公开(公告)号：CN101717065A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910211676.4

申请日：2009-09-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： G·卡扎尼加 ,  L·科罗纳托

IPC: B81B7/02 ,  B81B5/00

CPC classification number: B81B3/0018 ,  B81B3/0013 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242

Abstract: 一种微机电设备(100)具有第一结构元件(6)、可相对于第一结构元件(6)移动的第二结构元件(10)、以及弹性支撑结构(12)，其在第一和第二结构元件(6)之间延伸以允许第一和第二结构元件之间的相对移动；该微机电设备还具有抗黏滞结构(1)，其包括至少一个柔性元件(2)，其仅相对于第一结构元件(6)固定，并且在静止状态下，所述至少一个柔性元件被设置在离第二结构元件(10)的第一距离(l1)处。抗黏滞结构(1)被设计为在大于第一距离(l1)的量的相对移动的情况下，在第一和第二结构元件之间产生排斥力(Frep)。

公开(公告)号：CN101553899A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200680021842.9

申请日：2006-04-28

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 阿尔温特·S·萨利安 ,  赫曼特·D·德赛 ,  史蒂芬·R·胡珀 ,  威廉·G·麦克唐纳

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/098

Abstract: 提供一种从包括支撑层(108)和覆盖该支撑层(108)的覆盖物(132)的衬底(500)形成微机电系统(“MEMS”)器件(100)的方法。在一个示例实施例中，该方法包括切割衬底(500)从而将该衬底(500)分成第一管芯(148)和第二管芯(150)，其中该第一管芯(148)具有第一侧壁(138)，和将导电材料(182)淀积到第一侧壁(138)上从而将该覆盖物(132)耦合至支撑层(108)。

公开(公告)号：CN101539586A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200810166473.3

申请日：2008-10-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥村美香 ,  堀川牧夫 ,  佐藤公敏 ,  山口靖雄

IPC: G01P15/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00182 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及元件晶片和元件晶片的制造方法。本发明的目的在于提供一种元件晶片的制造方法，该方法能够抑制裂隙对在半导体晶片上层叠的膜的用于形成元件的部位的损伤。在半导体晶片(21)上的第一绝缘膜(22)和第二绝缘膜(27)上设置凹部(10)。第一绝缘膜(22)和第二绝缘膜(27)被加工，在半导体晶片(21)上的用于形成加速度传感器(20)的主要区域(6)上设置布线(26)。进一步在布线(26)上层叠牺牲膜(24)和导电性膜(25)，这些膜被加工，在主要区域(6)设置多个薄膜结构体(28)。凹部(10)包围主要区域(6)。

公开(公告)号：CN101449347A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780017871.2

申请日：2007-04-04

Applicant: LV传感器股份有限公司

Inventor： C·A·雷 ,  J·布雷泽克

IPC: H01G5/00

CPC classification number: G01L9/0073 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0831 ,  G01P2015/084 ,  H01L28/40

Abstract: 本文公开的器件是在所有关键压力点上都具有单晶硅的电容性传感器。通过开槽和重新填充形成隔离沟槽，来形成电介质隔离的用于驱动、传感和保护的导电硅电极。对于根据本发明的压力传感器件，其为便于封装，使压力孔与电引线接合焊盘相反。还描述了测量平面内加速度和平面外加速度的双轴加速度计。通过原样复制加速度计并令其绕其平面外轴旋转90度容易实现平面内的第三轴。用此工艺技术可生成谐振斜钩、角速度传感器、辐射热测量仪、及许多其他结构。关键优点是密闭性、垂直通孔、垂直和水平间隙能力、单晶材料、晶片级封装、小尺寸、高性能和低成本。

公开(公告)号：CN100403552C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN03153017.6

申请日：2003-08-07

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 酒井峰一

IPC: H01L29/84 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0136 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814

Abstract: 一种容性动量传感器，包括衬底(1)、平衡块(11)、可移动电极(10a、10b)、固定器(17a、17b)、弹簧(12)、以及应变缓冲器(13)。平衡块(11)通过动量而位移。可移动电极(10a、10b)与平衡块(11)结合在一起。固定器(14)固定到衬底(1)上以将平衡块(11)和可移动电极(10a、10b)悬挂在衬底(1)的上方。固定电极(17a、17b)面对可移动电极(10a、10b)设置。由响应动量产生的可移动电极(10a、10b)的位移作为电极(10a、10b、17a、17b)之间的电容变化而被检测。弹簧(12)设置在固定器(14)和平衡块(11)之间并响应动量而弹性变形，以便可移动电极(10a、10b)移动对应该动量的距离。应变缓冲器(13)位于固定器(14)和弹簧(12)之间，以便减少在衬底(1)上产生的应变对弹簧(12)的影响。

公开(公告)号：CN100378889C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510071242.0

申请日：2005-05-13

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 旭辉·史蒂文·陈 ,  稔欢·艾伯特·邱 ,  卡尔·A·罗斯

IPC: H01H35/14 ,  H01H11/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B60C23/0408 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  H01H35/14

Abstract: 一种加速度开关及其方法，包括提供传导基板(10)和绝缘顶盖(16)。在绝缘顶盖(16)中形成了凹陷区域。绝缘层(12)安置在基板(10)上。传导层(14)安置在绝缘层(12)上。对传导层(14)进行刻蚀以形成悬梁(34)和电气隔离岛(36)。在悬梁(34)周围对绝缘层(12)进行刻蚀以释放悬梁(34)使之移动。触点安置在悬梁(34)上和凹陷区域中，由此在向开关施加加速度时，触点能够相互电气接触。顶盖(16)接合到传导层(14)，用以密封悬梁(34)。

公开(公告)号：CN100347863C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200310122386.5

申请日：2003-12-19

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 大丰大吾 ,  斋藤正胜

IPC: H01L29/84 ,  G01P5/12

CPC classification number: G01P15/18 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/051 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/084

Abstract: 本发明公开了一种即使受到一个在通常处理时可能产生的冲击，弹性支承臂也不断裂的结构的加速度传感器。这种加速度传感器具有一个块状部分、一个固定在块状部分上的块状部分顶片、一个包围块状部分的厚的矩形支承框架、一个固定在框架上的框架顶片、和四个将块状部分悬挂在框架中心的并桥接块状部分顶片和框架顶片的弹性支承臂。在块状部分侧表面和框架内表面上在支承臂的正下方形成横向槽。由于这些槽，块状部分顶片和框架顶片具有它们的粘结在块状部分/框架上的部分和它们的向支承臂凸出的部分。在粘结部分和凸出部分之间的边界处的横截面大于把凸出部分连接到支承臂上的横截面，以及，块状部分顶片、框架顶片和弹性支承臂具有相同的厚度。因为由从外面施加的冲击在块状部分/框架上引起的应变不是直接传递到支承臂上，并且在具有大于支承臂的横截面积的凸出部分被释放，因此防止了弹性支承臂的断裂。

公开(公告)号：CN100335905C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN02817352.X

申请日：2002-09-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桥本浩幸 ,  大麻隆彦 ,  池内直树 ,  原田宗生

IPC: G01P15/12 ,  G01P15/00 ,  G01P15/08 ,  G01C19/56 ,  B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: G01P15/18 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0181 ,  B81B2203/053 ,  B81B2203/058 ,  G01C19/5719 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0842

Abstract: 一种微结构，包括：质量块；在其中可动地容纳了质量块的基底构件。质量块包括暴露于基底构件之外的表面以及限动线，所述限动线布置在质量块的所述表面上方，以抑制质量块的过度运动。

公开(公告)号：CN1318878C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN02829427.0

申请日：2002-08-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宓晓宇 ,  壶井修 ,  上田知史 ,  佐胁一平

IPC: G02B26/10 ,  G02B26/08 ,  B81B3/00

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0154 ,  B81B2203/058

Abstract: 一种微型摇动元件，具有框架(113)和通过连结部(112)与该框架(113)连结的摇动部件(111)。各连结部(112)包含2个扭杆(112a)，各扭杆(112a)形成多个孔(112b)，由此，按照朝向框架(113)刚性相对高、且朝向摇动部件(111)刚性相对低的方式构成。

公开(公告)号：CN1773725A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510104071.7

申请日：2005-09-15

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 帕司考·安希 ,  尼古拉斯·艾博勒 ,  法布瑞司·卡赛特

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H03B5/12

CPC classification number: G01P15/124 ,  B81B3/0035 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  G01L1/005 ,  G01L9/0098 ,  H03B5/12 ,  H03B5/1237 ,  H03B5/30

Abstract: 一种具有形成在半导体衬底中的可变形栅极的MOS晶体管，包括由沟道区隔开的源区和漏区，该沟道区沿从源极到漏极的第一方向延伸，并沿与该第一方向垂直的第二方向延伸，以及至少设置在于沟道区每一侧的衬底上设置的支承点之间、沿第二方向延伸的沟道区上方的导电栅极梁，使得该沟道区的表面是空的，并且具有类似于当所述梁处于朝向沟道区的最大弯折时的栅极梁形状的形状。