公开(公告)号：CN104350420A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380026733.6

申请日：2013-03-14

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： P·J·范德扎格 ,  E·佩特斯 ,  R·科莱 ,  F·C·M·J·M·范德尔夫特

IPC: G03F7/00 ,  B82Y15/00 ,  G01N33/487

CPC classification number: G01N33/48721 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 本发明涉及一种用于制造用于处理单分子的设备的方法。根据此方法，将自组装抗蚀剂(155)沉积在处理层(110、PL)上，并允许其自组装成具有两相(155a、155b)的图案。然后选择性地移除这两个相中的一个(155a)，并通过剩余抗蚀剂(155b)的掩膜在处理层(110、PL)中产生至少一个孔隙。因此，可容易地生产小尺寸的孔隙，该孔隙允许处理单分子(M)，例如在DNA测序中处理。

公开(公告)号：CN103889888A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280048599.5

申请日：2012-10-02

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： T·恩古岩 ,  J·范德尔斯 ,  W·卡特拉尔斯 ,  S·伍伊斯特尔 ,  E·范德海伊登 ,  H·梅森 ,  R·科莱 ,  E·皮特斯 ,  C·范黑斯克 ,  A·布里扎尔特 ,  H·布特斯 ,  T·朱兹海妮娜 ,  J·德鲁伊特尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: C30B1/12 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明公开一种图形外延模板，用以对准自组装嵌段聚合物，所述嵌段聚合物适于自组装为具有平行于第一轴线延伸、沿正交的第二轴线相互间隔开并且通过连续第二区域或域分开的不连续第一区域或域的平行行的二维阵列。所述图形外延模板具有基本上平行的第一和第二侧壁，所述第一和第二侧壁平行于第一轴线延伸并且限定第一轴线并且沿第二轴线相互间隔开以提供间隔区，该间隔区适于保持处于衬底上侧壁之间并且平行于侧壁的至少一行不连续第一区域或域，并且通过连续第二区域或域与其分开。所述间隔区具有图形外延成核特征，所述图形外延成核特征被布置用于将至少一个不连续第一区域或域定位在间隔区内的特定位置处。本发明还公开用于形成图形外延模板的方法及其用于器件光刻的应用。

公开(公告)号：CN101588988B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200880002900.2

申请日：2008-01-10

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德

IPC: G03F7/26 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/145 ,  H05B3/24 ,  Y10T29/49083 ,  Y10T428/24058 ,  Y10T428/24124 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/24182

Abstract: 本发明提供利用自我组装嵌段共聚物制造二维方形和矩形阵列的亚光刻纳米级微结构的方法以及由这些方法形成的膜和装置。

公开(公告)号：CN102983065A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201110261499.8

申请日：2011-09-06

Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 周俊卿 ,  孟晓莹 ,  张海洋

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0332 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 本发明公开一种图案形成方法、掩模图案形成方法和半导体器件制造方法，涉及半导体工艺技术领域。该图案形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成包括嵌段共聚物的聚合物薄膜，其中构成嵌段共聚物的组分彼此之间不混溶；通过压模压印聚合物薄膜形成第一图案；对第一图案内的共聚物进行定向自组装形成分别由共聚物的不同组分组成的域；选择性地去除共聚物的组分组成的域以形成第二图案。本发明的实施例中，将压印技术与DSA工艺结合，获得更精细的节距图案，上述过程不需要曝光，和现有技术相比具有工艺简单的优点。此外，压印所用的压模可以具有相对宽的节距，使得压模容易制造和对准。

公开(公告)号：CN101978469B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980110382.0

申请日：2009-03-03

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德 ,  蒂莫西·奎克

IPC: H01L21/033 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/76828 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  C08F299/02 ,  C08F299/0492 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供使用自我组装嵌段共聚物以制造亚光刻纳米级微结构的方法、和自所述方法形成的膜及装置。

公开(公告)号：CN102540702A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110461878.1

申请日：2011-11-16

Applicant: 希捷科技有限公司

Inventor： S·肖 ,  R·J·M·范德维尔冬克 ,  K·Y·李 ,  D·郭 ,  X·杨 ,  W·胡

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G11B5/855

Abstract: 本发明提供了压印引导的嵌段共聚物图案化的系统和方法。本说明书表述了用于纳米图案化的方法，通过在一个制造工艺中并入一个或多个块聚合物以及一个或多个纳米压印步骤。嵌段共聚物可以包含有机或有机成分，并且可以是片状的、球型的或者圆柱的。结果，形成图案化的媒介，具有5-100nm的特征间距和/或至少1Tdpsi位密度的一维或者两维图案。

公开(公告)号：CN101208774B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200680023201.7

申请日：2006-05-29

Applicant: 普林斯顿大学

Inventor： 斯蒂文·Y·舒 ,  夏强飞

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/477 ,  H01L21/46 ,  H01L21/4757

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C1/00634 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/76894 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/90

Abstract: 根据本发明，图样化的纳米级或近纳米级的器件(纳米结构)的结构，通过在适当的引导条件下将图样化的器件液化一段时间并之后将器件固化而进行修复和/或增强。有利的引导条件包括邻近且分离于表面或接触表面以控制表面结构并保持竖直。无约束边界使边缘粗糙变得平滑。在优选实施例中，平坦表面设置为覆盖在图样化的纳米结构表面上，并且，此表面通过高强度光源液化以修复或增强纳米特征。

公开(公告)号：CN101952195A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980105024.0

申请日：2009-01-27

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德 ,  卡尔·施蒂恩

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/0337 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10S977/778 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/789 ,  Y10S977/79 ,  Y10T428/24058 ,  Y10T428/24124 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/24182

Abstract: 本发明提供利用自组装嵌段共聚物沿一维阵列制造亚光刻、纳米级微结构的方法和由所述方法形成的膜和装置。

公开(公告)号：CN101269791B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200810083086.3

申请日：2008-03-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郑雅如 ,  金昊辙 ,  R·D·米勒

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: B29D22/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y80/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  C08L53/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/701 ,  Y10S977/712 ,  Y10S977/788 ,  Y10S977/932 ,  Y10T428/1393 ,  Y10T428/24132 ,  Y10T428/249921 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/24

Abstract: 公开了一种形成纳米结构的方法和纳米结构。提供第一嵌段共聚物。提供具有高能中性表面层的衬底，该表面层具有至少一个整体布置在其上的沟槽，该沟槽具有侧壁。在沟槽内部形成第一嵌段共聚物的第一膜。组装第一嵌段共聚物的成线微畴，并且在第一膜内形成第一自组装结构，该第一自组装结构与侧壁垂直而与表面层平行。从第一膜中去除至少一个微畴，使得取向结构保留在沟槽中，其中该取向结构垂直于侧壁而与表面层平行。提供第二嵌段共聚物。在沟槽内形成第二嵌段共聚物的第二膜。组装第二嵌段共聚物的成线微畴，并在第二膜内形成第二自组装结构，第二自组装结构的取向为垂直于取向结构而与侧壁平行。

公开(公告)号：CN100578752C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200710181170.4

申请日：2007-10-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨海宁 ,  李伟健

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/5329 ,  B81C1/00095 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供使用能够通过利用预先制造的硬掩模图案来安置在特定位置的自组装嵌段共聚物，形成用于下一代半导体技术的包括纳米级如亚光刻的线和通孔的互联结构的方法。本发明的方法提供线自对准于孔的互联结构。