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121.发明授权텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 有权具有双层纹理结构的具有纹理层和聚氯乙烯太阳能电池的聚碳酸酯太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：KR101334055B1
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：KR1020120030083
申请日：2012-03-23
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L31/0547 , H01L31/0749 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 텍스처층을 형성하는 단계; 상기 텍스처층에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 텍스처층에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 텍스처층; 상기 텍스처층 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 텍스처층 표면의 텍스처 구조에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명은 전면텍스처와 텍스처층의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능을 크게 증가시킴으로써, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR101269608B1
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：KR1020110028388
申请日：2011-03-29
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/054 , H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 박막 태양전지용 후면반사막에 관한 것으로, 기판의 반대쪽에서 빛이 입사하는 하판(substrate)형 박막 태양전지용 후면반사막으로서, 상기 기판 위에 형성된 알루미늄층을 포함하여 구성되고, 상기 알루미늄층에는 Si, O, Cu 및 Pt 중에서 선택된 적어도 하나이상의 물질이 도핑되며; 상기 도핑된 알루미늄층은 도핑된 불순물에 의해 수직방향의 결정성장이 강화되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 후면반사막의 조도를 향상시킴으로써, 후면반사막에서의 가시광 및 장파장 영역의 산란 반사도를 높일 수 있으며, 최종적으로 박막 태양전지의 광포획도를 높여서 변환효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 종래에 후면반사막의 재료로 사용되던 고가 재료인 은의 사용량을 줄임으로써, 전체 박막 태양전지의 제조비용을 낮출 수 있는 효과가 있다.
나아가, 종래의 후면반사막에 비하여 낮은 제조온도에서도 표면조도를 높일 수 있으며, 얇은 두께로도 종래에 비하여 유사 또는 뛰어난 반사효율을 나타낸다.-
123.发明授权태양전지 열화가속장치, 그의 최대 부하점 추적 장치, 태양전지 열화가속방법 및 그의 최대 부하점 추적방법 有权太阳能电池降温加速装置，其最大负载点振荡装置，太阳能电池加速方法最大负载点变化方法
公开(公告)号：KR101232648B1
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：KR1020110065323
申请日：2011-07-01
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양전지의 열화를 가속하는 장치에 관한 것으로; 더욱 상세하게는 태양전지가 시간이 지남에 따라 지속적으로 출려기 감소되는 현상인 열화가 태양전지에서 얼마나 발생하는지를 확인할 수 있는 태양전지 열화가속장치 및 태양전지 열화가속장치에 추가적으로 장착이 가능한 최대 부하점 추적 장치에 관한 것으로, 태양전지를 고정하고, 태양전지에서 출력되는 전력을 측정하며, 측정된 최대 전력 값을 이용하여 태양전지와 전기적으로 연결된 부하의 부하 값을 제어하는 태양전지 열화가속장치를 제공한다. 그럼으로써, 태양전지의 열화에 미치는 변수에 부하에 대한 변수를 적용하여 태양전지가 열화되는 정도를 더욱 정확하게 예측할 수 있다는 효과가 있다.
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124.发明授权
公开(公告)号：KR101199221B1
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：KR1020100090012
申请日：2010-09-14
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0216 , H01L21/20
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L31/03682 , H01L31/1804 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 실리콘계 나노입자 박막 증착방법, 실리콘계 나노입자 박막 및 이를 위한 실리콘계 나노입자 박막 증착장치가 제공된다.
본 발명에 따른 실리콘계 나노입자 박막 증착방법은 실리콘계 나노입자를 합성하는 합성단계; 및 상기 실리콘계 나노입자를 기판에 제 1 증착시키는 증착단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 실리콘계 나노입자 증착 방법 및 장치는, 합성된 실리콘계 나노입자를 또 다른 공정에서 전처리하지 않고, 합성과 동시에 기판에 증착시키므로, 나노입자 오염에 따른 전지효율 저하의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 단일 시스템에서 합성과 증착이 진행되므로 경제성이 우수하며, 더 나아가, 나노입자의 속도 및 기판 높이를 조절함으로써 대면적 기판에서 원하는 형태의 나노입자 박막의 증착이 가능하다.-
公开(公告)号：KR1020120012562A
公开(公告)日：2012-02-10
申请号：KR1020100074576
申请日：2010-08-02
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445
Abstract: PURPOSE: A silicon thin film solar cell with low deterioration is provided to prevent damage and malfunction due to deterioration by increasing temperature at a back side of a solar cell. CONSTITUTION: A heating layer(150) is arranged in one side of a first aspect cell(100a) and a second solar cell(100b). The heating layer is electrically connected with the second solar cell. The first solar cell and the second solar cell are integrally formed. The heating layer includes a hot wire. A temperature sensor(160) measures the temperature of the solar cell.
Abstract translation: 目的：提供低劣化的硅薄膜太阳能电池，以防止由于太阳能电池背面的温度升高而导致的损坏和故障。 构成：在第一方面电池（100a）和第二太阳能电池（100b）的一侧设置加热层（150）。 加热层与第二太阳能电池电连接。 第一太阳能电池和第二太阳能电池一体形成。 加热层包括热丝。 温度传感器（160）测量太阳能电池的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101032890B1
公开(公告)日：2011-05-06
申请号：KR1020090008933
申请日：2009-02-04
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 태양전지의 CIS계 화합물 박막 제조에서의 버퍼층인 CdS 및 Cd-free 버퍼를 용액성장법에 의해 제조하되 버퍼층의 두께를 측정하기 위한 수단으로 진동자를 사용해 진동수를 감지하거나, 레이져의 광투과 정도를 감지하여 박막의 두께를 모니터링해 버퍼층이 일정한 두께로 형성되도록 하는 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법에 관한 것이다.
상기 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법은, 박막조성원소가 함유된 수용액이 저장되고 상기 수용액을 가열하는 가열수단과 수용액을 교반시키는 교반수단을 구비한 수조에 기판을 담그는 과정과, 상기 기판의 표면에서 박막을 성장시켜 버퍼층을 형성하는 과정을 포함하는 용액성장법(CBD)을 이용한 CIS계 박막 태양전지용 버퍼층 제조방법에 있어서, 상기 버퍼층형성과정에는 박막의 두께를 측정하는 과정이 포함된다.
또한, 상기 박막의 두께를 측정하는 과정은, 기판을 수용액에 담글 때 진동자를 함께 담그는 단계와; 상기 수용액에 담긴 진동자가 박막성장에 따라 감소되는 진동수를 측정하는 단계와; 상기 측정한 측정데이터와 표준데이터를 비교하여 박막의 두께를 추산하는 단계와; 상기 측정데이터와 표준데이터에서의 선택된 값이 일치할 때 기판을 수조에서 꺼내는 기판회수단계;를 포함하여 이루어진다.
태양전지, 기판, 박막, 버퍼층, 두께측정, 진동자-
公开(公告)号：KR1020100089603A
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：KR1020090008933
申请日：2009-02-04
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a buffer-layer for a CIS-based thin film solar cell is provided to form a thin film having a desired thickness while minimizing an error range by checking the degree of thin film growth. CONSTITUTION: A liquid solution containing a thin film composition element through a chemical bath deposition. A substrate is dipped into a bath equipped with a heating unit and an agitator. A buffer layer is formed by growing up a thin film on the surface of the substrate(P2). The thickness of the thin film is measured at(P3).
Abstract translation: 目的：提供用于基于CIS的薄膜太阳能电池的缓冲层的制造方法，以通过检查薄膜生长程度来最小化误差范围来形成具有所需厚度的薄膜。 构成：通过化学浴沉积含有薄膜组成元素的液体溶液。 将基材浸入装有加热单元和搅拌器的浴中。 通过在衬底（P2）的表面上生长薄膜来形成缓冲层。 在（P3）测量薄膜的厚度。
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公开(公告)号：KR101924216B1
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：KR1020170024088
申请日：2017-02-23
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은유연기판고정장치및 이를이용한 CIGS계박막태양전지제조방법에관한것으로, 유연기판의마주하는양측가장자리에체결되는적어도한 쌍의유연기판고정장치로서, 상기유연기판을향하는면에형성된복수의제1 돌출부가상기유연기판의상면에접촉되어상기상면을지지하는제1 지지부; 및상기유연기판의하면에접촉되어상기하면을지지하는제2 지지부를포함하며, 상기제1 지지부및 상기제2 지지부가상기유연기판의양측가장자리에지지력을제공하면, 상기유연기판의위치가고정되는것을특징으로한다. 본발명은, 유연기판의마주하는양측가장자리에적어도한 쌍의유연기판고정장치를체결함으로써, 유연기판상에균일한 CIGS 광흡수층을형성할수 있고, 유연기판의정확한온도측정이가능하며, 유연기판에전달된열 에너지가유연기판내에고르게분포될수 있다.
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公开(公告)号：KR101922911B1
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：KR1020160140663
申请日：2016-10-27
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: 본발명은 a) 투명기판상에산화아연시드층을형성하는단계; b) 산화아연시드층이형성된투명기판을제1 용액에침지하여, 상기산화아연시드층상에제1 AZO막을형성하는단계; 및 c) 제1 AZO막이형성된투명기판을제2 용액에침지하여제1 AZO막상에제2 AZO막을형성하는단계;를포함하며, 상기제1 AZO막및 제2 AZO막은하기관계식 1을만족하는 AZO 이중막의제조방법및 이로부터제조된 AZO 이중막에관한것이다. [관계식 1] P
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