公开(公告)号：CN107112074A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580071521.9

申请日：2015-10-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 加藤大贵 ,  藤野望 ,  梨木智刚

IPC: H01B5/14 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  G06F3/041

Abstract: [课题]实现以高水平维持光学特性(透过率、透明导电层的图案视觉识别性等)、并且即使在高温高湿环境下基材薄膜与透明导电层等的密合性也高的透明导电性薄膜。[解决方案]透明导电性薄膜(10)具备：透明的基材薄膜(11)、基材薄膜(11)的一个主面上的厚度1.5nm～8nm的防剥离层(12)、防剥离层(12)上的厚度10nm～25nm的光学调整层(13)、以及光学调整层(13)上的具有图案的透明导电层(14)。从透明导电层(14)侧测定的透过Y值为88.0以上，图案部(15)与非图案部(16)的反射色差ΔE为7.0以下。

公开(公告)号：CN103093863B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210418908.5

申请日：2012-10-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山崎润枝 ,  梨木智刚 ,  石桥邦昭

IPC: H01B5/14 ,  G06F3/044

CPC classification number: G06F3/044 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜（10），其具有透明的第一薄膜（11）、透明电极图案（12）、透明粘接剂层（13）和透明的第二薄膜（14），第一薄膜11）与第二薄膜（14）隔着透明粘接剂层（13）层叠，第一薄膜（11）的厚度为15μm~55μm。第二薄膜14）的厚度为第一薄膜（11）的厚度的1.5倍~6倍。透明粘接剂层（13）是厚度为0.01μm以上且小于10μm的固化粘接剂层。

公开(公告)号：CN105492655A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480047600.1

申请日：2014-09-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梨木智刚 ,  加藤久登 ,  别府浩史 ,  梶原大辅 ,  高见佳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种透明导电性膜的制造方法，可以更高速度地形成被低电阻化了的透明导电层。本发明是包括在基材膜上利用溅射法由含有铟-锡复合氧化物的靶形成透明导电层的工序的透明导电性膜的制造方法，所述溅射法是在溅射成膜装置的每1个溅射室具备的2个所述靶处分别连接DC电源而进行的DC双靶溅射法。

公开(公告)号：CN105473756A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201580001616.3

申请日：2015-05-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  上田恵梨 ,  黑瀬爱美 ,  梨木智刚

IPC: C23C14/08 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/44 ,  C23C14/58 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/58 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01B1/02 ,  H01B3/426 ,  H01B3/427 ,  H01L31/022466

Abstract: 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc-na)2+(μc-μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。

公开(公告)号：CN103733169A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280040378.3

申请日：2012-06-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 岸冈宏昭 ,  马场纪秀 ,  本上满 ,  永冈直树 ,  五十岚一雅 ,  长谷川由纪 ,  和田博 ,  椿友纪 ,  梨木智刚

IPC: G06F3/044 ,  B32B7/02 ,  G06F3/041

CPC classification number: G06F3/044 ,  B23B27/08 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/283 ,  B32B27/308 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/40 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2457/20 ,  B32B2457/208 ,  C09J7/24 ,  C09J133/08 ,  C09J2203/318 ,  C09J2433/00 ,  C09J2433/006 ,  G02F1/13338 ,  H01L27/323 ,  H03K17/962

Abstract: 本发明提供一种灵敏度得到了提高且可用于图像显示面板等的静电电容式触摸面板。该静电电容式触摸面板依次叠层有视窗、第一透明膜和第二透明膜，所述第一透明膜在其一个表面上形成有第一透明导电电极图案，所述第二透明膜在其一个表面上形成有第二透明导电电极图案，该第二透明导电电极图案与所述第一透明电极图案相对配置，使得在所述第二透明导电电极图案与所述第一透明导电电极图案之间形成静电电容，其中，在所述视窗与所述第一透明膜之间具备第一透明层间树脂，在所述第一透明膜与所述第二透明膜之间具备第二透明层间树脂，且所述第一透明层间树脂的介电常数大于所述第二透明层间树脂的介电常数。

公开(公告)号：CN103345962A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310269101.4

申请日：2012-09-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 梨木智刚 ,  拝师基希 ,  野口知功 ,  石桥邦昭 ,  梶原大辅

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/08

CPC classification number: H05K1/0274 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103 ,  H01L31/1884 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0326 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。

公开(公告)号：CN103314127A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201180063189.3

申请日：2011-12-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山崎由佳 ,  村冈阳子 ,  待永广宣 ,  梨木智刚 ,  宫崎司

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  B32B15/08 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B5/14 ,  C23C14/024 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明的目的在于，提供重载荷下的打点特性和耐弯曲性优异的透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜中，在挠性透明基材1上形成由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层3，透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。透明导电层3可以通过对由非晶质的铟·锡复合氧化物构成的非晶质透明导电层加热来得到。优选加热时透明导电层被赋予压缩应力。另外，优选由加热引起的透明导电层的尺寸变化在至少面内的一个方向为-0.3%～-1.5%。

公开(公告)号：CN102543301B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201110346352.9

申请日：2011-11-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 拝师基希 ,  梨木智刚 ,  野口知功 ,  浅原嘉文

IPC: H01B13/00 ,  B32B9/04 ,  B32B27/00

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/5806 ,  G06F3/044 ,  G06F3/045 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明提供能缩短结晶化时间的透明导电性膜的制造方法。其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电层的透明导电性膜的制造方法，其具有如下所述的形成铟系复合氧化物的非晶质层的工序(A)和工序(B)，所述工序(A)包含在所述透明的膜基材上依次实施通过溅射堆积以4价金属元素的氧化物的比例为3～35重量％的铟系复合氧化物的工序(A1)和通过溅射堆积氧化铟或所述4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量％以下、且所述4价金属元素的氧化物的比例比工序(A1)中使用的铟系复合氧化物小的铟系复合氧化物工序(A2)，所述工序(B)通过加热所述非晶质层使其结晶化，形成铟系复合氧化物的结晶质的透明导电层。

公开(公告)号：CN102971447A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180033531.5

申请日：2011-07-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山崎由佳 ,  梨木智刚 ,  菅原英男

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/58 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/024 ,  C23C14/562 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明的目的在于，制造在透明薄膜基材上形成有结晶的铟系复合氧化物膜的长条状的透明导电性薄膜。本发明的制造方法具有：非晶层叠体形成工序，其中，通过溅射法在所述长条状透明薄膜基材上形成含有铟和四价金属的铟系复合氧化物的非晶膜；以及结晶化工序，其中，形成有所述非晶膜的长条状透明薄膜基材被连续地输送至加热炉内，所述非晶膜被结晶化。相对于铟和四价金属共计100重量份，前述铟系复合氧化物优选含有超过0重量份且为15重量份以下的四价金属。

公开(公告)号：CN102956287A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210307081.0

申请日：2012-08-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山崎由佳 ,  梨木智刚 ,  菅原英男

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/024 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5873 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103 ,  Y10T428/266

Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜及其制造方法。挠性透明基材上具有结晶性的透明导体层的透明导电性薄膜中，即使透明导体层被图案化，在组装到了触摸屏等中时，也能抑制由看到图案开口部与图案形成部的边界导致的美观性降低。一种在挠性透明基材的一个面上形成有由结晶性导电性金属氧化物形成的透明导体层的透明导电性薄膜，挠性透明基材的厚度为80μm以下。本发明的透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H1与将通过蚀刻去除了透明导体层的透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H2之差H1-H2为-0.02%~0.043%。因此，可减小组装到了触摸屏等中时图案边界处的台阶差，抑制美观性降低。