-
公开(公告)号：KR1020060046986A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020040092544
申请日：2004-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32935 , H01L21/67069
Abstract: 본 발명은 구조를 단순화하면서도 플라즈마 영역을 용이하게 가변시킬 수 있도록 하는 플라즈마 한정장치를 갖춘 반도체 제조장치를 개시한 것이다.
개시한 반도체 제조장치는 반응실 내부의 플라즈마 영역을 한정하는 플라즈마 한정장치를 구비하고, 플라즈마 한정장치는 반응실 내부를 제1플라즈마 영역으로 한정하는 제1한정장치와, 반응실 내부를 제1플라즈마 영역보다 큰 제2플라즈마 영역으로 한정하는 제2한정장치와, 플라즈마 영역의 가변을 위해 제1한정장치와 제2한정장치를 함께 이동시키는 구동장치를 포함하는 것이다.Abstract translation: 本发明公开了一种配备有等离子体约束装置的半导体制造设备，该等离子体约束设备简化了结构并容易改变等离子体区域。
-
公开(公告)号：KR1020060021491A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：KR1020040070254
申请日：2004-09-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G03G15/105 , G01R1/0408
Abstract: 본 발명은 간단하게 액체 토너의 전기적 특성을 평가함으로써 실제로 인쇄를 하지 않고도 액체 토너의 화상품질을 예측할 수 있는 평가시험장치 및 그 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 액체 토너의 전기적 특성 평가시험장치는 롤러와, 롤러의 아래에 위치하며 롤러가 접촉하여 일정 거리 이동할 수 있는 도체평판과, 롤러와 도체평판에 전압을 인가하는 전원장치, 및 롤러의 뒤에 롤러와 같이 이동하도록 설치되며 도체평판 위에 놓인 액체 토너의 전압을 측정할 수 있는 전압측정기로 구성된다.
액체 토너, 표면전위, 전압변화, 최고전압, 현상롤러-
公开(公告)号：KR100524470B1
公开(公告)日：2005-10-31
申请号：KR1020030049305
申请日：2003-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명은, 반응실을 갖는 반응장치에 관한 것으로서, 상기 반응장치는 상부 챔버블럭과; 하부 챔버블럭과; 상기 상부 챔버블럭과 하부 챔버블럭 사이에 개재되어 상기 상부 챔버블럭 및 상기 하부 챔버블럭과 함께 상기 반응실을 형성하는 적어도 하나의 중간 챔버블럭을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 공정특성에 따라 반응실의 높이를 조절할 수 있는 반응장치가 제공된다.
-
公开(公告)号：KR1020050022885A
公开(公告)日：2005-03-08
申请号：KR1020030059492
申请日：2003-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/485 , H01L21/76841 , H01L21/7685 , H01L2221/1078 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve via resistance by using a cobalt film or a predetermined layer composed of the cobalt film and a titanium nitride layer as a capping layer of a metal film. CONSTITUTION: A semiconductor device includes a semiconductor substrate(100), a lower capping layer(110) on the substrate, a metal film(104) on the lower capping layer, an upper capping layer(102) for covering completely the metal film, and an insulating pattern(106) with a contact plug(108) on the upper capping layer. The upper capping layer includes at least a cobalt film.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过使用钴膜或由钴膜和氮化钛层构成的预定层作为金属膜的覆盖层来改善通孔电阻。 构成：半导体器件包括半导体衬底（100），衬底上的下覆盖层（110），下封盖层上的金属膜（104），用于完全覆盖金属膜的上覆盖层（102） 以及在上盖层上具有接触塞（108）的绝缘图案（106）。 上盖层至少包括钴膜。
-
公开(公告)号：KR100452273B1
公开(公告)日：2004-10-08
申请号：KR1020020064554
申请日：2002-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/0245 , H01L21/02063 , H01L21/76814 , Y10S438/905
Abstract: A method for cleaning a processing chamber and manufacturing a semiconductor device by removing impurities from a substrate in the processing chamber with a plasma of a first gas including hydrogen gas. After the substrate is removed from the processing chamber, the processing chamber is etched with the plasma of a non-hydrogenous second gas. Thus, the etching selectivity can be improved and the particles are prevented from depositing and/or forming on the substrate.
Abstract translation: 本发明提供一种清洗处理室的半导体装置的制造方法，以及含有氢气的第一气体的等离子体从处理室内的基板去除杂质的方法。 在将衬底从处理室移除之后，用非氢的第二气体的等离子体蚀刻处理室。 因此，可以提高蚀刻选择性并且防止颗粒在基板上沉积和/或形成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040062241A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：KR1020030000028
申请日：2003-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/24
Abstract: PURPOSE: A method for forming a cobalt silicide layer of a semiconductor device is provided to reduce generation of errors such as void or the pitting around an active region by forming a thin cobalt silicide layer. CONSTITUTION: The first cobalt layer is formed on an upper surface of a silicon substrate(10). The first cobalt layer is formed as the first cobalt silicide layer(12b) by performing the first thermal process for the silicon substrate having the first cobalt layer. The second cobalt layer is formed on an upper surface of the first cobalt silicide layer. The second cobalt layer is formed as the second cobalt silicide layer(14b) by performing the second thermal process for the silicon substrate having the second cobalt layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的硅化钴层的方法，通过形成薄的钴硅化物层来减少有源区周围的空隙或点蚀的产生。 构成：第一钴层形成在硅衬底（10）的上表面上。 通过对具有第一钴层的硅衬底进行第一热处理，形成第一钴层作为第一硅化钴层（12b）。 第二钴层形成在第一钴硅化物层的上表面上。 通过对具有第二钴层的硅衬底进行第二热处理，形成第二钴层作为第二硅化钴层（14b）。
-
公开(公告)号：KR1020020042145A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：KR1020000071910
申请日：2000-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김정욱
IPC: G06F9/00
Abstract: PURPOSE: An input/output circuit for an MCU(Micro Controller Unit) is provided to reduce a necessary pin of the MCU by exchanging the data with 8 pins in case that the MCU and the circumferential chips has a 16 bit interface. CONSTITUTION: The input/output circuit comprises a FIFO(First In First Out) memory respectively storing the alternatively divided 8 bit external data in an upper part latch(111,112,113) and a lower part latch(121,122,123) and shifting and storing the data firstly inputted by making a plurality of latch serially connected each other configure the latch of each part, a first and a second multiplexer(131,132) outputting the output of each latch of the FIFO memory by multiplexing the output by each part, and a first and a second flipflop(141,142) respectively outputting the lower and upper 8 bit data capable of being processed by an inner core by receiving the output of the first and second multiplexer. The first and second multiplexer executes the multiplexing operation according to the length control signal in order to decide the length of the FIFO memory.
Abstract translation: 目的：提供MCU（微控制器单元）的输入/输出电路，以便在MCU和周向芯片具有16位接口的情况下，通过与8个引脚交换数据来减少MCU的必要引脚。 构成：输入/输出电路包括分别存储在上部锁存器（111,112,113）和下部锁存器（121,122,123）中的交替划分的8位外部数据的FIFO（先入先出）存储器，并且移位并存储首先输入的数据 通过使多个串联连接的锁存器配置每个部件的锁存器，第一和第二多路复用器（131,132），通过多路复用每个部分的输出以及第一和第二多路复用器（131,132）来输出FIFO存储器的每个锁存器的输出 触发器（141,142）分别输出能够通过接收第一和第二多路复用器的输出的内核来处理的下位和上位8位数据。 第一和第二多路复用器根据长度控制信号执行复用操作，以便确定FIFO存储器的长度。
-
公开(公告)号：KR100247512B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970033338
申请日：1997-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김정욱
IPC: G06F1/16
Abstract: 본 발명의 컴퓨터 시스템은 컴퓨터 시스템은 전원 공급부와 메인보드 그리고, 하드 디스크를 내장한 본체부와 본체부와 별도로 분리되어 유니트로 구성되는 모듈로서, 사용자가 수시로 액세스하는 주변기기를 일체로 구성한 주변기기 모듈로 구성된다. 이와 같은 컴퓨터 시스템에서 사용자가 수시로 액세스하는 주변기기에는 플로피 디스크 드라이브와 시 디 롬 드라이브를 포함하고, 주변기기 모듈에는 표시부를 포함한다. 그리고, 주변기기 모듈과 모니터는 커넥터를 매개로하여 직접 연결되거나, 와이어를 매개로 연결된다. 또한, 주변기기 모듈과 본체부는 커넥터를 매개로 직접 연결되거나, 와이어를 매개로 연결된다.
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
168
records
(took 0.026 seconds)
