公开(公告)号：KR100626406B1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：KR1020040104422

申请日：2004-12-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  박종극

IPC: C23C14/35

Abstract: 본 발명은 내산화성 및 내마모성이 우수한 TiAlN계 다층 경질박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Al 함량이 서로 다른 TiAlN 막이 다층으로 적층되어 경도 값이 40 GPa 이상으로 조절된 초경도의 단위층(A)과, Al 함량이 70% 이상으로 높아 내산화성이 뛰어난 TiAlN 막이 단층으로 적층된 25 ∼ 30 GPa 경도의 단위층(B)이 일정 두께 비율로 반복적으로 적층된 층 구조를 이루고 있음으로써, 내마모성과 내산화성을 동시에 증진시킴은 물론 기존 피복 코팅박막에 비해 높은 경도 값을 갖는 새로운 미세구조의 TiAlN계 다층 경질박막에 관한 것이다.
복합 적층 박막, TiAlN, 경도, 내산화성, 내마모성

公开(公告)号：KR100312187B1

公开(公告)日：2001-11-05

申请号：KR1019990049787

申请日：1999-11-10

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  학교법인 명지학원

Inventor： 전동렬 ,  백은송 ,  백영준

IPC: H01J1/30

Abstract: 본발명은다이아몬드를이용한전계전자방출소자제조방법에관한것이다. 본발명의제조방법은기판표면을전처리하여미세하게스크레치를가하는단계, 상기기판에절연막과제 1 감광막을차례로증착하는단계, 상기제 1 감광막을패터닝하는단계, 상기제 1 감광막을마스크로하여상기절연막을식각하는단계, 상기제 1 감광막을제거하는단계, 다이아몬드를상기기판위에증착하는단계, 상기다이아몬드를플라즈마식각하여위스커를생성시키는단계, 상기식각된절연막을제거하는단계, 상기위스커에게이트절연막, 게이트금속막및 제 2 감광막을차례로증착하는단계, 상기제 2 감광막을패터닝하는단계, 상기제 2 감광막을마스크로하여상기게이트금속막을식각하는단계와상기제 2 감광막을제거하고상기위스커위부분의상기게이트절연막을제거하는단계를포함하여구성된다. 본발명의다른제조방법은기판의표면을전처리하여미세하게스크레치하는단계, 상기기판에게이트절연막, 게이트금속막, 절연막및 감광막을차례로증착하는단계, 상기감광막을패터닝하는단계, 그리고상기감광막을마스크로하여절연막, 게이트금속막및 게이트절연막을식각하는단계, 상기감광막제거후, 다이아몬드를상기기판위에증착하는단계, 상기다이아몬드를플라즈마식각을하여위스커를생성시키는단계, 그리고, 상기절연막을제거하는단계를포함하여구성된다. 만약, 상기다이아몬드를위스커대신팁의형태로하려면, 상기다이아몬드를상기기판위에증착하는단계다음으로상기절연막을제거한후, 상기게이트금속막및 다이아몬드에절연막을증착하는단계, 상기절연막을패터닝하는단계, 패싯팅(facetting) 현상을이용하여상기절연막및 다이아몬드를식각하여원뿔형다이아몬드팁을형성하는단계를포함하여구성된다. 이러한방법으로제조된전계방출소자는최소의전압으로최대의전류를방출할수 있으며, 게이트절연막을최대한두껍게하여게이트에인가되는전압을크게하면서도게이트누설전류는줄일수 있다.

公开(公告)号：KR100307310B1

公开(公告)日：2001-10-29

申请号：KR1019990018825

申请日：1999-05-25

Applicant: 학교법인 명지학원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  백은송 ,  전동렬

IPC: B82B3/00 ,  C01B21/06 ,  C30B29/04 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  C01B33/06 ,  C30B25/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/04 ,  C30B29/605 ,  H01J2201/30457

Abstract: 본발명은직경이나노크기인다이아몬드나노휘스커제조방법에관한것으로, 종래에는직경이나노크기인다이아몬드휘스커를제조할수 없었으며, 이에본 발명은기판의상부에다이아몬드막을형성하고, 이종물질간에박막을형성함에있어서초기핵형성단계에서나타나는다양한박막표면구조를이용하여상기다이아몬드막에이종물질의나노크기를갖는마스크패턴을형성하고, 상기나노크기의마스크패턴을식각마스크로사용하여반응성식각에의하여상기다이아몬드막을식각하는단계로이루어지는나노크기의다이아몬드휘스커제조방법을제공한다. 상기마스크패턴은핵이비연속적으로서로분리된상태의아이랜드(island) 성장에의한박막표면구조또는표면이울퉁불퉁한스트란스키-크라스타노프(Stranski-Krastanov) 성장에의한박막표면구조인것을특징으로한다. 본발명에의하면다이아몬드를사용한다양한복합소재를제조할수 있으며, 또한, 새로운형태의전계방출냉 음극으로응용을가능케하여우수한성능의전계방출소자의실용화를앞당길수 있다.

公开(公告)号：KR100302457B1

公开(公告)日：2001-10-29

申请号：KR1019990011854

申请日：1999-04-06

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  백영준 ,  은광용

IPC: H01L21/208

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32541

Abstract: 본발명은다이아몬드막 증착방법에관한것으로, 열필라멘트상부전극을사용하지않고, 별도의자기장을인가하지않으며, 안정저항을사용하지않고도직경이 100mm 이상인기판상에균일한대직경플라즈마가형성되게하고, 장시간안정되게유지되게함으로써, 최대직경 4인치이상, 최대두께수백μm 이상의다이아몬드후막을평면혹은곡면기판, 그리고 Si 웨이퍼상에증착시킬수 있다.

公开(公告)号：KR100305315B1

公开(公告)日：2001-09-13

申请号：KR1019990012546

申请日：1999-04-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  이욱성 ,  은광용 ,  채기웅

IPC: B23P5/00

CPC classification number: C23C14/044 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/27 ,  Y10T428/30

Abstract: 본발명은다이아몬드막이코팅된절삭공구및 그제조방법에관한것으로, 초경모재에탈탄열처리와탄화열처리작업을실시하여비정상입자성장이일어남에따라초경모재의표면조도가증가되도록한 다음, 그와같이표면조도가증가된초경모재의표면에다이아몬드막을증착하여다이아몬드막의밀착력을향상시키는방법으로, 이와같은다이아몬드막의밀착력향상방법을이용하면모재의타탄화물및 Co의함량과, 초경입자의크기제한없이우수한인성과절삭에문제가없는접착력을갖는다이아몬드막이코팅된절삭공구를제작하는것이가능하다.

公开(公告)号：KR1020010028432A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990040683

申请日：1999-09-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 유명기 ,  이욱성 ,  백영준

IPC: B24B9/16

Abstract: PURPOSE: A parallelly grinding method for the both sides of a single crystal diamond for wire drawing dies is provided to efficiently grind a parallel face for holes to use the diamond as the drawing die and to grind many single crystal diamonds at the same time with a low cost in a metal lapping method. CONSTITUTION: Reacting structure of a metal lapping method is composed of a lower punch (2), an alumina plate (5), a metal plate material (3), a single crystal diamond (1), a metal plate material (4), an alumina plate (6) and an upper punch sequentially layered. A cylindrical body (9) is installed in the layering structure from upside down. Further, an alumina plate (7) is put on the upper punch and a load (10) is applied to the alumina plate (7). Metal plate materials are processed using pure Fe, low carbon steel or an Fe-Mn alloy ingot or a bar. The ingot or the bar shaped metal plate material is cut in 5 to 10mm and polished. The alumina plate (5) protects the metal plate material (3) from the lower punch and more than three single crystal diamonds are arranged on the metal plate material. The single crystal diamond is contacted between two metal plate materials and the upper punch is inserted into the cylindrical body to planarize the upper and the lower face of the single crystal diamond. Then, 0.1 to 3kg of the load is applied to the alumina plate (7) on the upper punch to continuously contact the single crystal diamond. The structure is heated to 700-1150deg.C for 0.5 to 10 hours under an argon-hydrogen mixed gas or a vacuum atmosphere to react the contact portion between the metal plate materials and the single crystal diamond. After the metal lapping method, the reacting layer is removed by sulfuric acid-nitric acid solution.

Abstract translation: 目的：提供用于拉丝模具的单晶金刚石两面的平行研磨方法，以有效地研磨平行的孔，以使用金刚石作为拉丝模，并同时研磨许多单晶钻石 低成本的金属研磨方法。 构成：金属研磨方法的反应结构由下冲头（2），氧化铝板（5），金属板材（3），单晶金刚石（1），金属板材（4）， 氧化铝板（6）和上冲头顺序层压。 圆筒体（9）从上下颠倒地安装在分层结构中。 此外，将氧化铝板（7）放在上冲头上，并将负载（10）施加到氧化铝板（7）上。 金属板材使用纯Fe，低碳钢或Fe-Mn合金锭或棒进行加工。 将锭或棒状金属板材料切割成5至10mm并抛光。 氧化铝板（5）保护金属板材料（3）免受下冲头的冲击，并在金属板材上布置三颗以上的单晶金刚石。 单晶金刚石在两个金属板材料之间接触，上冲头插入圆柱体中以使单晶金刚石的上表面和下表面平坦化。 然后，将0.1〜3kg的载荷施加到上冲头的氧化铝板（7）上，以连续接触单晶金刚石。 将该结构在氩 - 氢混合气体或真空气氛下加热至700-1150℃，保持0.5〜10小时，使金属板材与单晶金刚石的接触部分反应。 金属研磨法后，通过硫酸 - 硝酸溶液除去反应层。

公开(公告)号：KR1020000052286A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：KR1019990018826

申请日：1999-05-25

Applicant: 학교법인 명지학원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  백은송 ,  전동렬

IPC: H01J9/02

Abstract: PURPOSE: An improved diamond tip for a cold-electron field emission device and a fabricating method thereof are provided to improve characteristics of the field emission device, to enable various formations of the device, and further to simplify a fabrication process. CONSTITUTION: A diamond layer(2) is deposited on a substrate(1) made of various materials such as silicon, glass, ceramic, or metal. Next, a mask layer(3) such as oxide or nitride is deposited on the diamond layer(2), and then patterned to partly expose the underlying diamond layer(2). Next, a dry etch process is performed so that the exposed diamond layer(2) is etched. In particular, etched portions of the diamond layer(2) is tapered down because of sputter and facet of the mask layer(3), and consequently a plurality of conical diamond tips are formed on the substrate(1). The dry etch process preferably employs a reactive plasma etch using a radio-frequency plasma, microwave plasma, or electro-cyclotron resonance plasma, or reactive ion-beam etch. Besides, an additional etch process using hydrogen plasma may be further performed after the formation of the conical diamond tips.

Abstract translation: 目的：提供一种用于冷电子场致发射器件的改进的金刚石尖端及其制造方法，以改善场发射器件的特性，以实现器件的各种形成，并进一步简化制造工艺。 构成：金刚石层（2）沉积在由诸如硅，玻璃，陶瓷或金属的各种材料制成的基底（1）上。 接下来，在金刚石层（2）上沉积诸如氧化物或氮化物的掩模层（3），然后将其图案化以部分地暴露下面的金刚石层（2）。 接下来，进行干蚀刻处理，以使得暴露的金刚石层（2）被蚀刻。 特别地，金刚石层（2）的蚀刻部分由于掩模层（3）的溅射和刻面而逐渐下降，因此在基板（1）上形成多个锥形金刚石尖端。 干蚀刻工艺优选采用使用射频等离子体，微波等离子体或电回旋共振等离子体或反应离子束蚀刻的反应等离子体蚀刻。 此外，可以在形成锥形金刚石尖端之后进一步进行使用氢等离子体的附加蚀刻工艺。

公开(公告)号：KR1020000052285A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：KR1019990018825

申请日：1999-05-25

Applicant: 학교법인 명지학원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  백은송 ,  전동렬

IPC: B82B3/00 ,  C01B21/06 ,  C30B29/04 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  C01B33/06 ,  C30B25/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/04 ,  C30B29/605 ,  H01J2201/30457

Abstract: PURPOSE: A method for preparing diamond nano whisker is provided, which is prepared at the low temperature using mask production in real time and anisotropic etching character of diamond. CONSTITUTION: A method for preparing diamond nano whisker comprises the steps of: deposition process of diamond to form diamond film on the upper part of the board; formation process of mask to be formed as nano size on the upper part of the diamond film using nuclear formation reaction of shaping; formation process of diamond whisker of nano size by etching process using the mask pattern of the nano size as etching mask.

Abstract translation: 目的：提供一种制备金刚石纳米晶须的方法，该方法在低温下使用实时的掩模制备和金刚石的各向异性蚀刻特性制备。 构成：制备金刚石纳米晶须的方法包括以下步骤：在金刚石的上部沉积金刚石以形成金刚石膜; 使用成核反应形成金刚石膜上部的纳米尺寸的掩模的形成过程; 通过使用纳米尺寸的掩模图案作为蚀刻掩模的蚀刻工艺，形成纳米尺寸的金刚石晶须。

公开(公告)号：KR100155067B1

公开(公告)日：1998-11-16

申请号：KR1019950023803

申请日：1995-08-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이재갑 ,  백영준 ,  은광용

IPC: C30B31/06

Abstract: 본 발명은 열 플라즈마를 형성하는 직류 방전 플라즈마 화학 증착법(DCPACVD)을 이용하여 다이아몬드 후막 합성시에 메탄 조성 및 증착온도를 변화시킴으로써 집합조직(texture)을 조절하여 다이아몬드 표면 조도를 최소화하고 양질의 다이아몬드를 고속으로 합성하는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019970063343A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960002455

申请日：1996-02-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 은광용 ,  백영준

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 본 발명은 전계 방출부로 사용할 수 있는, 선단의 곡률이 큰 다이아몬드 팁 제조방법에 관한 것으로, 기판위에, 표면 조직이 정사각형의 (100)면과 주위의 (111)면으로 이루어지고 다이아몬드의 성장면인 (100)면과 (111)면 뒤에 각각 형성된 다이아몬드의 결함 밀도가 서로 다른, 다이아몬드 주상입자로 이루어지는 다이아몬드 막을 형성하는 단계 및 상기 다이아몬드 막을 산소 함유 기체를 사용한 플라즈마로 식각하는 단계로 이루어진다. 본 발명의 또다른 방법은 기판 위에, 표면 조직이 정사각형의 (100)면과 주위의 (111)면으로 이루어지고 다이아몬드의 성장면인 (100)면과 (111)면 뒤에 각각 형성된 다이아몬드의 결함 밀도가 서로 다른, 다이아몬드 주상입자로 이루어지는 다이아몬드 막을 형성하는 단계; 상기 다이아몬드막 위에 지지후막을 형성하는 단계 및 상기 기판을 제거하는 단계로 이루어지고, 상기 단계 중 어느 한 단계 이후에 상기 다이아몬드막을 산소 함유 기체를 사용한 플라즈마로 식각하는 것으로 이루어진다.