公开(公告)号：KR1020110003698A

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：KR1020090061100

申请日：2009-07-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  황치선 ,  변춘원 ,  윤성민 ,  박상희 ,  정우석 ,  유민기 ,  정승묵 ,  조경익

IPC: G02F1/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L31/022475 ,  H01L21/02118 ,  H01L51/0053 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13069 ,  Y02B20/36

Abstract: PURPOSE: A transparency information transfer window is provided to maintain the transparency status and to display information, thereby displaying varying information without special restraint not being distracted by viewing. CONSTITUTION: A transparency display(110) displays information in transparency status. A driving unit(130) sanctions a driving signal to the transparency display. A wireless communication unit(150) transceives information wirelessly with an external terminal. A memory unit(170) stores display information.

Abstract translation: 目的：提供透明度信息传输窗口，以保持透明度状态并显示信息，从而显示不同信息，而不受特殊限制，不会因观看而分心。 构成：透明度显示（110）以透明度状态显示信息。 驾驶单元（130）将驾驶信号制裁到透明度显示器。 无线通信单元（150）与外部终端无线地收发信息。 存储单元（170）存储显示信息。

公开(公告)号：KR100993775B1

公开(公告)日：2010-11-12

申请号：KR1020080081810

申请日：2008-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  유민기 ,  황치선 ,  조두희

IPC: H01L21/3063

Abstract: 본 발명은 투명산화물층과 금속층이 교차적으로 다층 적층되어 있는 투명 전도막의 식각용 조성물 및 식각 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 식각용 조성물은 과산화수소, 질산, 염산, 황산 및 인산으로 이루어진 군에서 선택된 식각용 산; 산화물층 및 금속층과 동시에 착화합물을 형성할 수 있는 산; 및 물을 포함하며, 식각 방법은 상기 식각용 조성물을 투명산화물층과 금속층이 교차적으로 다층 적층되어 있는 투명 전도막에 분사하여 식각하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 식각 방법은 단면 특성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다
식각, 다층, 전도성, 박막

公开(公告)号：KR100990217B1

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020080058878

申请日：2008-06-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  양신혁 ,  변춘원 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: H01L29/786 ,  H01B1/08

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 박막용 조성물, 이를 채용한 전계 효과 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막용 조성물은 알루미늄 함유 산화물, 아연 함유 산화물 및 주석 함유 산화물을 포함하며, 400℃ 이하에서 비정질 상태이다. 상기 조성물로 형성된 활성층을 구비한 전계 효과 트랜지스터는 전기적 특성의 개선 뿐만 아니라 저온 공정도 가능하며, 인듐과 갈륨과 같은 비싼 원료 물질이 사용되지 않아 경제성도 갖는다.
산화물, 비정질, 저온 공정, 전계효과, 트랜지스터

公开(公告)号：KR100952425B1

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：KR1020080044268

申请日：2008-05-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  유민기 ,  변춘원 ,  양신혁 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: G02F1/1343 ,  C09D5/24

Abstract: 본 발명은 미세 패터닝이 가능한 다층 투명 전도막에 관한 것으로, 상기 다층 투명 전도막은 ZnO, Al
2 O
3 , SnO
2 및 Sb
2 Ox를 포함하는 산화물층과 Ag를 주성분으로 하는 금속층을 교대로 적층하여 이루어진다. 본 발명에 따른 다층 투명 전도막은 인듐을 사용하지 않으면서, 낮은 면저항을 얻을 수 있으며, 또한 높은 가시광선 투과율을 얻을 수 있다.
전도막, 산화물, 금속

公开(公告)号：KR1020090122546A

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：KR1020080048419

申请日：2008-05-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  유민기 ,  변춘원 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/43 ,  H01B5/14

Abstract: PURPOSE: A multilayer electric component including nothing indium transparent oxide conductive improving the constant resistance is provided to prevent the degradation of an electric component caused by high inter-layer contact resistance by forming low resistance transparent oxide conductive. CONSTITUTION: In a device, n oxide layers and n-1 oxide layers are laminated on the substrate(100) in a transparent oxide conductive(200). An upper functional layer(300) is formed on the transparent oxide conductive. An upper oxide layer(30) of the transparent oxide contacting the functional layer has a contact thickness of 0-10nm. The contact is finger shape. The upper oxide layer includes a first top oxide layer and the second top oxide layer. The thickness of the first top oxide layer is regarded as 90% to 70 about the total thickness of the top oxide layer.

Abstract translation: 目的：提供改善恒定电阻的不含铟透明氧化物导电性的多层电气部件，以通过形成低电阻透明氧化物导电性来防止由高层间接触电阻引起的电气成分的劣化。 构成：在器件中，在透明氧化物导电（200）中，在衬底（100）上层叠n个氧化物层和n-1个氧化物层。 在透明氧化物导电上形成上层功能层（300）。 与功能层接触的透明氧化物的上氧化物层（30）具有0-10nm的接触厚度。 触点是手指形状。 上部氧化物层包括第一顶部氧化物层和第二顶部氧化物层。 第一顶部氧化物层的厚度相对于顶部氧化物层的总厚度为90％至70。

公开(公告)号：KR1020090110193A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：KR1020080058878

申请日：2008-06-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  양신혁 ,  변춘원 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: H01L29/786 ,  H01B1/08

CPC classification number: H01L29/263 ,  H01L29/78693

Abstract: PURPOSE: An oxide semiconductor thin film, an electro magnetic field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to obtain a transparent oxide semiconductor thin film without using metallic element. CONSTITUTION: An oxide semiconductor thin film, an electro magnetic field effect transistor and a manufacturing method thereof include an aluminium contained oxide, a zinc contained oxide, and a contained oxide. The oxide semiconductor thin film is in an amorphous state which is under 400 degrees. The field effect transistor includes a source/drain electrode, a gate insulating layer(30), an active layer(50), and a gate electrode(20) on the substrate.

Abstract translation: 目的：提供氧化物半导体薄膜，电磁场效应晶体管及其制造方法，以获得不使用金属元素的透明氧化物半导体薄膜。 构成：氧化物半导体薄膜，电磁场效应晶体管及其制造方法包括含铝的氧化物，含锌的氧化物和含有的氧化物。 氧化物半导体薄膜处于400度以下的非晶状态。 场效应晶体管在基板上包括源极/漏极，栅极绝缘层（30），有源层（50）和栅电极（20）。

公开(公告)号：KR1020090108516A

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：KR1020080044268

申请日：2008-05-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  유민기 ,  변춘원 ,  양신혁 ,  황치선 ,  추혜용 ,  조경익

IPC: G02F1/1343 ,  C09D5/24

CPC classification number: G02F1/13439 ,  C23C14/086 ,  G02F1/13471 ,  H01L51/5215

Abstract: PURPOSE: A multilayer transparent insulation layer capable of performing minute pattern is provided to indicate etch resistance when forming a contact hole on top of the insulation layer without using indium. CONSTITUTION: A multilayer transparent oxide conductive pattern is as follows. An oxide layer(20) of a metal layer is laminated. The oxide layer includes ZnO, Al2O3 and SnO2. A metal layer(30) includes Ag by a main component. An oxide layer(40) includes Sb2Ox. The thickness of the oxide layer is the range between 55nm and 30nm. The thickness of the metal layer is the range between 12nm and 5nm.

Abstract translation: 目的：提供能够执行微小图案的多层透明绝缘层，以在不使用铟的情况下在绝缘层顶部形成接触孔时表示耐蚀刻性。 构成：多层透明氧化物导电图案如下。 层叠金属层的氧化物层（20）。 氧化物层包括ZnO，Al 2 O 3和SnO 2。 金属层（30）由主要成分构成Ag。 氧化物层（40）包括Sb 2 O x。 氧化物层的厚度在55nm和30nm之间。 金属层的厚度在12nm和5nm之间。

公开(公告)号：KR100859723B1

公开(公告)日：2008-09-23

申请号：KR1020070037955

申请日：2007-04-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송기봉 ,  조두희 ,  김경암 ,  이상수

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명의 박막 트랜지스터는 채널층을 구성하는 비정질상의 칼코게나이드층과, 비정질상의 칼코게나이드층의 양측부에 각각 형성되어 소오스 및 드레인 영역을 구성하는 결정질상의 칼코게나이드층과, 결정질상의 칼코게나이드층에 연결된 소오스 전극 및 드레인 전극과, 비정질상의 칼코게나이드층의 상부 또는 하부에 게이트 절연층을 개재하여 형성된 게이트 전극을 포함한다. 이에 따라, 본 발명은 칼코게나이드층을 광전도층으로 이용하여 광 박막 트랜지스터를 구현하거나, 비정질상의 칼코게나이드층와 결정질상의 칼코게나이드층간의 다이오드 정류 기능을 구비하는 전기 박막 트랜지스터를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080049474A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：KR1020060120079

申请日：2006-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이상수 ,  송기봉 ,  조두희 ,  김경암

IPC: H01L31/0272 ,  H01L29/786 ,  H01L31/14 ,  H01L31/103

CPC classification number: H01L31/0272 ,  H01L29/861 ,  H01L31/103 ,  H01L31/14

Abstract: A hetero-junction diode having an n-type CIS(CuInSe2) and a p-type CuSe is provided to obtain a rectification function by using a stacked structure including a junction of the n-type CIS and the p-type CuSe. An n-type region is made of an n-type CIS. A p-type region is made of a p-type CuSe. A junction is formed between the n-type region and the p-type region. Each of the n-type region and the p-type region is made of a thin film. A cathode is electrically connected to the n-type region. An anode is electrically connected to the p-type region. A CIS layer is formed on a substrate. A CuSe layer is formed on the CIS layer. A first electrode is electrically connected to the CIS layer. A second electrode is electrically connected to the CuSe layer.

Abstract translation: 提供具有n型CIS（CuInSe 2）和p型CuSe的异质结二极管，以通过使用包括n型CIS和p型CuSe的结的堆叠结构来获得整流功能。 n型区域由n型CIS制成。 p型区域由p型CuSe制成。 在n型区域和p型区域之间形成结。 n型区域和p型区域中的每一个由薄膜制成。 阴极与n型区电连接。 阳极电连接到p型区域。 在衬底上形成CIS层。 在CIS层上形成CuSe层。 第一电极电连接到CIS层。 第二电极电连接到CuSe层。

公开(公告)号：KR1020070061170A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020060054904

申请日：2006-06-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  송기봉 ,  정명애 ,  정교일

IPC: F04B35/04 ,  F04D13/06

Abstract: A pump using electromagnetic actuators is provided to obtain a longer driving distance, a high energy density, and a high responding speed with a relatively less voltage. A pump using electromagnetic actuators includes an upper end coil unit(2), a lower end coil unit(3), and a central driving unit(1). The upper end coil unit includes a coil on which electricity flows, and forms a magnetic field according to a direction of a flow of electricity. The lower end coil unit includes a coil on which the electricity flows, and forms the magnetic field according to the flow of the electricity corresponding to the flow of the electricity of the upper end coil unit. The central driving unit is placed between the upper end coil unit and the lower end coil unit, and has one or more than one pump chamber including a permanent magnet. The permanent magnet transports a fluid by reciprocating inside the pump chamber through conversion of a direction of the magnetic field by the upper coil unit and the lower coil unit.

Abstract translation: 提供使用电磁致动器的泵以获得较长的驱动距离，高能量密度和具有较低电压的高响应速度。 使用电磁致动器的泵包括上端线圈单元（2），下端线圈单元（3）和中央驱动单元（1）。 上端线圈单元包括其上流动的线圈，并且根据电流的方向形成磁场。 下端线圈单元包括在其上流动的线圈，并且根据与上端线圈单元的电流的流动相对应的电流形成磁场。 中心驱动单元位于上端线圈单元和下端线圈单元之间，并且具有包括永磁体的一个或多个泵室。 永久磁铁通过上侧线圈单元和下部线圈单元的磁场方向的转换，在泵室内往复运动而输送流体。