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公开(公告)号：CN103889888B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201280048599.5
申请日：2012-10-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·恩古岩 , J·范德尔斯 , W·卡特拉尔斯 , S·伍伊斯特尔 , E·范德海伊登 , H·梅森 , R·科莱 , E·皮特斯 , C·范黑斯克 , A·布里扎尔特 , H·布特斯 , T·朱兹海妮娜 , J·德鲁伊特尔
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C30B1/12 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , Y10T117/10
Abstract: 本发明公开一种图形外延模板，用以对准自组装嵌段聚合物，所述嵌段聚合物适于自组装为具有平行于第一轴线延伸、沿正交的第二轴线相互间隔开并且通过连续第二区域或域分开的不连续第一区域或域的平行行的二维阵列。所述图形外延模板具有基本上平行的第一和第二侧壁，所述第一和第二侧壁平行于第一轴线延伸并且限定第一轴线并且沿第二轴线相互间隔开以提供间隔区，该间隔区适于保持处于衬底上侧壁之间并且平行于侧壁的至少一行不连续第一区域或域，并且通过连续第二区域或域与其分开。所述间隔区具有图形外延成核特征，所述图形外延成核特征被布置用于将至少一个不连续第一区域或域定位在间隔区内的特定位置处。本发明还公开用于形成图形外延模板的方法及其用于器件光刻的应用。
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公开(公告)号：CN105980342A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480072804.0
申请日：2014-12-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C07C43/215 , C08F297/00 , C08F212/08
CPC classification number: C08F293/005 , B81C1/00428 , B81C1/00531 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C07C35/48 , C07C43/215 , C07C43/225 , C07C217/84 , C07C2601/16 , C07D209/48 , C07F7/1804 , C08F12/20 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/32 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F2438/03 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J7/14 , C08J2353/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/162
Abstract: 本发明涉及单体、用于制备嵌段共聚物的方法、嵌段共聚物及其用途。本发明的单体可形成嵌段共聚物，所述嵌段共聚物具有优异的自组装特性和相分离特性且必要时任选地向其提供多种所需的功能。
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公开(公告)号：CN105916904A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480071920.0
申请日：2014-12-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F297/00 , C08F299/00 , C08F212/14 , C08F212/12 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F216/12 , C08L55/00 , C08J5/00 , C08J7/04
CPC classification number: C08F293/005 , B81C1/00428 , B81C1/00531 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C07C35/48 , C07C43/215 , C07C43/225 , C07C217/84 , C07C2601/16 , C07D209/48 , C07F7/1804 , C08F12/20 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/32 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F2438/03 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J7/14 , C08J2353/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/162
Abstract: 本发明可提供嵌段共聚物及其用途。本发明的嵌段共聚物具有优异的自组装特性和相分离特性，并且可任选地具有多种所需功能。
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公开(公告)号：CN103304725B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310139586.5
申请日：2013-02-18
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
IPC: C08F220/14 , C08F220/22 , C09D133/12 , C09D133/16 , B82Y40/00
CPC classification number: B81C1/00031 , B44C1/227 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , Y10T428/24802
Abstract: 自组装结构、其制备方法以及包括其的制品。本申请公开了一种聚合物组合物，其包括由式(1)所示单体或具有式(2)所示结构的单体与具有至少一个氟原子取代基和具有式(3)所示结构的单体反应得到的无规共聚物：
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公开(公告)号：CN105873969A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480071865.5
申请日：2014-12-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F297/00 , C08F230/00 , C08F212/14 , C08F212/12 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08L55/00 , C08J5/00 , C08J7/04 , C08F299/00
CPC classification number: C08F293/005 , B81C1/00428 , B81C1/00531 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C07C35/48 , C07C43/215 , C07C43/225 , C07C217/84 , C07C2601/16 , C07D209/48 , C07F7/1804 , C08F12/20 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/32 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F2438/03 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J7/14 , C08J2353/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/162
Abstract: 本发明可提供嵌段共聚物及其用途。本发明的嵌段共聚物具有优异的自组装特性和相分离特性，并且可具有必要时任选地向其提供的多种功能，例如，蚀刻选择性等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103980648B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410043788.4
申请日：2014-01-29
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: C09D153/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C08F297/026 , G03F7/0002
Abstract: 本发明涉及一种导向自组装共聚物组合物及其相关方法，提供了一种共聚物组合物，该共聚物组合物包括具有聚（苯乙烯）嵌段和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段的嵌段共聚物；其中所述嵌段共聚物的数均分子量MN是1?1000千克/摩尔；以及，其中所述嵌段共聚物的多分散性PD是1?2。还提供了用所述共聚物组合物处理的基材。
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公开(公告)号：CN105307976A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480017158.8
申请日：2014-03-05
Applicant: 南洋理工大学
CPC classification number: G01N21/658 , B05D3/0486 , B05D3/066 , B81C1/00111 , B81C2201/0149 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及在基底上形成纳米棒单层的方法，其中所述纳米棒至少基本上垂直对齐，所述方法包括：在基底上提供包含所述纳米棒的溶液的小滴，以及控制所述溶液的温度和蒸发，使得所述小滴的内部区域保持在接近平衡的状态，以允许形成纳米棒单层。本发明还涉及在所述基底上如此得到的纳米棒单层。本发明还进一步涉及一种光学装置和所述光学装置的用途。
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公开(公告)号：CN105264642A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480031846.X
申请日：2014-04-01
Applicant: 布鲁尔科技公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0331 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08F212/08 , C08F212/32 , C08F293/005 , C08F2438/03 , C08L33/12 , C09D125/08 , C09D125/14 , C09D125/16 , C09D153/00 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , H01L21/31133 , H01L21/31138
Abstract: 提供用于定向自组装(DSA)图案化技术的组合物。还提供用于定向自组装的方法，其中将包含嵌段共聚物的DSA组合物施涂到基材并随后进行自组装以形成所需的图案。所述嵌段共聚物包含具有不同蚀刻速率的至少两种嵌段,从而在蚀刻过程中选择性地除去一种嵌段(例如,聚甲基丙烯酸甲酯)。因为使用添加剂改性蚀刻更慢的嵌段(例如,聚苯乙烯)，以进一步减缓该嵌段的蚀刻速率,更多的更缓慢的蚀刻嵌段得以保留，从而将图案全部转移到下面的层。
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公开(公告)号：CN104662641A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380046681.9
申请日：2013-09-05
Applicant: 株式会社LG化学 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G11B5/855 , B81C1/00396 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08F220/18 , C08F220/56 , C08F2438/03 , G03F7/0002 , G11B5/746 , G11B5/8404 , G11B5/851 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及形成氧化硅纳米图案的方法、形成金属纳米图案的方法以及使用该纳米图案的信息存储用磁性记录介质，所述方法可易于形成纳米点或纳米孔型纳米图案，并且使得使用所述纳米图案形成的金属纳米图案等适用于信息存储等的新一代磁性记录介质。形成氧化硅纳米图案的方法包括：在基底上的氧化硅上形成嵌段共聚物薄膜的步骤，所述嵌段共聚物包括预定的硬链段以及具有基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元的软链段；对准所述薄膜的步骤；从所述嵌段共聚物薄膜选择性地移除所述软链段的步骤；以及使用已移除软链段的嵌段共聚物薄膜作为掩膜通过在所述氧化硅上进行反应离子蚀刻形成氧化硅的纳米点或纳米孔图案。
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公开(公告)号：CN102656111B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201080057273.X
申请日：2010-11-26
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B82Y40/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0392 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/165 , G03F7/325 , G03F7/327 , G03F7/40
Abstract: 一种用于形成包括自组装材料的畴图案的分层结构的方法，包括：在衬底上布置包括非交联光刻胶的光刻胶层；可选地烘焙光刻胶层；将光刻胶层图案式曝光于第一辐射；可选地烘焙已曝光光刻胶层；以及采用非碱性显影剂来显影已曝光光刻胶层以形成包括未交联已显影光刻胶的负性图案化光刻胶层；其中，已显影光刻胶不可溶于适用于浇铸能够自组装的给定材料的给定有机溶剂，并且已显影光刻胶可溶于含水碱性显影剂和/或第二有机溶剂。在图案化光刻胶层上浇铸包括溶解在给定有机溶剂中的能够自组装的给定材料的溶液，并且去除给定有机溶剂。当可选地加热和/或退火已浇铸的给定材料时，允许已浇铸的给定材料自组装，由此形成包括自组装给定材料的畴图案的分层结构。
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