公开(公告)号：US5382315A

公开(公告)日：1995-01-17

申请号：US120264

申请日：1993-09-13

Applicant: Nalin Kumar

Inventor： Nalin Kumar

IPC: H01J9/02 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H05K1/14 ,  H05K3/00 ,  H05K3/04 ,  H05K3/10 ,  H05K3/14 ,  H05K3/18 ,  H05K3/38 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K3/465 ,  H01J9/025 ,  H01L21/4857 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H05K3/045 ,  H05K3/184 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30457 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19041 ,  H05K1/142 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0166 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/2081 ,  H05K2203/0554 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/121 ,  H05K2203/1338 ,  H05K3/0023 ,  H05K3/0041 ,  H05K3/107 ,  H05K3/143 ,  H05K3/146 ,  H05K3/185 ,  H05K3/388 ,  H05K3/4644 ,  H05K3/4661 ,  Y10S438/942

Abstract: A method of forming an etch mask and patterning a substrate. The method includes directing a particle beam at a substrate without using a mask to deposit an etch mask on the substrate which selectively exposes predetermined portions of the substrate, the etch mask consisting of particles mechanically placed on the substrate by the particle beam, and then etching the exposed portions of the substrate through the etch mask to form channels therein. The process is well suited to fabricating high density copper/polyimide multi-chip modules.

Abstract translation: 一种形成蚀刻掩模和图案化衬底的方法。 该方法包括在基板上引导粒子束而不使用掩模在基板上沉积选择性地暴露基板的预定部分的蚀刻掩模，该蚀刻掩模由颗粒束机械地放置在基板上的颗粒组成，然后蚀刻 通过蚀刻掩模的衬底的暴露部分在其中形成通道。 该工艺非常适合制造高密度铜/聚酰亚胺多芯片模块。

公开(公告)号：KR1020050115949A

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：KR1020057020350

申请日：2004-04-26

Applicant: 코닌클리케 필립스 엔.브이.

Inventor： 비세르,휴고,엠. ,  베르스츄렌,마쿠스,에이 ,  빙크,튀니스,제이.

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2329/00

Abstract: A field emission device (1) may be used for emitting electrons in, for example, a field emission display (FED). Field emission tips (40) are used for the emitting of electrons in the field emission device (1). In operation of the field emission device (1) a voltage is applied between a first electrode (4) having electrical contact with the field emission tip (40) and a second electrode (34) to make the field emission tip (40) emit electrons. To form a field emission tip (40) a layer of liquid material is applied on a substrate (2) provided with the first electrode (4). The layer of liquid material is embossed with a patterned stamp and subsequently cured to form a field emission tip structure (20). A conductive film (38) is applied on the field emission tip structure (20) to form a field emission tip (40) that has electrical contact with the first electrode (4).

Abstract translation: 场发射器件（1）可以用于例如场致发射显示器（FED）中的电子发射。 场发射尖端（40）用于场发射装置（1）中的电子发射。 在场致发射器件（1）的操作中，在与场发射尖端（40）电接触的第一电极（4）和第二电极（34）之间施加电压，以使场发射尖端（40）发射电子 。 为了形成场致发射尖端（40），在设置有第一电极（4）的衬底（2）上施加一层液体材料。 液体材料层被压印有图案化的印模并随后固化以形成场致发射尖端结构（20）。 导电膜（38）被施加到场发射尖端结构（20）上以形成与第一电极（4）电接触的场致发射尖端（40）。

公开(公告)号：KR100375848B1

公开(公告)日：2003-03-15

申请号：KR1020000013793

申请日：2000-03-18

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 나카모토마사유키 ,  이노우에아츠오

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30423

Abstract: 본 발명은 전계방출소자의 제조방법 및 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 기판(14)에 대하여 서로 다른 이송방향으로부터 절삭을 실시함으로써 돌기(에미터형상(2))를 형성하는 것으로, 전계방출의 균일성이나 전계방출효율이 뛰어나고 생산성이 높은 전계방출형 냉음극을 얻는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 一种制造具有发射极形状的场致发射装置的方法包括以下步骤：通过切割基材的表面部分形成具有设置有发射极形状的主表面的第一原版;在基片的主表面上形成第一材料层; 其上设置有发射器形状的第一原板; 将第一材料层与第一原板分离，从而获得具有凹部的第二原板，第一原板上的发射体形状被转印到第二原板上;在第二原板的主表面上形成第二材料层，在第二原板上的凹部 提供; 以及将第二材料层与第二原板分离，从而获得具有突起部分的基板，第二原板的凹陷的形状被转印到该突起部分上。

公开(公告)号：KR1020010068442A

公开(公告)日：2001-07-23

申请号：KR1020000000362

申请日：2000-01-05

Applicant: 삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 최준희 ,  차승남 ,  이항우

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30446

Abstract: PURPOSE: An FED(Field Emission Device) and a manufacturing method of the same are provided to be capable of emitting electrons of high current even in low operation voltage by using micro tips having surface roughness of nano scale, and of reducing consumption power by reducing the operation voltage for a gate electrode. CONSTITUTION: A cathode electrode(120) is formed on a substrate(100). A plurality of micro tips(150) are formed on the cathode electrode(120) and has the surface roughness of nano scale. A gate insulating layer(140) is formed on the cathode electrode(120) and provides a plurality of wells(140a) for providing spaces to the plurality of micro tips. A gate electrode(160) is formed on the gate insulating layer(140) to have gates(160a) corresponding to the micro tips. Resistance layer(130) are formed on and/or under the cathode electrode(120).

Abstract translation: 目的：提供一种FED（场致发射装置）及其制造方法，能够通过使用具有纳米尺度的表面粗糙度的微尖端，即使在低操作电压下也能够发出高电流的电子，并且通过减少功率来降低功耗 栅电极的工作电压。 构成：在基板（100）上形成阴极电极（120）。 多个微尖端（150）形成在阴极电极（120）上，具有纳米级的表面粗糙度。 栅极绝缘层（140）形成在阴极电极（120）上并提供多个用于向多个微尖端提供空间的孔（140a）。 栅电极（160）形成在栅极绝缘层（140）上以具有对应于微尖端的栅极（160a）。 电阻层（130）形成在阴极电极（120）上和/或下方。

公开(公告)号：TW200607009A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：TW094122118

申请日：2005-06-30

Applicant: 惠普研發公司 HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.

Inventor： 哈特威爾 彼得G HARTWELL, PETER G. ,  尹武傑 YOON, UIJA

IPC: G01Q ,  H01L ,  G01N

CPC classification number: H01J9/025 ,  G01Q70/16 ,  G01Q80/00 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2329/00

Abstract: 揭示了一種在一底層上製造一尖銳突出物的方法。將一尖端層沉積於一底層上，然後再將一罩層沉積於該尖端層上。該罩層藉由一樑–和–帽狀狀圖案加以圖案化，其用於在罩層裏形成一樑–和–帽狀狀罩。尖端層之未被樑–和–帽狀狀罩所覆蓋的部分被各向同性地蝕刻從而形成了包括一頂峰的一尖端。樑–和–帽狀狀罩之樑部分支撐帽狀部分並且防止在各向同性蝕刻製程過程中帽狀部分的釋開。各向異性蝕刻製程可先於各向同性蝕刻製程使用，以改變尖端的特徵。底層可被圖案化和蝕刻，從而形成一包括尖銳突出物的懸臂，該尖銳突出物從懸臂表面向外延伸。

Abstract in simplified Chinese: 揭示了一种在一底层上制造一尖锐突出物的方法。将一尖端层沉积于一底层上，然后再将一罩层沉积于该尖端层上。该罩层借由一梁–和–帽状状图案加以图案化，其用于在罩层里形成一梁–和–帽状状罩。尖端层之未被梁–和–帽状状罩所覆盖的部分被各向同性地蚀刻从而形成了包括一顶峰的一尖端。梁–和–帽状状罩之梁部分支撑帽状部分并且防止在各向同性蚀刻制程过程中帽状部分的释开。各向异性蚀刻制程可先于各向同性蚀刻制程使用，以改变尖端的特征。底层可被图案化和蚀刻，从而形成一包括尖锐突出物的悬臂，该尖锐突出物从悬臂表面向外延伸。

公开(公告)号：TW200423182A

公开(公告)日：2004-11-01

申请号：TW093111619

申请日：2004-04-26

Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Inventor： 修果 馬修 斐塞 VISSER, HUGO MATTHIEU ,  馬克斯 安東尼斯 維勤寧 VERSCHUUREN, MARCUS ANTONIUS ,  突尼斯 强納司 分克 VINK, TEUNIS JOHANNES

IPC: H01J

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2329/00

Abstract: 一種可用於在一場發射顯示器中發射電子之場發射裝置(1)。場發射尖端(40)被用於在場發射裝置(1)中發射電子。在場發射裝置(1)之操作中，在與場發射尖端(40)有電接觸之第一電極(4)與第二電極(34)間施加一電壓而使該場發射尖端(40)發射電子。為形成場發射尖端(40)，在備有該第一電極(4)之一基板(2)上施加一液體材料層。該液體材料層以一圖案化之印模加以壓花並隨後使之硬化而形成一場發射尖端結構(20)。在該場發射尖端結構(20)上施加一導電膜(38)而形成一與第一電極(4)有電接觸之場發射尖端(40)。

Abstract in simplified Chinese: 一种可用于在一场发射显示器中发射电子之场发射设备(1)。场发射尖端(40)被用于在场发射设备(1)中发射电子。在场发射设备(1)之操作中，在与场发射尖端(40)有电接触之第一电极(4)与第二电极(34)间施加一电压而使该场发射尖端(40)发射电子。为形成场发射尖端(40)，在备有该第一电极(4)之一基板(2)上施加一液体材料层。该液体材料层以一图案化之印模加以压花并随后使之硬化而形成一场发射尖端结构(20)。在该场发射尖端结构(20)上施加一导电膜(38)而形成一与第一电极(4)有电接触之场发射尖端(40)。

公开(公告)号：TW413828B

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：TW085108376

申请日：1996-07-08

Applicant: 日本電氣股份有限公司

Inventor： 岡本明彥

IPC: H01J

CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J2201/30407

Abstract: 本發明提供一種電子槍的閘極結構，電子槍具有在第一電位的場致發射冷陰極。閘極結構包括下列元件:第一閘極在陰極頂點周圍有一第一開口部位,第一閘極上的第二電位比第一電位高,使電子自陰極頂點發射出來。沿平行於電子自陰極頂點發射出之行進方向與第一閘極隔開處,至少有一具第二開口部位的第二閘極。第二閘極之第三電位,高於第一電位而低於第二電位以產生一種抑制電子發射的電流-電壓特性,特別是在低電流區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电子枪的闸极结构，电子枪具有在第一电位的场致发射冷阴极。闸极结构包括下列组件:第一闸极在阴极顶点周围有一第一开口部位,第一闸极上的第二电位比第一电位高,使电子自阴极顶点发射出来。沿平行于电子自阴极顶点发射出之行进方向与第一闸极隔开处,至少有一具第二开口部位的第二闸极。第二闸极之第三电位,高于第一电位而低于第二电位以产生一种抑制电子发射的电流-电压特性,特别是在低电流区。