Abstract:
본 발명은, 재료가 수용되는 샘플용기와, 상기 샘플용기의 일측에 배치되며, 상기 샘플용기로부터 증발된 재료가 이송되는 버퍼챔버와, 상기 샘플용기와 버퍼챔버 사이에 배치되며, 상기 샘플용기를 개폐시키는 고정플랜지와, 상기 버퍼챔버와 연결되며, 증발된 재료를 수집하는 샘플링챔버와, 상기 버퍼챔버와 연결되며, 증발된 재료가 공급되어 증착막을 형성하는 증착챔버와, 상기 증착챔버와 연결되며, 상기 증발된 재료가 증착될 기판을 상기 증착챔버 내부로 로딩(loading) 또는 언로딩(un-loading)시키는 로드락챔버를 포함하며, 상기 샘플용기와 연결되며, 상기 샘플용기 내부에 수용된 재료의 점도를 측정하는 점도 측정 모듈, 상기 버퍼챔버와 연결되며, 상기 버퍼챔버 내부에 수용된 증발된 재료의 증기압을 측정하는 증기압 측정 모듈, 상기 로드락챔버 내부의 상기 기판 상에 증착된 증착막의 물성을 평가하는 박막 측정 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 인시츄 물성 평가 장치를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 유기증착재료를 이용한 박막 증착 공정에 있어서 증착 전 재료인 전구체 뿐만 아니라 증착 후의 증착막에 대한 분석을 종합적으로 수행할 수 있는 인시츄 물성 평가 장치를 제공하게 된다.
Abstract:
본 발명은 액상 전구체 디개서에 관한 것으로, 디개싱(degassing)시킬 액상 전구체가 수용되는 수용공간을 형성하는 캐니스터; 캐니스터와 진공라인을 통해 연결되고, 캐니스터에서 액상 전구체가 수용된 수용공간 내에 진공상태를 설정하여 주는 진공펌프; 및 캐니스터 내 수용공간에 마련되며, 수용공간 내에 수용된 액상 전구체가 수용공간 내 빈 공간인 디개싱 공간 상에 노출되는 표면적을 증대시켜주는 노출 표면적 증대수단이 마련되어 있어, 액상 전구체의 디개싱 효율을 증대시켜주며, 액상 전구체의 증기압에 대한 측정 정확성을 증진시켜줄 수 있는 기술이 개시된다.
Abstract:
본 발명에서는 로드락 챔버를 이용하여 장시간 열안정성 평가 시 대기와의 접촉을 방지하고, 테스트를 연속적으로 진행하면서 원하는 시간마다 샘플링이 가능한 고온 보관 장치가 개시된다. 재료가 수용되는 보관 용기; 보관 용기의 내부로부터 외부로 연장되는 액추에이터; 보관 용기의 상부에 배치되며, 보관 용기와 액추에이터를 고정하는 홀더; 보관 용기의 일부를 감싸도록 배치되어 재료를 증발시키는 가열부; 및 홀더와 연결되는 로드락 챔버를 포함하고, 액추에이터는, 구동에 의해 보관 용기의 내부를 왕복 이동하는 로드부를 포함하고, 로드락 챔버는 이송 부재를 포함하여 증발된 재료가 증착될기판을 홀더의 내부로 로딩(loading) 또는 언로딩(un-loading)하는 고온 보관장치가 개시된다.
Abstract:
PURPOSE: A drooping sensing device is provided to prevent all kinds of process issues generated by deformation of parts by monitoring the parts in which drooping is generated as time goes by on a real time basis. CONSTITUTION: A drooping sensing device comprises irradiation units(110a,110b,110c,110d) and sensing units(120a,120b,120c,120d), and a control unit. The irradiation units are mounted in a first lateral surface among four lateral surfaces, thereby irradiating lights or ultrasonic waves to a direction parallel with upper and lower surfaces. The sensing units are mounted in a second lateral surface facing to the first lateral surface, thereby sensing the lights or ultrasonic waves irradiated from the irradiation units. The control unit controls an on/off switching of the irradiation units and decides whether the parts are drooped or not based on whether the sensing units sense the lights or ultrasonic waves irradiated from the irradiation units.
Abstract:
PURPOSE: A real time precursor vapor pressure measuring system for a semiconductor manufacturing process and a method using the same are provided to drastically reduce pressure change possibility, thereby accurately measuring vapor pressure in real time. CONSTITUTION: A sample container(100) receives a precursor sample. A chemical vapor deposition chamber(200) is connected to the sample container by an oiling pipe(10). A vapor pressure measuring device(300) measures the pressure of the oiling pipe. The vapor pressure measuring device includes a branch oiling path(20), a pressure measuring unit(400), a first valve(610), and a second valve(620). The sample container and the vapor pressure measuring device are made of heat insulating partition walls(700).
Abstract:
본 발명은 나트륨이 끼워진 초전도체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Y 2 O 3 , NaCuO 2 ,BaCuO 2 , Ln 2 O 3 (Ln = 란탄족 이온) 및 CuO를 혼합하고 이를 산소 열처리하여 초전도체를 제조하며, 특히 삼성분 산화물인 NaCuO 2 를 반응물로 사용하여 불순물상의 형성 및 나트륨 증발을 억제하고, 또한 2가의 바륨을 3가의 란탄족 이온으로 부분치환함으로써 열적으로 안정하고 높은 임계전류밀도 및 임계온도를 가지는 다음 화학식 1로 표시되는 나트륨이 끼워진 초전도체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
(Na 1-x Y x )(Ba 1-y Ln y ) 2 Cu 3 O 6+δ
상기 화학식 1에서 Ln은 Ce 및 Pr을 제외한 3가 란탄족 금속이고, 0.1<x<0.9 이고, 0.1<y<0.3 이다.