-
公开(公告)号：KR1020130090146A
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：KR1020120011255
申请日：2012-02-03
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/205 , H01L21/67098 , H01L23/38
Abstract: PURPOSE: A precursor sampling device and a precursor sample analyzing method using the same are provided to accurately analyze a precursor sample by easily sampling an evaporated precursor. CONSTITUTION: A precursor is received at a liquid state and is evaporated in a precursor container (100). A sampling module (200) supplies the precursor. The evaporated precursor is inputted to a reactor (300). A chemical deposition process is performed on a wafer in the reactor.
Abstract translation: 目的：提供前体采样装置和使用其的前体样品分析方法，以通过容易地对蒸发的前体进行取样来精确地分析前体样品。 构成：以液体状态接收前体并在前体容器（100）中蒸发。 采样模块（200）供应前体。 将蒸发的前体输入反应器（300）。 在反应器中的晶片上进行化学沉积工艺。
-
-
133.发明授权열전박막을 이용한 반도체 소자, 이를 포함하는 반도체 메모리소자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전류 제어방법 有权使用热电涂层的半导体器件，具有其的半导体存储器件，其制造方法及其电流控制方法
公开(公告)号：KR101146301B1
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：KR1020100105849
申请日：2010-10-28
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L35/02
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 의하면, 열전박막의 열에너지 변환 현상을 토대로 입력신호를 조절함으로써 전류 제어를 시도할 수 있는 새로운 형태의 반도체 소자를 제공할 수 있다. 이를 위해 특히, 본 발명의 일 실시예는 기판; 기판 상에 형성된 소스 전극; 기판 상에 형성된 드레인 전극; 및 기판 상에 소스 전극과 드레인 전극 사이로 형성되고, 인가되는 입력신호에 대응하여 열에너지를 생성하는 열전박막을 포함하는 게이트 전극;을 포함하고, 기판은 소스 전극과 드레인 전극 사이에 생성된 열에너지에 기반하여 전류가 흐를 수 있는 전류 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자를 포함한다.
-
134.发明公开열전박막을 이용한 반도체 소자, 이를 포함하는 반도체 메모리소자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전류 제어방법 有权使用热电涂层的半导体器件，具有其的半导体存储器件，其制造方法及其电流控制方法
公开(公告)号：KR1020120044538A
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：KR1020100105849
申请日：2010-10-28
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L35/02
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device using a thermoelectric thin film, a semiconductor memory device including the same, a manufacturing method thereof, and a current controlling method using the same are provided to easily control a current flowing in a semiconductor substrate by controlling a frequency of an input signal in the thermoelectric thin film formed on the substrate. CONSTITUTION: A source electrode(110) and a drain electrode(120) are formed on a substrate(100). A gate electrode(130) including a thermoelectric thin film(132) is formed between the source electrode and the drain electrode. The thermoelectric thin film is directly contacted with a metal wire(134) and the substrate. The gate electrode includes a reaction preventing layer for reducing reaction with the substrate. A current channel is formed between the source electrode and the drain electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种使用热电薄膜的半导体器件，包括该半导体存储器件的半导体存储器件，其制造方法和使用该半导体存储器件的制造方法和电流控制方法，以通过控制半导体衬底的频率来容易地控制流过半导体衬底的电流 在基板上形成的热电薄膜中的输入信号。 构成：在基板（100）上形成源电极（110）和漏电极（120）。 在源电极和漏电极之间形成包括热电薄膜（132）的栅电极（130）。 热电薄膜与金属线（134）和基板直接接触。 栅电极包括用于减少与衬底的反应的反应防止层。 在源电极和漏电极之间形成电流通道。
-
公开(公告)号：KR101126218B1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020100039570
申请日：2010-04-28
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체 기판에 절연층이 형성된 반도체 시료가 안착되는 고정판과, 상기 고정판과 이격 형성되고 상기 고정판과 마주보는 면에 하나 이상의 전극이 형성된 투명기판과, 상기 투명기판의 상부에서 광을 조사하는 광원과, 상기 반도체 시료와 상기 전극에 전압차를 발생시키는 전압원, 및 상기 반도체 시료와 전극 사이에 흐르는 전류를 측정하는 전류측정기를 포함하되,상기 전극은 상기 절연층에 형성된 복수 개의 핀홀과 각각 대응되는 크기로 형성되고 순차적으로 전원이 인가되는 반도체 표면 검사장치 및 이를 이용한 반도체 표면의 핀홀 검사방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체의 도핑 농도, 절연층의 결함 및 절연층에 형성된 핀홀의 유무에 대하여 신속하고 간편하게 검사가 가능하여 반도체 제조 공정 단계에서 반도체 소자의 불량 여부를 초기에 판단할 수 있는 장점이 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101104213B1
公开(公告)日：2012-01-09
申请号：KR1020090091953
申请日：2009-09-28
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 입자 빔 질량 분석기를 제공한다. 이 입자 빔 질량 분석기는 가스 유동(gas flow)을 입력받아 가스 유동을 가속하여 입자 빔을 형성하는 공기 역학 렌즈, 열전자를 가속하여 입자 빔을 이온화시키어 하전 입자 빔을 형성하는 전자총, 하전 입자빔을 운동 에너지 대 전하 비(kinetic energy to charge ratio)에 따라 굴절시키는 디플렉터, 및 굴절된 하전 입자 빔에 의한 전류를 측정하는 감지부를 포함한다. 상기 전자총은 입자 빔을 통과시키는 원통 형상의 내부 그물, 상기 내부 그물의 외부에 배치된 원통 형상의 외부 그물, 내부 그물 및 내부 그물의 사이에 배치되어 열전자를 생성하는 필라멘트, 및 외부 그물의 외부에 배치되어 열전자를 구속하는 구속 자기장을 생성하는 자기장 생성부를 포함한다.
전자총, 나노 파티클, 구속 자기장, 집속 자기장, 필라멘트, 입자 빔-
-
公开(公告)号：KR100892449B1
公开(公告)日：2009-04-10
申请号：KR1020070028230
申请日：2007-03-22
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 열악환경을 조성하고 분광수단을 이용해 액상 전구체의 상태를 모니터링 하는 위한 진단장치 및 진단방법에 관한 것이다. 상세하게 본 발명의 진단장치는 액상의 유기금속 전구체가 담긴 용기(110); 상기 용기(110)에 상기 유기금속 전구체에 잠기게 배관되어 반응 기체 또는 상기 유기금속 전구체를 버블링하여 기화시키는 불활성 기체를 주입하기 위한 주입 파이프(120); 상기 용기(110)에 상기 유기금속 전구체 액상 위에 놓이도록 배관되어 기화된 상기 유기금속 전구체가 포함된 기체를 배출하기 위한 배출 파이프(130); 상기 용기(110) 외부에 구비된 온도 조절부(141), 진동발생기(142), 초음파 발생기(143) 및 주입 파이프(120)를 포함하는 열악환경 조성부(140); 상기 용기(110)에 구비된 분광수단(150)을 포함하여 구비되는 특징이 있다.
본 발명에 따른 액상 전구체의 상태를 모니터링 하는 위한 진단장치 및 진단방법은 열악환경 조성하여 이에 대한 전구체 저항성을 실시간으로 모니터링 할 수 있으며 외부에 포집장치 및 분석장치를 설치하여 실시간으로 전구체를 정밀 분석 할 수 있다.
전구체, FT-IR 분광법, 초음파, 진동센서, 분해-
公开(公告)号：KR1020080101127A
公开(公告)日：2008-11-21
申请号：KR1020070047448
申请日：2007-05-16
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: The diagnostic apparatus is provided to measure accurately the state of precursor including the organic used to the chemical vapor deposition and inorganic chemistry agent or the organometallic compound etc. The diagnostic apparatus for diagnosing the precursor status using the dual sensing apparatus comprises the first guide(120) and the first diagnostic unit(100) formed on the first guide at the precursor magazine; the first diagnostic unit made including the first sensor(110) to measure the residual amount of precursor. The second guide(220) and the second sensor formed on the second guide at the precursor magazine; the second diagnostic unit including the second sensor(210) to measure the decomposition of precursor.
Abstract translation: 提供诊断装置以准确地测量包括用于化学气相沉积和有机化学试剂或有机金属化合物等的有机物的前体的状态。使用双重感测装置诊断前体状态的诊断装置包括第一引导件（120 ）和形成在所述前体仓上的所述第一引导件上的所述第一诊断单元（100） 所述第一诊断单元包括第一传感器（110），以测量前体的剩余量。 所述第二引导件（220）和所述第二传感器形成在所述前体仓上的所述第二引导件上; 所述第二诊断单元包括用于测量前体分解的第二传感器（210）。
-
公开(公告)号：KR100815615B1
公开(公告)日：2008-03-21
申请号：KR1020060124404
申请日：2006-12-08
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G01J3/02
Abstract: A real-time terahertz spectroscopic imaging system is provided to be safer in comparison with an X-ray or a laser so as to be variously applied to semiconductor process, failure inspection of products, non-destructive inspection, and security search or bio-medicine diagnosis. A real-time terahertz spectroscopic imaging system includes a measuring unit(100), a data processing unit(200), and an imaging unit(300). The measuring unit has a light source(10) for generating light, a beam splitter(20) for splitting the light into two, a delay line(30) for delaying one of the split light, a terahertz generator(40), a polarizer(52) for passing the other split light from the beam splitter, and a high-speed electronic signal processing device(90). The data processing unit reads the information on materials based on the data of the electronic signal processing device and the data from the delay line. The imaging unit takes images of material of each position at a sample in the data processing unit.
Abstract translation: 与X射线或激光相比，提供实时太赫兹光谱成像系统更安全，以适用于半导体工艺，产品故障检查，无损检测，安全检索或生物医学 诊断。 实时太赫兹光谱成像系统包括测量单元（100），数据处理单元（200）和成像单元（300）。 测量单元具有用于产生光的光源（10），用于将光分成两个的分束器（20），用于延迟分束光之一的延迟线（30），太赫兹发生器（40），偏振器 （52），用于使来自分束器的其它分离光通过;以及高速电子信号处理装置（90）。 数据处理单元基于电子信号处理装置的数据和来自延迟线的数据读取关于材料的信息。 成像单元在数据处理单元中的样本处拍摄每个位置的材料的图像。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
140
records
(took 0.031 seconds)
