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公开(公告)号：KR1020150047960A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020130128076
申请日：2013-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F17/24 , G06F3/0488 , G06F3/04883 , G06F3/00 , G06F3/0484 , G06F9/44
Abstract: 본발명은휴대장치의문서편집방법및 이를사용하는휴대장치에관한것으로, 특히사용자입력에따라클립보드에저장된데이터를선택적으로붙여넣기하는휴대장치의문서편집방법및 이를사용하는휴대장치에관한것이다. 이에따른본 발명은복사하기이벤트에대응하는데이터를저장하는단계, 상기데이터의붙여넣기를위한입력을감지하는단계및 상기데이터의상기입력에대응하는적어도일부를붙여넣기하는단계를포함하는것을특징으로하는휴대장치의문서편집방법및 이를이용하는휴대장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于编辑移动设备的文档和使用该文档的移动设备的方法，其特征在于，根据用户输入选择性地粘贴存储在剪贴板中的数据。 该方法包括以下步骤：存储对应于复制事件的数据; 检测用于粘贴数据的输入; 并至少粘贴与输入对应的部分。
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公开(公告)号：KR1020130128924A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020120053123
申请日：2012-05-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06Q20/3278 , G06Q20/20 , G06Q20/401
Abstract: The present invention relates to an apparatus and a method for paying for a product in a near field communication device. If a user requests a payment for a specific product, the apparatus generates a payment request message and transmits the message to a security element server. If the apparatus receives a personal identification data request in response to the payment request message, the apparatus receives the personal identification data from the user, transmits the inputted personal identification data to the security element server and receives a payment result message. [Reference numerals] (101) Portable terminal;(103) Tag;(107) SE sensor;(109) Settlement server;(401) Recognize tag?;(403) Read product information;(405) Transmit payment request message;(407) Transmit payment authentication message;(409) Transmit payment allowing message;(411) Transmit personal identification information request message;(413) Input personal identification number?;(415,417) Transmit personal identification information;(419,421) Transmit payment result message;(AA,CC) No;(BB,DD) Yes;(EE,FF,GG,HH) End
Abstract translation: 本发明涉及一种用于在近场通信设备中支付产品的设备和方法。 如果用户请求对特定产品的支付，则该设备生成支付请求消息，并将消息发送到安全元素服务器。 如果设备响应于支付请求消息接收个人识别数据请求，则该设备从用户接收个人识别数据，将输入的个人识别数据发送到安全元素服务器并接收支付结果消息。 （101）便携式终端;（103）标签;（107）SE传感器;（109）结算服务器;（401）识别标签;（403）读取产品信息;（405）发送支付请求消息; 407）发送支付认证消息;（409）发送支付允许消息;（411）发送个人识别信息请求消息;（413）输入个人识别号码;（415,417）发送个人识别信息;（419,421）发送支付结果消息; （AA，CC）否;（BB，DD）是;（EE，FF，GG，HH）结束
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公开(公告)号：KR1020120030782A
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020100092514
申请日：2010-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76801 , H01L21/76825 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/14181 , H01L2224/16146 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
Abstract: PURPOSE: A method for forming a through silicon via using a low dielectric material is provided to deduce the RC delay of an electric signal by forming an inter-metal dielectric layer and a via insulation film contiguous to a TSV(Through Silicon Via) into a low dielectric insulator layer. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is etched and a first via hole is formed(S100). A low dielectric insulator layer filling the first via hole is deposited(S200). A second via hole is formed by etching a part of a low dielectric insulator layer in the first via hole. A via insulation film consisting of the low dielectric insulator layer and an inter metal dielectric are simultaneously formed on an upper part of the semiconductor substrate(S400). A metal layer filling the second via hole is deposited(S600). The metal layer on the upper part of the semiconductor substrate is removed(S700).
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用低电介质材料形成穿硅的方法，通过将与TSV（通过硅通孔）相邻的金属间介电层和通孔绝缘膜形成为电导信号的RC延迟，从而推导出电信号的RC延迟 低介电绝缘体层。 构成：蚀刻半导体衬底并形成第一通孔（S100）。 沉积填充第一通孔的低介电绝缘体层（S200）。 通过蚀刻第一通孔中的低介电绝缘体层的一部分来形成第二通孔。 在半导体基板的上部同时形成由低介电绝缘体层和金属间介电体构成的通孔绝缘膜（S400）。 沉积填充第二通孔的金属层（S600）。 去除半导体衬底上部的金属层（S700）。
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公开(公告)号：KR1020110062706A
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090119506
申请日：2009-12-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/62
CPC classification number: H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A fuse structure and a method for forming the same are provided to prevent cracks from being generated in an interlayer insulating film by surrounding the lower side of a fuse using the interlayer insulating film. CONSTITUTION: A first interlayer insulating film(120) is formed on a substrate(100). An etching stop film(140) is formed on the first insulating film. A second insulating film including a low dielectric material is formed on the etching stop layer. The etching stop film is exposed by eliminating a part of the second insulating film. The exposed part of the etching stop film and a part of the first interlayer insulating film are eliminated. A trench(154) passes through the second insulating film and the etching stop film to be expanded to a part of the first interlayer insulating film. A fuse(170) is formed to bury the trench.
Abstract translation: 目的：提供熔丝结构及其形成方法，以通过使用层间绝缘膜围绕熔丝的下侧来防止在层间绝缘膜中产生裂纹。 构成：在基板（100）上形成第一层间绝缘膜（120）。 在第一绝缘膜上形成蚀刻停止膜（140）。 在蚀刻停止层上形成包括低电介质材料的第二绝缘膜。 通过去除第二绝缘膜的一部分来露出蚀刻停止膜。 消除了蚀刻停止膜的暴露部分和第一层间绝缘膜的一部分。 沟槽154穿过第二绝缘膜和蚀刻停止膜以扩展到第一层间绝缘膜的一部分。 形成保险丝（170）以埋置沟槽。
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公开(公告)号：KR101025162B1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020080062533
申请日：2008-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F21/00
CPC classification number: H04N7/163 , G06F21/10 , G06F21/725 , G06F2221/2151 , H04N21/4126 , H04N21/4627 , H04N21/6334 , H04N21/8355
Abstract: 본 발명은 휴대단말에서 신뢰성 있는 DRM 타임을 유지하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로, 이러한 본 발명은 휴대단말의 DRM(Digital Rights Management) 타임 설정 방법에 있어서, DRM 타임 설정 이벤트를 인지하는 과정과, 상기 DRM 타임 설정 이벤트에 응답하여 기준타임정보 및 로컬타임정보를 획득하는 과정과, 상기 기준타임정보 및 로컬타임정보에 의거하여 기준 값을 산출하는 과정과, 상기 기준 값에 의거하여 유효 DRM 타임을 설정하는 과정을 포함한다.
DRM, DRM 타임, GMT, 로컬타임, 콘텐츠, RO-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060036266A
公开(公告)日：2006-04-28
申请号：KR1020040085359
申请日：2004-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한규희
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02 , F17C13/04 , F17C2205/0338 , H01L21/67005
Abstract: 본 발명은 반도체 공정 챔버의 압력조절 시스템에 관한 것으로, 챔버 내부로의 파티클 발생을 방지하고, 챔버 내부의 동축성을 확보하여 공정 불량을 줄일 수 있는 반도체 공정 챔버의 압력조절 시스템을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 공정 챔버의 압력조절 시스템은 공정이 이루어지는 챔버; 상기 챔버에 반응가스를 공급하는 반응가스공급장치; 상기 챔버를 배기하기 위한 배기펌프; 상기 챔버 내부의 압력 조절을 위하여 상기 챔버 내부에 압력조절 가스를 공급하는 압력조절 가스 공급장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
반도체 공정 챔버, 압력 조절 시스템, 압력조절 가스-
公开(公告)号：KR1020050072291A
公开(公告)日：2005-07-11
申请号：KR1020040000677
申请日：2004-01-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C23C16/513
Abstract: 본 발명은 반도체 공정의 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)장비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 화학기상증착장비의 프로세싱 챔버 내부를 클리닝하기 위하여 원격 플라즈마 소스(Remote Plasma Source, RPS)로부터 프로세싱 챔버 내부로 플라즈마를 주입하기 위한 플라즈마 인젝션튜브의 구조에 관한 것이다.
본 발명에 따른 화학기상증착장비는 화학기상증착공정이 수행되는 프로세싱 챔버와, 상기 프로세싱 챔버를 클리닝하기 위한 플라즈마를 공급하는 원격 플라즈마 소스와, 상기 원격 플라즈마 소스로부터 상기 프로세싱 챔버에 플라즈마를 공급하기 위한 플라즈마 인젝션튜브를 포함하고,
상기 플라즈마 인젝션튜브는 상기 프로세싱 챔버의 압력변화 시에 상기 프로세싱 챔버에 전달되는 충격이 방지되도록 완충기능을 갖는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100500246B1
公开(公告)日：2005-07-11
申请号：KR1020030022366
申请日：2003-04-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4558
Abstract: 본 발명은, 기판의 표면에 증착용 가스를 공급하기 위한 가스공급장치에 관한 것으로서, 그 내부를 따라 환상으로 형성된 가스공급로와, 상기 가스공급로에서 중심방향으로 형성된 복수의 가스분배로를 갖는 환상의 가스공급링과; 상기 각 가스분배로에 연통하는 가스분사노즐을 가지며, 상기 가스공급링의 내측에 탈착가능하게 결합되는 복수의 어댑터를 포함하며, 상기 복수의 어댑터는 상기 가스분사노즐의 분사형태를 달리하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 다양한 기판에 최적으로 균일하게 가스를 분사시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050066321A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097591
申请日：2003-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/321 , H01J37/32935
Abstract: 본 발명은, 기판을 수용하는 수용공간을 형성하는 챔버본체 및 돔과, 상기 돔의 상측에 마련되어 상기 수용공간에 플라즈마를 발생시키는 안테나와, 상기 돔의 상측에 마련되어 상기 돔의 온도를 조절하는 온도조절유닛을 구비한 반도체제조장치에 있어서, 상기 온도조절유닛은, 상기 돔의 상측에 상기 돔 및 상기 안테나와 인접하게 마련된 열전달부재와; 상기 열전달부재의 상측에 마련되어 상기 돔을 가열시키기 위한 히터와; 상기 열전달부재와 상기 히터 사이에 마련되어 상기 돔을 냉각시키는 냉각부재와; 상기 냉각부재에 대해 결합되어 상기 돔이 소정의 기준온도범위를 유지하도록 상기 냉각부재에 공급되는 냉각제의 양을 조절하는 조절밸브를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 안테나에 고압의 전원이 인가되어 고밀도의 플라즈마를 발생되는 경우에도 용이하게 돔의 온도를 소정의 기준온도범위로 일정하게 유지시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR101674057B1
公开(公告)日：2016-11-08
申请号：KR1020100029972
申请日：2010-04-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/00 , H01L21/02 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/76801 , H01L21/76825 , H01L23/5258 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/16145 , H01L2224/16245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01019 , H01L2924/14 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의실시예들은강화된복합절연막을포함하는반도체칩 구조및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른반도체칩 구조는기판과패시베이션막사이에복수의회로층을구현하는회로부재들및 저유전율을갖는제 1 절연막및 제 1 절연막보다기계적으로강화된제 2 절연막을갖고, 회로부재들사이에배치되는복합절연막을포함한다. 상기제 2 절연막은상기제 1 절연막에인접하여상기제 1 절연막과동일한레벨에서상기반도체칩 구조내에기계적강화영역을한정하도록선택적으로배치된다.
Abstract translation: 集成电路器件包括多个堆叠电路层，所述多个电路层中的至少一个包括复合层间绝缘层，所述复合层间绝缘层包括具有不同机械强度和介电特性的横向相邻的第一和第二绝缘材料区域，以及设置的多个电路部件 在复合层间绝缘层中。 第一绝缘材料区域可以具有比第二绝缘材料区域更低的介电常数和更低的机械强度，使得例如第一绝缘材料区域可以位于信号线附近或其它电路特征附近以减小电容，同时使用第二绝缘材料区域 绝缘材料区域靠近容易受到局部机械应力的位置，诸如熔断器位置，外部连接接合位置或划线位置。
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