一种团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件。提供采用电中性的反应性团簇进行的试样加工方法，在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下，使该混合气体沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出，生成反应性团簇，将上述反应性团簇喷射到真空处理室内的试样上而加工试样表面。
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公开(公告)号：CN103159163A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110424013.8
申请日：2011-12-19
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
CPC classification number: B81C1/00531 , B81C1/00619 , B81C99/0025 , B81C2201/0132 , H01L21/30655
Abstract: 本发明提出一种基片刻蚀方法和基片处理设备。所述基片刻蚀方法包括：S1：将待处理的基片放入反应腔室；S2：向所述反应腔室输入刻蚀气体；S3：开启激励电源以在所述反应腔室内产生等离子体；S4：开启偏压电源以向所述基片施加偏压功率；S5：关闭所述偏压电源且同时向所述反应腔室内输入沉积气体；S6：停止向所述反应腔室内输入沉积气体且同时开启所述偏压电源；和S7：重复步骤S5-S6直至完成刻蚀工艺。根据本发明，在整个刻蚀工艺过程中始终保持等离子体的存在，并在刻蚀工艺过程之中穿插沉积步骤，因此在沉积步骤时也可以将部分的沉积聚合物刻蚀掉。从而基片的最终刻蚀剖面具有很好的连续性，实现了刻蚀剖面侧壁的平滑。
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