-
公开(公告)号：KR1019980065667A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970000780
申请日：1997-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 습식 세정 장비의 세정조 내로 많은 양의 탈이온수(DI water)가 유입되게 하여 웨이퍼의 세정 효율을 증대시킬 수 있는 습식 세정 장비의 세정조에 관하여 개시하고 있다. 이를 위하여 본 발명은, 세정 용액이 담기는 수세조와, 세정의 대상이 되는 웨이퍼가 장착되는 정류판과, 상기 수세조로 세정용액을 공급하는 공급부와, 상기 세정용액을 배출시키는 배출부를 구비하는 습식 세정 장비의 세정조에 있어서, 상기 세정의 대상이 되는 웨이퍼가 장착되는 정류판은, 웨이퍼가 직접 놓이는 부분에 구경이 3∼10㎜인 구멍이 1∼10㎜의 간격으로 구성되고, 웨이퍼가 직접 놓이지 않는 부분에 구경이 1∼3㎜인 구멍이 1∼10㎜의 간격으로 구성된 것을 특징으로 하는 습식 세정 장비의 세정조를 제공한다.
-
公开(公告)号：KR1019980048375A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960066945
申请日：1996-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체 제조 장치의 세정조 및 웨이퍼 세정방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 오목한 그릇 모양의 베스, 베스의 하부에 설치된 제1 정류판, 베스 밑면에 설치된 유압 상쇄관, 베스와 접하는 유압 상쇄관 입구에 설치된 제2 정류판 및 유압 상쇄관의 측벽부에 대칭적으로 설치된 세정액 유입관들을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 베스 내부 전체에 걸쳐 균일하게 세정액이 공급되도록 할 수 있으므로, 결과적으로 세정 효율을 향상시킬 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1019980039467A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960058491
申请日：1996-11-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 반도체 세정액의 정화 필터가 개시되어 있다. 정화 필터는 그 내부에 실리콘 웨이퍼를 적재시키기 위한 카트리지 부를 포함하며, 상기 카트리지 부의 내부에 전기장을 인가함으로써 상기 실리콘 웨이퍼에 표면 전하를 생성시켜 반도체 세정공정에서 사용되는 화학제 내에 잔존되는 금속 이온 오염물을 제거한다. 재생 실리콘 웨이퍼를 이용할 수 있으므로 정화 필터의 경제성을 향상시킬 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1019980028052A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960047006
申请日：1996-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명에는 세정 용액이 개시되어 있다. 본 발명은 탈이온수에 플루오르화붕소수소산(HBF4)과 인산(H3PO4) 및 계면 활성제가 소정 비율로 혼합된 세정 용액을 제공한다. 본 발명은 또한 상기 세정 용액을 이용한 반도체 기판의 세정 방법을 제공한다. 본 발명에 의한 세정 용액은 유기금속성 폴리머의 제거에 탁월한 효과가 있으며, 도전막에 대한 부식성이 없고 금속오염입자가 가공된 반도체 소자에 작용하는 것을 방지할 수 있어서 세정효과가 증대된다. 그리고 상기 세정 용액을 이용한 세정방법은 세정공정 및 조건이 단순화되어 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1019980025836A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960044127
申请日：1996-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 반도체소자 제조용 약액 모니터 장치 및 이를 이용한 모니터 방법을 개시하고 있다. 이는, 반도체소자 세정공정에 사용되는 물을 포함한 약액(chemical)이 일정량 담겨있는 약액조; 상기 약액조 내의 약액을 소량 샘플링하기 위한 약액 샘플링 장치; 상기 약액 내에 함유된 금속이온의 농도를 측정하기 위해 상기 약액 샘플링장치와 연결된 금속이온 농도 측정장치; 상기 약액조와 금속이온 농도 측정장치 사이에 설치되고, 고온의 약액을 상온으로 강하하기 위한 약액 온도 강하 장치; 상기 약액 온도 강하 장치와 금속이온 농도 측정장치 사이에 설치되고, 상온으로 강하된 상기 약액 샘플을 저장하기 위한 샘플 저장고(researvior); 및 상기 약액 샘플링 장치 및 금속이온 농도 측정장치와 연결되어, 약액의 샘플링을 콘트롤하고, 측정된 금속이온 농도를 표시, 저장, 및 처리하기 위한 컴퓨터를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 반도체소자 제조공정에 사용되는 약액조의 금속이온으로 인한 오염 여부를 인-라인으로 모니터할 수 있으며, 제조되는 반도체소자의 금속이온 오염에 의한 전기적 특성 열화를 방지할 수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980017984A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019960055439
申请日：1996-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체장치의 금속배선 공정에서 사용되는 세정액 그를 이용한 세정방법에 관하여 개시되어 있다. 이를 위하여 본 발명은, 반도체장치의 세정공정에 사용되는 세정액에 있어서, 상기 세정액은 탈이온수(DI water)에 35∼50%로 농축된 사불화 붕산(HBF
4 )을 탈이온수의 양과 비교하여 10
-3 ∼20 중량%의 농도로 혼합한 용액인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액 및 이를 이용한 금속배선 형성공정 및 화학기계적 연마 공정에 후속되는 세정공정의 세정방법을 제공한다. 따라서, 상술한 본 발명에 따르면, IPA 린스 공정을 생략할 수 있기 때문에 공정이 단순해 지고, 유기 스트리퍼를 쓰지 않기 때문에 환경문제를 방지하며, 반도체 기판에 금속 이온의 오염이 방지되며, 금속배선 공정 및 화학기계적 연마 공정의 부산물을 효과적으로 제거할 수 있다.-
-
公开(公告)号：KR1019980011992A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960029328
申请日：1996-07-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
126
records
(took 0.021 seconds)
