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111.发明授权
公开(公告)号：KR100653691B1
公开(公告)日：2006-12-04
申请号：KR1020040055760
申请日：2004-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L21/31
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H01L27/14685
Abstract: 적어도 메인 화소 어레이 영역의 전면을 노출시키는 패시베이션막을 갖는 이미지 센서들 및 그 제조방법들이 제공된다. 상기 이미지 센서들은 메인 화소 어레이 영역 및 상기 메인 화소 어레이 영역을 둘러싸는 주변회로 영역을 갖는 집적회로 기판을 구비한다. 상기 메인 화소 어레이 영역 내의 상기 집적회로 기판에 복수개의 메인 화소들이 제공된다. 상기 메인 화소들의 각각은 메인 포토 다이오드 및 이에 직렬 접속된 전송 트랜지스터를 구비한다. 상기 복수개의 메인 화소들을 갖는 기판 상에 평평한 상부면을 갖는 층간절연막이 제공된다. 상기 층간절연막 상에 상부 패시베이션막 패턴이 배치된다. 상기 상부 패시베이션막 패턴은 상기 주변회로 영역 내의 상기 층간절연막을 덮고 상기 메인 화소 어레이 영역 내의 상기 층간절연막 전체를 노출시킨다.
이미지 센서, 패시베이션, 액티브 픽셀 센서-
公开(公告)号：KR100591075B1
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040111655
申请日：2004-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L31/10
Abstract: 입사된 빛에 응답하여 전하를 발생시키는 포토 다이오드, 포토 다이오드에 집적된 전하를 센싱 노드로 전송하는, 제 1 전송 게이트와 제 2 전송 게이트를 구비한 커플드 게이트 전송 트랜지스터, 센싱 노드의 전위를 소정의 전압으로 리셋시키는 리셋 트랜지스터, 및 선택 신호에 응답하여 센싱 노드의 전위를 내부 회로로 전달하는 신호 전달 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 상보성 금속 산화막 반도체 액티브 픽셀 센서를 제공한다. 커플드 게이트의 전압 커플링 현상을 이용하여 전송 트랜지스터의 게이트 바이어스 전압 및 센싱 노드의 초기 전압을 전원 전압 이상으로 상승시킴으로써 포토 다이오드의 용량을 증가시킬 수 있고, 이미지 래그 현상을 줄일 수 있다.
Abstract translation: 光电二极管，用于响应入射光而产生电荷;耦合栅极转移晶体管，具有第一转移栅极和第二转移栅极，用于将积聚在光电二极管中的电荷转移到感测节点; 电压响应于所述复位晶体管和一个选择信号到复位，并提供了互补金属氧化物半导体有源像素传感器，其包括信号传输电路，用于感测节点的电位传送到内部电路。 通过提高栅极偏置电压和所述转移晶体管的的供电电压或更高的感测节点的初始电压可以增加光电二极管的电容使用耦合栅的电压耦合现象，所以能够减少图像的滞后现象。
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公开(公告)号：KR102252647B1
公开(公告)日：2021-05-17
申请号：KR1020140087567
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 이미지센서의픽셀은반도체기판내에형성된광전변환영역, 반도체기판내에광전변환영역으로부터이격되어형성된플로팅확산영역, 반도체기판의제1 면으로부터내부로연장된리세스의내부에형성되고, 광전변환영역과플로팅확산영역사이에전송채널을형성하는수직전송게이트, 및상기리세스를둘러싸도록불순물이도핑되어형성되고, 리세스의측면에인접한영역에서제1 불순물농도를가지고, 리세스의저면에인접한영역에서제1 불순물농도보다높은제2 불순물농도를가지는불순물영역을포함한다. 리세스의저면에인접한수직전송게이트의채널영역이리세스의측면에인접한수직전송게이트의채널영역보다높은불순물농도로도핑되어수직전송게이트의전송특성이향상되고, 전송지연이방지될수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102088401B1
公开(公告)日：2020-03-12
申请号：KR1020130063111
申请日：2013-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
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公开(公告)号：KR101967835B1
公开(公告)日：2019-04-10
申请号：KR1020120058559
申请日：2012-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
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公开(公告)号：KR101853333B1
公开(公告)日：2018-05-02
申请号：KR1020110107769
申请日：2011-10-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/359 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/1463
Abstract: 이미지센서는제1 픽셀들, 제2 픽셀들및 딥트렌치를포함한다. 제1 픽셀들은입사광에상응하는광전하를측정하기위하여반도체기판의활성영역에형성되고, 제2 픽셀들은블랙레벨보정을위하여반도체기판의옵티컬블랙영역에형성된다. 딥트렌치는활성영역으로부터의누설광및 확산캐리어를차단하기위하여활성영역에인접한옵티컬블랙영역의경계영역에수직으로형성된다. 이러한빛샘방지구조에의해안정화된블랙레벨을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170043141A
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：KR1020150142312
申请日：2015-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14638 , H01L27/14643
Abstract: 이미지센서를제공한다. 이미지센서는, 액티브영역을정의하는소자분리막을포함하는기판내에형성되는광전변환층과, 액티브영역의일 측에형성된플로팅확산영역과, 액티브영역에배치되며액티브영역과인접한소자분리막에접하는전송게이트를포함한다. 전송게이트의일 측이소자분리막과접하여광전변환층에서생성되고축적된광전하들이플로팅확산영역으로하나의통로를통하여이동한다.
Abstract translation: 提供图像传感器。 在衬底包括限定所述有源区的器件隔离膜将要形成的图像传感器中，光电转换层，设置在所述浮动扩散区和与所述相邻的器件隔离和有源区，传输门接触形成在有源区的一侧的有源区 它包括。 传输门和器件隔离膜的一侧，与所述累积的光电荷通过所述通道中的一个移动到所述浮动扩散区接触所述光电转换层中产生。
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公开(公告)号：KR1020170030705A
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020150127754
申请日：2015-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14643
Abstract: 본발명은이미지센서를제공한다. 이미지센서는광전변환부, 상기광전변환부상의리세스부에배치되는트랜스퍼게이트및 상기트랜스퍼게이트와인접하는부유확산영역을포함하되, 상기트랜스퍼게이트는상기리세스부의하부에제공된제 1 영역과, 상기리세스부의상부에제공된제 2 영역을포함하고, 상기제 1 영역과상기제 2 영역은서로다른도전형을갖는다.
Abstract translation: 本发明提供了一种图像传感器。 图像传感器是光电转换单元，包括：一传输门，并与设置在所述光电转换部的忠诚度存取单元中的浮置扩散区接触所述转移栅极的葡萄酒，该传输门具有下部sanggiri过程提供的第一区域，sanggiri凹部 并且在顶部时，第一区域和第二区域中的第二区域彼此不同也有一个选择。
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