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    Procédé de fabrication de puces électroniques
    111.
    发明专利
    Procédé de fabrication de puces électroniques 未知

    公开(公告)号：FR3104316B1

    公开(公告)日：2021-12-17

    申请号：FR1913746

    申请日：2019-12-04

    Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： FALLOURD LUDOVIC ,  SERRE CHRISTOPHE

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/822

    Abstract: Procédé de fabrication de puces électroniques La présente description concerne un procédé de fabrication de puces électroniques, comprenant les étapes suivantes : a) former, du coté de la face supérieure d'un substrat semiconducteur (11), dans et sur lequel ont été formés une pluralité de circuits intégrés, des tranchées séparant les circuits intégrés ; b) déposer, du coté de la face supérieure du substrat (11) au moins un pilier métallique (19) par circuit intégré, en contact avec la face supérieure du circuit intégré, et une résine (23), s'étendant dans les tranchées et sur la face supérieure des circuits intégrés ; c) former, à partir de la face supérieure de la résine (23), des ouvertures situées en vis-à-vis des tranchées et s'étendant sur une largeur supérieure ou égale à celle des tranchées, de façon à dégager un flanc (191) d'au moins un pilier (19) de chaque circuit intégré ; et d) découper de façon à séparer individuellement les circuits intégrés. Figure pour l'abrégé : Fig. 10

    Pont redresseur
    114.
    发明专利
    Pont redresseur 未知

    公开(公告)号：FR3102897A1

    公开(公告)日：2021-05-07

    申请号：FR1912224

    申请日：2019-10-30

    Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： HAGUE YANNICK ,  LAUNOIS ROMAIN

    IPC: H02M1/06 ,  H01L29/74

    Abstract: Pont redresseur La présente description concerne un circuit (100) comprenant : deux noeuds d'entrée (102, 104) et deux noeuds de sortie (106, 108) ; un pont redresseur (120) comportant au moins deux premiers thyristors (126, 128) ; au moins un deuxième thyristor (142, 144) et au moins une résistance (146) en série avec le deuxième thyristor, l'association du deuxième thyristor et de la résistance étant reliée en parallèle avec un des premiers thyristors. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques
    116.
    发明专利
    Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques 未知

    公开(公告)号：FR3094837A1

    公开(公告)日：2020-10-09

    申请号：FR1903658

    申请日：2019-04-05

    Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： LACONDE ERIC ,  ORY OLIVIER

    IPC: H01L23/60

    Abstract: Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques La présente description concerne un dispositif (200) de protection contre des décharges électrostatiques, comportant : - un substrat semiconducteur (101) d'un premier type de conductivité revêtu d'une couche semiconductrice (103) du second type de conductivité ; - à l'interface entre le substrat (101) et la couche (103), une région enterrée (105) du second type de conductivité ; - des premier (107) et deuxième (109) caissons du premier type de conductivité formés dans la couche (103) du côté de sa face opposée au substrat (101) ; - une région (111) du deuxième type de conductivité formée dans le deuxième caisson (109) du côté de sa face opposée au substrat (101) ; et - une première région d'arrêt de canal (201) du deuxième type de conductivité formée dans la couche (103) du côté de sa face opposée au substrat (101) et séparant latéralement les premier (107) et deuxième (109) caissons. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    ANTENNE LARGE BANDE POUR DISPOSITIF MOBILE DE COMMUNICATION
    117.
    发明专利
    ANTENNE LARGE BANDE POUR DISPOSITIF MOBILE DE COMMUNICATION 未知

    公开(公告)号：FR3061996B1

    公开(公告)日：2020-09-25

    申请号：FR1750419

    申请日：2017-01-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： BONNET BENOIT

    IPC: H01Q9/04

    Abstract: L'invention concerne une antenne comportant : une bande conductrice allongée (22) ; une prise d'antenne (24) ; une connexion (26) à la masse ; au moins un premier élément capacitif (28) de capacité réglable ; et au moins un premier élément inductif (34) en série avec le premier élément capacitif.

    PROTECTION CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES ET FILTRAGE
    120.
    发明专利
    PROTECTION CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES ET FILTRAGE 未知

    公开(公告)号：FR3079347A1

    公开(公告)日：2019-09-27

    申请号：FR1852593

    申请日：2018-03-26

    Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

    Inventor： POVEDA PATRICK

    IPC: H01L23/60

    Abstract: L'invention concerne Composant électronique comprenant : des première (362) et deuxième (342) régions semiconductrices disjointes ; et une troisième région semiconductrice (510) disposée sous et entre les première et deuxième régions, les première et troisième régions définissant des électrodes d'une première diode (360), les deuxième et troisième régions définissant des électrodes d'une deuxième diode (340), la première diode étant à avalanche.

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