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公开(公告)号：KR101141139B1
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：KR1020080131659
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 투명 전도막에 대한 것으로서, 이 전도막은 제1 투명층, 상기 제1 투명층 위에 형성되어 있는 금속층, 그리고 상기 금속층 위에 형성되어 있는 제2 투명층을 포함하며, 상기 제1 투명층 또는 상기 제2 투명층은 질화막 또는 황화막으로 형성되어 있다. 따라서, 산화물/금속/산화물의 적층 구조를 가지는 투명 전극을 사용하면서 일부에 질화막을 형성함으로써, 투명도를 유지하면서 저저항의 금속 전극을 형성할 수 있다.
투명 소자, 투명 전도막, 투명 전극-
公开(公告)号：KR100961184B1
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：KR1020080081818
申请日：2008-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C04B35/10 , C04B35/453
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 박막의 스퍼터링 타겟용 조성물, 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 스퍼터링 타겟에 관한 것으로, 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟용 조성물은 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 및/또는 인듐 산화물을 포함하고, 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟은 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 및/또는 인듐 산화물을 주성분으로 하는 원료 분말을 혼합 분쇄하는 단계; 상기 분말을 소정 형태로 성형하는 단계; 및 상기 성형체를 소결하는 단계로부터 제조된다.
스퍼터링 타겟, 조성물, 산화물 반도체, 박막-
公开(公告)号：KR100943708B1
公开(公告)日：2010-02-23
申请号：KR1020080015768
申请日：2008-02-21
Applicant: 한국전자통신연구원 , 한양대학교 산학협력단
IPC: H03K19/0175
Abstract: 본 발명은 레벨 시프트 회로에 관한 것으로서, 특히 게이트 전압을 제어하여 단락 회로 전류를 감소시키는 레벨 시프트 회로에 관한 것이다. 본 발명에 따른 레벨 시프트 회로는 소스 및 드레인이 각각 출력단 및 전원단과 연결되는 제 1 트랜지스터; 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 및 상기 출력단 사이에 위치하는 커패시터; 소스 및 드레인이 각각 접지단 및 상기 출력단과 연결되고, 게이트가 입력단과 연결되는 제 2 트랜지스터; 및 상기 입력단 및 상기 제 1 트랜지스터의 게이트와 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압을 제어하는 게이트 전압 제어부로 구성된다. 본 발명은 트랜지스터 크기를 증가시킬 필요없이 게이트 전압 제어부를 통해 단락 회로 전류를 감소시킴으로써, 저전력 동작이 가능하고 작은 면적을 차지하는 레벨 시프트 회로를 제공할 수 있다.
레벨 시프트, 단일형 트랜지스터, 부트스트랩, 디스플레이 장치 구동 회로-
公开(公告)号：KR100911376B1
公开(公告)日：2009-08-10
申请号：KR1020070113970
申请日：2007-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 증강 현실 구현 방법에 관한 것으로, 투명 전자 소자를 이용하여 복잡한 광학적 구조가 필요 없는 증강 현실 구현 장치를 제공한다.
이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 전자 소자를 이용한 증강 현실 구현 방법은, (a) 사용자의 현재 위치를 인식하는 단계; (b) 상기 인식된 사용자의 현재 위치 정보를 위치에 따른 영상 데이터를 저장하는 서버로 출력하고, 상기 현재 위치 정보에 대응하여 상기 서버로부터 출력되는 영상 데이터를 수신하는 단계; (c) 사용자가 바라보는 방향을 인식하는 단계; 및 (d) 상기 인식된 방향 정보를 기반으로 상기 수신된 영상 데이터 중 상기 사용자에게 표시할 부분 영상 데이터를 외부로부터 입력되는 빛을 투과시키는 투명 전자 소자로 구성된 화면에 출력하는 단계를 포함한다.
그럼으로써, 복잡한 광학적 구조가 없는 증강 현실 구현 장치를 제공하는 이점이 있다.
증강 현실, 투명 디스플레이, 투명 전자 소자-
公开(公告)号：KR1020090066245A
公开(公告)日：2009-06-23
申请号：KR1020080129095
申请日：2008-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01B1/02 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L51/5215
Abstract: A transparent oxide conductive layer, and its preparation method are provided to obtain a low surface resistance and a high transparency in a visible ray range. A transparent oxide conductive layer comprises transparent oxide layers(20,40) and a metal layer(30) which are laminated alternatively, wherein the transparent oxide layers are an indium-free oxide layer comprising ZnO as a main component, and the metal layer contains Ag.
Abstract translation: 提供透明氧化物导电层及其制备方法以获得可见光范围的低表面电阻和高透明度。 透明氧化物导电层包括交替层叠的透明氧化物层（20,40）和金属层（30），其中透明氧化物层是以ZnO为主要成分的不含铟的氧化物层，并且金属层含有 银。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090065269A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132753
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606
Abstract: A transparent thin film transistor having a polymer protection layer and a manufacturing method thereof are provided to prevent a change of characteristics caused by external environment and to prevent a change of characteristics of an active layer caused by a low-temperature process. A gate electrode(122) is formed on an upper surface of a substrate. A gate insulating layer(120) is formed on an upper surface of the gate electrode. A semiconductor active layer(130) is formed on an upper surface of the gate insulating layer. A source electrode and a drain electrode are formed at both ends of the semiconductor active layer, respectively. A protective layer of the polymer material is formed to cover the semiconductor active layer, the source electrode, and the drain electrode.
Abstract translation: 提供具有聚合物保护层的透明薄膜晶体管及其制造方法，以防止由外部环境引起的特性变化，并防止由低温处理引起的活性层特性的变化。 栅极电极（122）形成在基板的上表面上。 栅极绝缘层（120）形成在栅电极的上表面上。 半导体有源层（130）形成在栅极绝缘层的上表面上。 分别在半导体活性层的两端形成源电极和漏电极。 形成聚合物材料的保护层以覆盖半导体有源层，源电极和漏电极。
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公开(公告)号：KR100901778B1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：KR1020080016665
申请日：2008-02-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: An active matrix organic light-emitting diode pixel circuit and an operating method thereof are provided to apply a constant current according to an inputted data signal in regardless of threshold voltage change and unevenness by storing and compensating a threshold voltage of the driving transistor at each line. In an active matrix organic light-emitting diode pixel circuit and an operating method thereof, a driving transistor(N1) transmits a driving voltage from a power terminal. A second transistor(N2) applies a current from the first transistor in an organic light-emitting DIODE, and a third transistor(N3) connects the power terminal and a gate of first transistor. A first capacitor is connected between the gate of the transistor and a first electrode of the first capacitor, and a fourth transistor(N4) is between a second electrode of the first capacitor and a source of the first transistor. The first electrode of the second is connected with the second electrode of the first capacitor.
Abstract translation: 提供一种有源矩阵有机发光二极管像素电路及其操作方法，通过存储和补偿每行的驱动晶体管的阈值电压，根据输入的数据信号施加恒定电流，而不管阈值电压变化和不均匀性 。 在有源矩阵有机发光二极管像素电路及其操作方法中，驱动晶体管（N1）从电源端子发送驱动电压。 第二晶体管（N2）在有机发光二极管中施加来自第一晶体管的电流，第三晶体管（N3）连接第一晶体管的电源端子和栅极。 第一电容器连接在晶体管的栅极和第一电容器的第一电极之间，第四晶体管（N4）位于第一电容器的第二电极和第一晶体管的源极之间。 第二电极的第一电极与第一电容器的第二电极连接。
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公开(公告)号：KR1020090047889A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：KR1020070113970
申请日：2007-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G06T19/006 , G01S19/03 , G06F3/015 , H04N13/332
Abstract: 본 발명은 증강 현실 구현 방법에 관한 것으로, 투명 전자 소자를 이용하여 복잡한 광학적 구조가 필요 없는 증강 현실 구현 장치를 제공한다.
이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 전자 소자를 이용한 증강 현실 구현 방법은, (a) 사용자의 현재 위치를 인식하는 단계; (b) 상기 인식된 사용자의 현재 위치 정보를 위치에 따른 영상 데이터를 저장하는 서버로 출력하고, 상기 현재 위치 정보에 대응하여 상기 서버로부터 출력되는 영상 데이터를 수신하는 단계; (c) 사용자가 바라보는 방향을 인식하는 단계; 및 (d) 상기 인식된 방향 정보를 기반으로 상기 수신된 영상 데이터 중 상기 사용자에게 표시할 부분 영상 데이터를 외부로부터 입력되는 빛을 투과시키는 투명 전자 소자로 구성된 화면에 출력하는 단계를 포함한다.
그럼으로써, 복잡한 광학적 구조가 없는 증강 현실 구현 장치를 제공하는 이점이 있다.
증강 현실, 투명 디스플레이, 투명 전자 소자-
公开(公告)号：KR1020080065514A
公开(公告)日：2008-07-14
申请号：KR1020070051792
申请日：2007-05-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/20
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/0262 , H01L29/66969 , H01L29/66742
Abstract: A method for forming a ZnO semiconductor layer for an electronic device is provided to improve mobility by increasing the crystallinity of a semiconductor layer. A substrate is disposed in a chamber(S11). A zinc precursor is injected into the chamber so that the zinc precursor is absorbed to the surface of the substrate(S12). Nitrogen or inert gas is injected into the chamber to remove residual zinc precursor(S13). An oxygen precursor is injected into the chamber to react with the zinc precursor formed on the substrate so that a ZnO semiconductor layer is formed(S14). Nitrogen or inert gas is injected into the chamber to remove residual oxygen precursor(S15). The abovementioned processes are repeated. A surface treatment is repeatedly performed on the ZnO semiconductor layer by using oxygen plasma or ozone(S16). Nitrogen or inert gas is injected into the chamber to remove residual oxygen precursor and residual zinc precursor(S17). The abovementioned processes are repeated to adjust the thickness of the ZnO semiconductor layer. The oxygen precursor can be water or water plasma. The substrate can be made of one of glass, metal foil, plastic or silicon.
Abstract translation: 提供一种用于形成用于电子器件的ZnO半导体层的方法，以通过增加半导体层的结晶度来改善迁移率。 基板设置在室（S11）中。 将锌前体注入到室中，使得锌前体被吸收到衬底的表面（S12）。 将氮气或惰性气体注入室中以除去残留的锌前体（S13）。 将氧前体注入室内以与形成在衬底上的锌前体反应，形成ZnO半导体层（S14）。 将氮气或惰性气体注入到室中以除去残留的氧气前体（S15）。 重复上述处理。 通过使用氧等离子体或臭氧，在ZnO半导体层上重复进行表面处理（S16）。 将氮气或惰性气体注入室中以除去残留的氧前体和残留的锌前体（S17）。 重复上述处理以调整ZnO半导体层的厚度。 氧气前体可以是水或水等离子体。 基板可以由玻璃，金属箔，塑料或硅中的一种制成。
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140.发明授权유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법과 상기 방법을이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터 및 유기 전계 발광디바이스 有权有机电子器件和有机薄膜晶体管和有机电子发射器件的有机材料的图案化方法
公开(公告)号：KR100843553B1
公开(公告)日：2008-07-04
申请号：KR1020060057815
申请日：2006-06-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 본 발명은 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법과 상기 방법을 이용하여 제작된 유기 박막 트랜지스터 및 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
본 유기 전자 소자의 유기 물질층 패터닝 방법은 기판상에 제1 포토레지스트를 도포하는 단계와, 도포된 제1 포토레지스트를 열처리하는 단계와, 제1 포토레지스트를 전면 노광하는 단계와, 제1 포토레지스트 상에 금속 박막을 증착하는 단계와, 금속 박막 상에 제2 포토레지스트를 형성하는 단계와, 도포된 제2 포토레지스트를 열처리하는 단계와, 열처리된 제2 포토레지스트 상부에 원하는 패턴에 따른 마스크를 형성하는 단계와, 마스크 상부에서 상기 제2 포토레지스트를 노광하는 단계와, 제1 포토레지스트 및 상기 제2 포토레지스트를 현상하는 단계와, 패터닝된 상기 기판 및 제2 포토레지스트 상에 유기 전자 소자에 이용될 유기 물질층을 형성하는 단계와, 유기 물질층 표면에 보호막을 형성하는 단계, 및 리프트-오프 방법으로 상기 제1 및 제2 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하되, 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트를 현상하는 단계에서는 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트를 동시에 현상할 수 있는 현상액을 이용하여 현상하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 다층 구조의 포토레지스트를 사용함으로써 공정 중의 변형을 방지할 수 있고, 유기 전자 소자의 유기 물질층을 보호하는 보호막을 형성한 후에도 리프트 오프 방법을 이용할 수 있어, 유기 전자 소자의 유기 물질층의 특성 변화 없이 미세 패터닝을 수행할 수 있다.
유기 전자 소자의 유기 물질층, 제1 포토레지스트, 제2 포토레지스트, 유기 박막 트랜지스터, 유기 전계 발광 디바이스
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