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公开(公告)号：KR101745638B1
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：KR1020110003156
申请日：2011-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이하라히사노리
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L27/146 , H01L31/103
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/1461 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L31/02161 , H01L31/02162 , H01L31/02327 , Y02E10/52
Abstract: 본발명의사상은블루광에대한광전변환효율을향상시킬수 있는포토다이오드소자, 상기포토다이오드소자를구비하여, 블루광에대한감도향상및 크로스토크를방지하여혼색을방지할수 있는후면조명씨모스이미지센서및 상기포토다이오드소자를구비하여, 블루광에대한수광효율을향상시켜, 전기생성능력을향상시킬수 있는태양전지를제공한다. 그포토다이오드소자는서로대향하는제1 면과제2 면을갖는반도체기판; 상기반도체기판내에형성되고, 입사된광을전기로변환하는포토다이오드; 및상기광이입사되는방향인상기기판의제2 면상에형성되고, 넓은에너지밴드갭을갖는광대역갭(wide band-gap) 물질층;을포함한다. 또한, 그후면조명씨모스이미지센서는상기포토다이오드소자; 상기반도체기판의상기제1 면상에형성된금속배선층; 상기광대역갭 물질층상에형성되고, 상기광의반사를방지하는반사방지층(Anti-Reflective Layer: ARL); 상기반사방지층상에형성된컬러필터; 및상기컬러필터상에형성된마이크로렌즈;를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130134791A
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120058559
申请日：2012-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H04N5/37457
Abstract: A unit pixel of an image sensor is disclosed. According to the embodiment of the present invention, the unit pixel of an image sensor includes a photoelectric conversation device generating photo charges changes according to the intensity of incident light, a transfer transistor transferring the charges changes to a floating diffusion according to a transfer control signal, and a sufflement transistor connected to the floating diffusion and the transfer transistor transferring the charges changes to the floating diffusion. According to the embodiment, the area of unit pixel is minimized by one transistor except the transfer transistor, the resolution of a pixel array is improved, and the power consumption is reduced.
Abstract translation: 公开了图像传感器的单位像素。 根据本发明的实施例，图像传感器的单位像素包括根据入射光的强度产生光电荷变化的光电对话装置，根据传送控制信号将传送电荷的传输晶体管转换为浮动扩散 并且连接到浮动扩散部分的偏移晶体管和传输电荷的转移晶体变为浮动扩散。 根据实施例，除了传输晶体管之外，单个像素的面积被一个晶体管最小化，像素阵列的分辨率提高，并且功耗降低。
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公开(公告)号：KR101867488B1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：KR1020120003082
申请日：2012-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14647 , H01L27/14689
Abstract: 칼라조정경로영역을가지는이미지센서를개시한다. 이미지센서는기판의활성영역내에서기판의깊이방향을따라연장되는수직게이트부를포함하는트랜스퍼트랜지스터와, 활성영역내에서기판의상면으로부터의깊이가서로다른위치에형성되어있는복수의포토다이오드영역과, 복수의포토다이오드영역중 적어도 2 개의포토다이오드영역사이에연장되어전자이동경로를제공하는적어도 1 개의칼라조정경로영역을포함한다.
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公开(公告)号：KR101967835B1
公开(公告)日：2019-04-10
申请号：KR1020120058559
申请日：2012-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
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5.发明公开광대역 갭 물질층 기반의 포토 다이오드 소자, 및 그 포토 다이오드 소자를 포함하는, 후면 조명 씨모스 이미지 센서 및 태양 전지 有权基于宽带带材料层的光电设备和背面照明（BSI）CMOS图像传感器和包含光电设备的太阳能电池
公开(公告)号：KR1020120081812A
公开(公告)日：2012-07-20
申请号：KR1020110003156
申请日：2011-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이하라히사노리
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L27/146 , H01L31/103
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/1461 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L31/02161 , H01L31/02162 , H01L31/02327 , Y02E10/52
Abstract: PURPOSE: A wide-band gap material layer based photodiode element, a back side illumination CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor including the same, and a solar battery are provided to improve electricity formation performance by improving light receiving efficiency of blue light. CONSTITUTION: A photodiode element comprises a photodiode and a wide-band gap material layer(130). The wide-band gap material layer is composed of a material in which an absorption coefficient about blue light is low. A semiconductor substrate has a first surface and a second surface. A metal wiring layer is formed on the first surface of the semiconductor substrate. An anti-reflective layer(150) is formed on the wide-band gap and prevents reflection of light. A color filter is formed on the anti-reflective layer. A micro-lens is formed on the color filter.
Abstract translation: 目的：提供基于宽带隙材料层的光电二极管元件，背光照明CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器和太阳能电池，以通过提高蓝光的接收效率来提高发电性能。 构成：光电二极管元件包括光电二极管和宽带隙材料层（130）。 宽带隙材料层由关于蓝色光的吸收系数低的材料构成。 半导体衬底具有第一表面和第二表面。 在半导体衬底的第一表面上形成金属布线层。 在宽带隙上形成抗反射层（150），防止光的反射。 在抗反射层上形成滤色器。 在滤色器上形成微透镜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160109514A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150034040
申请日：2015-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14645 , H04N5/37452 , H04N5/37455 , H04N5/37457 , H04N5/378
Abstract: 픽셀패턴은상호이격되어형성된단위픽셀들과, 단위픽셀들을정의하는소자분리막을포함하고, 단위픽셀들은단위픽셀들중 어느하나의단위픽셀을중심으로방사방향으로반복형성되는허니콤구조를가진다.
Abstract translation: 像素图案包括：形成为彼此分离的单位像素; 以及用于定义单位像素的设备分离器。 单位像素具有在单位像素中围绕任何一个单位像素的径向重复形成的蜂窝结构。 即使像素图案小型化，像素图案也能够保持处理的可靠性。
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公开(公告)号：KR1020150029262A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130108175
申请日：2013-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14614 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H04N5/3559 , H04N5/3591 , H04N5/374
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 동작 방법은 상기 이미지 센서가 각각이 입사광에 따라 생성되는 광전하를 축적하는 포토 다이오드를 포함하는 복수의 픽셀들을 포함하고, 접지 단자에 제1 레벨을 갖는 벌크 제어 신호를 인가하여 상기 포토 다이오드의 포텐셜(potential)을 변경하는 단계, 상기 포토 다이오드에 축적된 광전하를 플로팅 디퓨젼 노드로 전송하는 단계 및 상기 플로팅 디퓨젼 노드의 포텐셜에 따른 픽셀 신호를 생성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 레벨은 0 V가 아닌 레벨이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种图像传感器，涉及包括该图像传感器的图像处理系统及其操作方法。 根据本发明的实施例，图像传感器的操作方法包括以下步骤：包括具有光电二极管的多个像素，以累积根据每个入射光产生的光电荷，并通过施加大容量控制来改变光电二极管的电位 信号在接地端子上具有第一电平; 将累积到光电二极管的光电荷传输到浮动扩散节点; 以及根据所述浮动扩散节点的电位产生像素信号，其中所述第一电平是不为0V的电平。
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公开(公告)号：KR1020110050351A
公开(公告)日：2011-05-13
申请号：KR1020100083681
申请日：2010-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/1461 , H01L27/14689
Abstract: PURPOSE: An image sensor is provided to improve the transfer speed of signal charge by forming a transfer transistor to have a surface channel, a side channel, and a buried channel. CONSTITUTION: In an image sensor, a deep well is provided in a semiconductor substrate(10). An element isolation region(15) includes an element isolation film made of an insulating material and also includes an element isolation impurity region. A photoelectric conversion unit is provided in the active region of the semiconductor substrate. A first photoelectric conversion unit(23) includes a first N-type impurity area(22). A second photoelectric conversion unit includes a second N-type impurity region(25).
Abstract translation: 目的：提供一种图像传感器，通过形成具有表面通道，侧通道和埋入通道的转移晶体管来提高信号电荷的传输速度。 构成：在图像传感器中，在半导体衬底（10）中提供深阱。 元件隔离区域（15）包括由绝缘材料制成的元件隔离膜，并且还包括元件隔离杂质区域。 在半导体基板的有源区域设置有光电转换单元。 第一光电转换单元（23）包括第一N型杂质区（22）。 第二光电转换单元包括第二N型杂质区（25）。
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公开(公告)号：KR101727270B1
公开(公告)日：2017-04-17
申请号：KR1020100083681
申请日：2010-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 본발명은이미지센서를제공한다. 상기이미지센서는반도체기판내에수직적으로중첩되어제공된복수개의광전변환부들, 및상기반도체기판내로연장된트랜스퍼게이트를포함함으로써, 많은신호전하가생성되고센싱마진이향상된다. 상기이미지센서의트랜스퍼트랜지스터는표면채널, 사이드채널및 매몰채널을갖기때문에, 신호전하의전달속도가빨라지고이미지래그가거의없어질수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种图像传感器。 图像传感器包括垂直堆叠在半导体衬底中的多个光电转换部分以及延伸到半导体衬底中的传输门，从而产生大量信号电荷并且提高感测裕度。 由于图像传感器的传输晶体管具有表面沟道，侧沟道和掩埋沟道，因此可以增加信号电荷的传输速度并且可以基本上消除图像滞后。
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