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    반도체 박막 제조용 반응기 및 그를 이용한 반도체 박막 제조 방법
    111.
    发明授权
    반도체 박막 제조용 반응기 및 그를 이용한 반도체 박막 제조 방법 有权
    制造半导体薄膜的反应器及其制造方法

    公开(公告)号：KR101271499B1

    公开(公告)日：2013-06-05

    申请号：KR1020110094532

    申请日：2011-09-20

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 고창현 ,  김종남 ,  박종호 ,  한상섭 ,  윤재호 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  곽지혜

    IPC: H01L21/205

    Abstract: 본 발명은 반도체 박막 제조용 반응기 및 그를 이용한 반도체 박막 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 박막 제조용 반응기는 내부에 기판이 수용될 수 있는 공간이 형성된 상태로 상부가 개방되며, 유체가 유입될 수 있는 유입구 및 유출될 수 있는 유출구가 형성된 용기; 상기 용기의 개방된 상부를 덮는 덮개; 및 상기 용기의 하부에 위치하여 기판을 가열하기 위해 상기 용기 측으로 빛을 조사하는 광조사부를 포함하고, 상기 용기의 재질은 빛을 투과할 수 있는 것임을 특징으로 한다. 그러므로 용기는 빛을 투과할 수 있고, 기판은 불투명하게 제작되기 때문에 용기 측으로 빛을 조사할 때, 용기 자체는 가열 되지 않고, 불투명한 기판만 가열되어 기판에 박막을 균일하게 형성할 수 있다는 효과가 있다.

    Ｃｕ-Ｓｅ 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 Ｃｕ-Ｓｅ 박막을 포함하는 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막
    112.
    发明授权
    Ｃｕ-Ｓｅ 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 Ｃｕ-Ｓｅ 박막을 포함하는 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막 有权
    使用CU-SE二元纳米颗粒作为通量的CI（G）S基化合物薄膜的制备方法和由其制备的CI（G）S基化合物薄膜

    公开(公告)号：KR101193106B1

    公开(公告)日：2012-10-19

    申请号：KR1020110071294

    申请日：2011-07-19

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 조아라 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  신기식 ,  안승규

    IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CI(G)S based thin film including a Cu-Se thin film using Cu-Se binary nano particle flux and the CI(G)S based thin film manufactured by the same are provided to obtain a dense structure by filling a gap between particles. CONSTITUTION: Cu-Se binary nano particles an In nano particles are made. Slurry including Cu-Se binary nano particles is made by mixing the Cu-Se binary nano particles, solvents, and a binder. Slurry including In nano particles is made by mixing the In nano particles, the solvents, and the binder. A thin film is formed by alternatively coating a substrate with the slurry including Cu-Se binary nano particles and the slurry including In nano particles. The thin film is thermally processed for 60 to 90 minutes at substrate temperatures of 520 to 550 degrees centigrade by supplying selenium steam. [Reference numerals] (AA) Selenization thermal process; (BB) Cu-Se flux

    Abstract translation: 目的：提供一种使用Cu-Se二元纳米粒子通量的Cu-Se薄膜和由其制造的CI（G）S系薄膜的CI（G）S系薄膜的制造方法， 填充颗粒之间的间隙的结构。 构成：制备Cu-Se二元纳米颗粒和纳米颗粒。 通过混合Cu-Se二元纳米颗粒，溶剂和粘合剂制备包括Cu-Se二元纳米颗粒的浆料。 包括纳米颗粒在内的浆料是通过混合In纳米颗粒，溶剂和粘合剂制成的。 通过用包括Cu-Se二元纳米颗粒和包含In纳米颗粒的浆料的浆料交替地涂布基材来形成薄膜。 通过提供硒蒸汽将薄膜在520至550摄氏度的基板温度下热处理60至90分钟。 （附图标记）（AA）硒化热处理; （BB）Cu-Se焊剂

    이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막
    113.
    发明授权
    이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 ＣＩ(Ｇ)Ｓ계 박막 有权
    使用二元纳米颗粒水和CI（G）S基的化合物薄膜制备CI（G）S基化合物薄膜的制备方法

    公开(公告)号：KR101192289B1

    公开(公告)日：2012-10-17

    申请号：KR1020110070403

    申请日：2011-07-15

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 조아라 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  안세진 ,  신기식 ,  안승규

    IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/0322 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  Y02E10/541

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a CI(G)S based thin film using a binary nano particle hybrid method and the CI(G)S based thin film manufactured by the same are provided to improve the efficiency of a solar cell by densifying the structure of a thin film. CONSTITUTION: CI(G)S based binary nano particles are made using a low temperature colloidal method. The CI(G)S based binary nano particles are selected among a group of Cu-Se, In-Se, Ga-Se, Cu-S, In-S and Ga-S. Hybrid slurry is made by mixing the binary nano particles, a solution precursor including CI(G)S based elements, alcohol based solvents and chelating agents. A CI(G)S based thin film is formed by coating the hybrid slurry. The formed CI(G)S thin film is thermally processed.

    Abstract translation: 目的：提供一种使用二元纳米颗粒混合法制造CI（G）S基薄膜的方法和由其制造的基于CI（G）S的薄膜），以通过使结构致密化来提高太阳能电池的效率 的薄膜。 构成：使用低温胶体法制备CI（G）S基二元纳米颗粒。 CI（G）S二元纳米粒子选自Cu-Se，In-Se，Ga-Se，Cu-S，In-S和Ga-S。 混合浆料是通过混合二元纳米颗粒，包括CI（G）S基元素，醇基溶剂和螯合剂的溶液前体制成的。 通过涂布混合浆料形成基于CI（G）S的薄膜。 形成的CI（G）S薄膜被热处理。

    자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지
    114.
    发明授权
    자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지 有权
    使用全功能加热低温硅胶薄膜

    公开(公告)号：KR101145180B1

    公开(公告)日：2012-05-14

    申请号：KR1020100074576

    申请日：2010-08-02

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 박상현 ,  이정철 ,  조준식 ,  윤경훈 ,  윤재호 ,  안세진

    IPC: H01L31/0445

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본 발명은 실리콘 박막 태양 전지에 관한 것으로서, 특히 태양 전지에서 생산되는 전기 중 일부로 태양 전지의 후면 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고 장기간 동안의 전체 발전량을 개선시킬 수 있는 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지에 대한 것이다. 본 발명의 태양 전지는, 제 1 태양 전지; 제 2 태양 전지; 및 상기 제 2 태양 전지와 전기적으로 접속되며, 상기 제 1 태양 전지 및 상기 제 2 태양 전지의 후면에 위치하는 발열층을 포함한다. 또한, 이에 따라 본 발명은 태양 전지의 일부 태양 전지 셀 라인에서 자체 생산되는 전기로 발열층을 가열하여 태양 전지 후면의 온도를 상승시켜 열화를 감소시키고, 열화에 따른 손상 및 오작동을 방지할 수 있는 자체 전력으로 후면을 가열하는 저열화 실리콘 박막 태양 전지를 제공할 수 있다.

    씨아이예스계 화합물 박막 태양 전지의 후면 전극
    115.
    发明授权
    씨아이예스계 화합물 박막 태양 전지의 후면 전극 有权
    씨아이예스계화합물박막태양전지의후면전극

    公开(公告)号：KR100743923B1

    公开(公告)日：2007-07-30

    申请号：KR1020060012093

    申请日：2006-02-08

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 윤재호 ,  윤경훈 ,  김기환 ,  안병태 ,  김민식 ,  안세진 ,  이정철

    IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0224

    Abstract: A back surface electrode of a CIS(CuInSe2)-based compound thin solar cell is provided to quantify the quantity of added sodium by using a dual layer of sodium-added molybdenum and molybdenum. A first electrode layer is made of molybdenum to which sodium deposited at an argon partial pressure of 5~15 millitorr is added. A second electrode layer is made of molybdenum deposited at an argon partial pressure of 1~4 millitorr. The first and second electrode layers are included in a metal electrode of a CIGS(Cu(In,Ga)Se2)-including CIS-based compound thin solar cell. The lower substrate of the first electrode layer further includes a glass substrate and an alumina layer.

    Abstract translation: 提供基于CIS（CuInSe2）的化合物薄太阳能电池的背表面电极以通过使用添加钼的钼和钼的双层来量化添加的钠的量。 第一电极层由钼制成，向其中加入在氩气分压为5〜15毫托下沉积的钠。 第二电极层由在1〜4毫托的氩气分压下沉积的钼制成。 第一电极层和第二电极层包含在CIGS（Cu（In，Ga）Se2） - 包括CIS-基化合物薄太阳能电池的金属电极中。 第一电极层的下基板还包括玻璃基板和氧化铝层。

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