公开(公告)号：DE102010001404B4

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE102010001404

申请日：2010-01-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHEIPER THILO ,  BEYER SVEN ,  HOENTSCHEL JAN ,  WEI ANDY

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Gateelektrodenstruktur (160) eines Transistors (150) auf einem Halbleitergebiet (103a), wobei die Gateelektrodenstruktur (160) ein Platzhalterelektrodenmaterial (163) aufweist, welches in Form von Polysilizium, einer Silizium-Germanium-Mischung oder amorphem Silizium vorliegt; Bilden von Drain- und Sourcegebieten (151) in dem Halbleitergebiet (103a); Entfernen eines Teils des Platzhalterelektrodenmaterials (163), so dass eine Gateöffnung (164) in der Gateelektrodenstruktur (160) gebildet wird, wobei ein Rest des Platzhalterelektrodenmaterials (163r) in der Gateelektrodenstruktur (160) derart bewahrt wird, dass er darunter liegende Materialien der Gateelektrodenstruktur (160) bedeckt; Einführen einer Dotierstoffsorte (105) in das Halbleitergebiet (103a) durch die Gateöffnung (164) hindurch; Ausführen eines Ausheizprozesses (106) nach dem Einführen der Dotierstoffsorte (105), wobei der Rest des Platzhalterelektrodenmaterials (163r) zu einer höheren Integrität der darunter liegende Materialien der Gateelektrodenstruktur (160) führt; und Bilden eines Elektrodenmetalls (165, 166) in der Gateöffnung (164).

公开(公告)号：SG10201402593QA

公开(公告)日：2015-02-27

申请号：SG10201402593Q

申请日：2014-05-23

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： AJEY P JACOB ,  MURAT K AKARVARDAR ,  JODY FRONHEISER ,  WITOLD P MASZARA

公开(公告)号：DE102014211026A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：DE102014211026

申请日：2014-06-10

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： JACOB AJEY P ,  AKARVARDAR MURAT K ,  FRONHEISER JODY ,  MASZARA WITOLD P

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden hierin verschiedene Verfahren zum Bilden alternativer Finmaterialien offenbart, die in einem stabilen oder metastabilen Zustand sind. In einem Fall wird ein stabiler Austauschfin bis zu einer Höhe gewachsen, die größer ist als eine uneingeschränkte stabile kritische Dicke des Austauschfinmaterials und entlang seiner gesamten Höhe eine Defektdichte von 104 Defekte/cm2 oder weniger aufweist. In einem anderen Fall wird ein metastabiler Austauschfin bis zu einer Höhe gewachsen, die größer ist als eine uneingeschränkte metastabile kritische Dicke des Austauschfinmaterials und wobei der Austauschfin entlang von wenigstens 90% seiner gesamten Höhe eine Defektdichte von 105 Defekte/cm2 oder weniger aufweist.

公开(公告)号：DE102010029525B4

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：DE102010029525

申请日：2010-05-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CHUMAKOV DMYTRO ,  HERTZSCH TINO

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/108

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines Kondensatordielektrikumsmaterials auf einem ersten Kontaktgebiet, das in einem aktiven Gebiet eines Halbleiterbauelementes ausgebildet ist; Bilden eines dielektrischen Materials zwischen einer ersten Gateelektrodenstruktur und einer zweiten Gateelektrodenstruktur derart, dass ein Hohlraum in dem dielektrischen Material erzeugt wird, wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur zumindest auf dem aktiven Gebiet ausgebildet sind; Bilden einer ersten Kontaktöffnung in dem dielektrischen Material derart, dass eine Verbindung zu dem Hohlraum entsteht, wobei die erste Kontaktöffnung lateral außerhalb des aktiven Gebiets angeordnet ist; Bilden einer zweiten Kontaktöffnung in dem dielektrischen Material derart, dass eine Verbindung zu einem zweiten Kontaktgebiet, das in dem aktiven Gebiet gebildet ist, hergestellt wird; und Bilden eines ersten Kontaktelements in der ersten Kontaktöffnung, eines zweiten Kontaktelements in der zweiten Kontaktöffnung und einer Kondensatorelektrode in dem Hohlraum durch Abscheiden eines leitenden Materials in die erste und die zweite Kontaktöffnung.

公开(公告)号：DE102010001406B4

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：DE102010001406

申请日：2010-01-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MARXSEN GERD ,  METZGER JOACHIM ,  BINDER ROBERT ,  LENSKI MARKUS

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer ersten Gate-Elektrodenstruktur eines ersten Transistors und einer zweiten Gate-Elektrodenstruktur eines zweiten Transistors aus einem Gate-Schichtstapel, der ein Halbleitermaterial, ein dielektrisches Material mit großem &egr; und eine erste Austrittsarbeitsmetallschicht zum Einstellen einer Austrittsarbeit der ersten Gate-Elektrodenstruktur aufweist; Entfernen des Halbleitermaterials von der ersten und der zweiten Gate-Elektrodenstruktur, so dass die erste Austrittsarbeitsmetallschicht in der ersten und der zweiten Gate-Elektrodenstruktur freigelegt wird; Entfernen der ersten Austrittsarbeitsmetallschicht von der zweiten Gate-Elektrodenstruktur; Bilden einer zweiten Austrittsarbeitsmetallschicht in der zweiten Gate-Elektrodenstruktur; und Bilden eines leitenden Elektrodenmaterials in der ersten und der zweiten Gate-Elektrodenstruktur nach dem Bilden der zweiten Austrittsarbeitsmetallschicht.

公开(公告)号：SG2014008890A

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：SG2014008890

申请日：2014-02-06

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FLACHOWSKY STEFAN ,  HOENTSCHEL JAN

Abstract: A semiconductor structure comprises a substrate and a transistor. The transistor comprises a raised source region and a raised drain region provided above the substrate, one or more elongated semiconductor lines, a gate electrode and a gate insulation layer. The one or more elongated semiconductor lines are connected between the raised source region and the raised drain region, wherein a longitudinal direction of each of the one or more elongated semiconductor lines extends substantially along a horizontal direction that is perpendicular to a thickness direction of the substrate. Each of the elongated semiconductor lines comprises a channel region. The gate electrode extends all around each of the channel regions of the one or more elongated semiconductor lines. The gate insulation layer is provided between each of the one or more elongated semiconductor lines and the gate electrode.

公开(公告)号：SG2013068614A

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：SG2013068614

申请日：2013-09-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC ,  IBM

Inventor： RUILONG XIE ,  CHANRO PARK ,  SHOM PONOTH

Abstract: Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits are provided. In an exemplary embodiment, a method for fabricating integrated circuits includes providing a sacrificial gate structure over a semiconductor substrate. The sacrificial gate structure includes two spacers and sacrificial gate material between the two spacers. The method recesses a portion of the sacrificial gate material between the two spacers. Upper regions of the two spacers are etched while using the sacrificial gate material as a mask. The method includes removing a remaining portion of the sacrificial gate material and exposing lower regions of the two spacers. A first metal is deposited between the lower regions of the two spacers. A second metal is deposited between the upper regions of the two spacers.

公开(公告)号：SG2014002547A

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：SG2014002547

申请日：2014-01-13

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FLACHOWSKY STEFAN ,  RICHTER RALF ,  BOSCHKE ROMAN

Abstract: Methods for forming CMOS integrated circuit structures are provided, the methods comprising performing a first implantation process for performing at least one of a halo implantation and a source and drain extension implantation into a region of a semiconductor substrate and then forming a stressor region in another region of the semiconductor substrate. Furthermore, a semiconductor device structure is provided, the structure comprising a stressor region embedded into a semiconductor substrate adjacent to a gate structure, the embedded stressor region having a surface differing along a normal direction of the surface from an interface by less than about 8 nm, wherein the interface is formed between the gate structure and the substrate.

公开(公告)号：DE102014200839A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：DE102014200839

申请日：2014-01-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FLACHOWSKY STEFAN ,  RICHTER RALF ,  BOSCHKE ROMAN

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11

Abstract: Es werden Verfahren zum Bilden von integrierten CMOS-Schaltungsstrukturen bereitgestellt, wobei die Verfahren ein Durchführen eines ersten Implantationsprozesses zum Durchführen einer Halo-Implantation und/oder einer Source- und Drainerweiterungsimplantation in einen Bereich eines Halbleitersubstrats und ein anschließendes Bilden eines Verspannungsbereichs in einem weiteren Bereich des Halbleitersubstrats umfassen. Ferner wird eine Halbleitervorrichtungsstruktur bereitgestellt, wobei die Struktur einen in ein Halbleitersubstrat neben einer Gatestruktur eingebetteten Verspannungsbereich aufweist, wobei der eingebettete Verspannungsbereich eine Oberfläche aufweist, die sich entlang einer normalen Richtung von der Oberfläche an einer Grenzfläche um weniger als 8 nm unterscheidet, wobei die Grenzfläche zwischen der Gatestruktur und dem Substrat ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102010028463B4

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102010028463

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CHUMAKOV DMYTRO ,  GRIMM VOLKER

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren mit. Bilden einer Öffnung in einem dielektrischen Materialsystem, das über einem Substrat eines Halbleiterbauelements ausgebildet ist, wobei das dielektrische Materialsystem mindestens eine erste dielektrische Schicht und eine zweite dielektrische Schicht aufweist; Bilden einer ersten leitenden Barrierenschicht an inneren Seitenwandoberflächenbereichen in der Öffnung; Bilden eines Grabens in dem dielektrischen Materialsystem derart, dass der Graben einen oberen Bereich der Öffnung umfasst; Bilden einer zweiten leitenden Barrierenschicht über den inneren Seitenwandoberflächenbereichen in der Öffnung und in dem Graben; Vergrößern einer Tiefe der Öffnung in Anwesenheit der ersten und zweiten leitenden Barrierenschicht derart, dass diese sich durch das dielektrische Materialsystem erstreckt; und Füllen der Öffnung und des Grabens mit einem leitenden Material.