公开(公告)号：CN102749159A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210118992.9

申请日：2012-04-20

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 史蒂芬·R·胡珀 ,  德怀特·L·丹尼尔斯 ,  詹姆斯·D·麦克唐纳 ,  威廉·G·麦克唐纳 ,  春林·C·夏

IPC: G01L1/18

CPC classification number: G01L9/0052 ,  B81B7/0041 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  G01L19/0672 ,  G01L19/147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/16152

Abstract: 本发明提供了一种具有密封结构的传感器器件。传感器器件包括传感器结构(102)，该传感器结构(102)包括具有在其上形成的感测布置的第一部分(108)，以及第二结构(106)。密封结构(104)被插入在传感器结构(102)和第二结构(106)之间，其中密封结构(104)包围传感器结构(102)的第一部分(108)。密封结构(104)建立在第一部分(108)的第一侧上的固定基准压力，并且第一部分(108)的相对侧暴露于环境压力。

公开(公告)号：CN102180435B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201110061564.2

申请日：2011-03-15

Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司

Inventor： 柳连俊

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264

Abstract: 本发明实施例提供集成MEMS器件及其形成方法，其中集成MEMS器件包括：包括第一区域和第三区域的第一衬底；形成于所述第一衬底的第一表面的至少一层或多层导电层；惯性传感器的可移动敏感元素，采用第一区域的第一衬底形成；与所述第一衬底上的导电层的表面结合的第二衬底，与所述第一衬底形成的惯性传感器的可移动敏感元素一侧结合的第三衬底，且所述第三衬底和所述第二衬底分别位于惯性传感器的可移动敏感元素的相对两侧；麦克风的敏感薄膜或背板电极，至少包括第三区域的第一衬底，或包括第三区域的第一衬底上的导电层中的一层。本发明形成的集成压力传感器、惯性传感器和麦克风的体积较小，成本低，而且封装后可靠性高。

公开(公告)号：CN102674237A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210038129.2

申请日：2012-02-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 斯特凡·科尔贝 ,  克莱门斯·普鲁格尔 ,  伯恩哈德·温克勒 ,  安德烈亚斯·桑克尔

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/008 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0707 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0771 ,  H01L27/0611

Abstract: 本发明公开了单片集成传感器装置及形成方法和形成其腔体结构的方法。实施例涉及MEMS装置，具体涉及单个晶片上的集成有相关电子器件的MEMS装置。实施例利用模块化工艺流程概念作为MEMS-first方法的一部分，从而能够利用新颖的腔体密封工艺。因此减少或消除了由于MEMS加工对电子器件的影响和潜在有害作用。同时，提供了高度灵活的解决方案，能够实施各种测量原理，包括电容式和压阻式。因此，各种传感器应用可具有改进的性能和质量，同时保持成本高效。

公开(公告)号：CN102442634A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110295461.2

申请日：2011-09-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： B.宾得 ,  B.菲斯特 ,  T.考奇 ,  S.科尔布 ,  M.米勒

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0045 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00158

Abstract: 本发明公开了通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法。一种用于提供半导体结构的方法包括通过从衬底的第一主表面蚀刻多个沟而形成牺牲结构。所述方法还包括利用覆盖材料覆盖在所述第一主表面的所述多个沟以限定所述衬底内的腔；从与所述第一主表面相对的第二主表面去除所述衬底的一部分达到所述多个沟存在的深度；以及从所述衬底的所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构。

公开(公告)号：CN102401706A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110240721.6

申请日：2011-08-22

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 林义真 ,  M·E·施拉曼 ,  H·D·德赛 ,  朴佑泰

IPC: G01L1/14 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0073 ,  Y10T29/49126

Abstract: 一种微机电系统(MEMS)压力传感器件(20、62)及其制造方法。该器件包括其中形成有腔(32、68)的衬底结构(22、64)和其中形成有基准元件(36)的衬底结构(24)。感测元件(44)置于衬底结构(22、24)之间并且与基准元件(36)隔开。感测元件(44)经由腔(68)和基准元件(36)中形成的多个开口(38)中的一个而暴露于外部环境(48)。感测元件(44)能够响应于来自环境(48)的压力激励(54)而相对于基准元件(36)移动。制造方法(76)涉及形成(78)具有腔(32、68)的衬底结构(22、64)、制造(84)包括感测元件(44)的衬底结构(24)、耦接(92)衬底结构和随后在衬底结构(24)中形成(96)基准元件(36)。

公开(公告)号：CN102401693A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110272018.3

申请日：2011-09-13

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 吉田隆司

IPC: G01H11/06

CPC classification number: G01L9/0019 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0285 ,  B81B2203/0118 ,  G01L1/106 ,  G01L9/0013 ,  H03H9/2457 ,  H03H2009/02496

Abstract: 本发明提供一种振动传感器，其包括：设置在单晶硅衬底之上的单晶硅振动梁，该振动梁的断面形状在垂直于单晶硅衬底表面的方向上比在平行于单晶硅衬底表面的方向上长；由硅制成的壳体，围绕振动梁具有间隙，并且与单晶硅衬底一起形成真空室；板状第一电极板，与单晶硅衬底的表面平行布置，第一电极板的一端连接到振动梁；板状第二和第三电极板，与单晶硅衬底的表面平行布置，并且彼此相对，振动梁置于其间；以及形成在振动梁与第二和第三电极板的相对侧表面上的粗糙。

公开(公告)号：CN101049045B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200580036791.2

申请日：2005-10-24

Applicant: 爱普科斯公司

Inventor： 彼得·G·斯蒂尼肯 ,  约瑟夫·托马斯·马蒂纳斯·范贝克 ,  特奥·里克斯

IPC: H01L21/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0059 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  H01G5/16 ,  H01H2001/0084

Abstract: 一种微机电器件，含有基板(10)、可移动装置，可移动装置能够在电极静电力的作用下向基板移动，可移动装置和基板的相对表面的形状使得当其在闭合位置时，通过相对的表面限定一个或多个排气通道(VC)，配置使得相对表面之间的流体可以流过相对的表面，从而进入或离开位于相对表面之间的区域。该通道可以使可移动装置的移动流体阻尼受控。增加进入或离开相对表面之间区域的流量，可以减少该阻尼，并且因此增加了器件打开和闭合的速度。该通道可以与电极的孔相连。

公开(公告)号：CN102183335A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110061167.5

申请日：2011-03-15

Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司

Inventor： 柳连俊

IPC: G01L9/12 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0018 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  G01L9/0073

Abstract: 本发明提供一种MEMS压力传感器，包括：第一衬底，具有电容式压力传感单元的感应薄膜、电连线层和第一衬底表面的第一粘合层；第二衬底，具有导体间介质层、位于导体间介质层中的导体连线层和/或第二衬底表面的第二粘合层；其中，第二衬底与第一衬底相对设置，通过第一粘合层和第二粘合层固定连接，第一粘合层与第二粘合层的图案对应并且均为导电材料。电容式压力传感单元包括感应薄膜、参考压力腔和固定电极，参考压力腔位于感应薄膜与第二衬底之间，固定电极位于参考压力腔中；述第一衬底的背面具有开口，该开口将感应薄膜暴露于大气中。该MEMS压力传感器及其制作方法，能够与集成电路制造工艺兼容，有效地降低制作成本并减小传感器尺寸。

公开(公告)号：CN101078664B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200710104277.9

申请日：2007-05-23

Applicant: 森斯瑞控股股份公司

Inventor： 费利克斯·迈尔 ,  约翰奈斯·布勒 ,  马蒂亚斯·斯特雷夫 ,  罗伯特·苏尼尔

IPC: G01L9/12

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过将两个晶片(1a、14)相结合来制造压力传感器，第一晶片包含CMOS电路(2)，第二晶片为SOI晶片。在第一晶片(1a)的最上层材料层上形成凹部，由第二晶片(14)的硅层覆盖凹部以形成空腔(18)。去除第二晶片(14)的基板(15)的部分或全部以由硅层(17)形成膜。另外，空腔也可以形成于第二晶片(14)中。第二晶片(14)电连接至第一晶片(1a)上的电路(2)。本发明可以使用标准CMOS工艺以将电路集成在第一晶片(1a)上。

公开(公告)号：CN102157679A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010624375.7

申请日：2010-12-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： N·V·曼特拉瓦迪 ,  S·K·加米奇

IPC: H01L41/22 ,  G01P15/12 ,  G01L9/06

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00182 ,  G01L9/0042 ,  G01L19/0092 ,  G01P15/123

Abstract: 公开一种用于制造传感器的方法，在一个实施例中，所述方法将蚀刻的半导体衬底晶片(130)接合到包括绝缘体上双硅晶片的蚀刻的装置晶片(142)，从而创建悬挂结构，悬挂结构的挠曲由嵌入的压阻传感器元件(150)来感测。在一个实施例中，传感器测量加速度。在其它实施例中，传感器测量压力。