公开(公告)号：JP2018512289A

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：JP2017542873

申请日：2016-02-03

Applicant: メムジェット テクノロジー リミテッド

Inventor： ノース,アンガス ,  オライリー,ローナン ,  マカヴォイ,グレゴリー

IPC: B81C1/00 ,  B41J2/16

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1645 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0353 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0121

Abstract: ウェーハ基板の前面に画定された1またはそれ以上のエッチングされた孔を充填するためのプロセス。そのプロセスは、(i)前面上および各孔の中に熱可塑性の第1ポリマの層を堆積するステップと;(ii)第1ポリマをリフローするステップと;(iii)ウェーハ基板を制御された酸化プラズマに曝露するステップと;(iv)選択的にステップ(i)から(iii)を繰り返すステップと;(v)フォトイメージャブルな第2ポリマの層を堆積するステップと;(vi)露光および現像を使用して孔の周囲の外側の領域から第2ポリマを任意選択的に取り除くステップと;(vii)前面を平坦化し互いに異なる第1および第2ポリマを具えるプラグで満たされた孔を提供するステップであって、各プラグの上面が前記ウェーハ基板の前面と同一平面状にある、ステップとを具える。【選択図】図7

公开(公告)号：JP2017522814A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：JP2017502655

申请日：2014-07-17

Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag ,  エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag

Inventor： クルト ラスムッセン， ,  クルト ラスムッセン，

IPC: H04R19/04 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0176 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003

Abstract: 本発明は、1つの基板(5)を備えるトランスデューサ素子(1)に関し、この基板は、この基板(5)を貫通して延伸する1つのキャビティ(23),この基板(5)のキャビティ(23)内に配設されている1つのバックプレート(3),およびこのバックプレート(3)に対して可動な1つのメンブレン(2)を備える。さらに、本発明は、トランスデューサ素子(1)を製造する方法に関する。【選択図】図1

公开(公告)号：JP4638671B2

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：JP2003540075

申请日：2002-09-05

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： レルマー フランツ

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/5712 ,  G01P15/00

CPC classification number: G01C19/5712 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/016

Abstract: A micromechanical component and a method for producing the component are provided. The micromechanical component includes a substrate and a micromechanical functional layer of a first material provided over the substrate. The functional layer has a first and second regions, which are connected by a third region of a second material, and at least one of the regions is part of a movable structure, which is suspended over the substrate.

公开(公告)号：JP2007516856A

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：JP2006547616

申请日：2005-01-03

Applicant: マイクロファブリカ インク

Inventor： クマール，アナンダ・エイチ． ,  コーエン，アダム・エル． ,  ロッカード，マイケル・エス．

IPC: B81C1/00 ,  B05D1/38 ,  C08K3/00 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/48 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC classification number: C25D5/48 ,  B33Y10/00 ,  B81C1/00492 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0197 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  Y10T156/1052

Abstract: 本発明のいくつかの実施形態は、複数層構造体（例えば、メソスケールまたはマイクロスケール構造）の電気化学的成型加工のための方法および装置において、当該電気化学的成型加工の際に平坦化される材料（例えば、層）の端点検出および平行性維持の性能を改善する。 いくつかの方法は、平坦化の際に、平坦化された材料の平面が、定められた許容誤差内で、他の堆積された平面に対して平行であることを確認するための器具を、使用する。 また、いくつかの方法は、基板の所期表面、第１の堆積層、または加工工程で形成された他の堆積層に対する、堆積された材料の詳細な高さを確認するための、端点検出器具を使用する。 また、いつくかの実施形態では、平坦化がラッピングによって行われてもよいし、また、他の実施形態では、ダイヤモンドフライカッティングによって行われてもよい。

Abstract translation: 本发明的一些实施例提供了用于电化学制造多层结构（例如中尺度或微结构）的方法和装置，其具有改进的端点检测和用于在电化学制造过程中被平坦化的材料（例如层）的并行维护。 一些方法涉及在平坦化期间使用夹具，其确保材料的平面化平面平行于给定公差内的其它沉积平面。 一些方法涉及使用端点检测夹具，其相对于第一沉积层或相对于在制造过程期间形成的一些其它层，相对于衬底的初始表面确保沉积材料的精确高度。 在一些实施例中，平面化可以通过研磨发生，而其他实施例可以使用金刚石切片机。

公开(公告)号：JP2005506910A

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：JP2003540075

申请日：2002-09-05

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： レルマー フランツ

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/5712 ,  G01P15/00 ,  G01C19/56 ,  G01P9/04

CPC classification number: G01C19/5712 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/016

Abstract: A micromechanical component and a method for producing the component are provided. The micromechanical component includes a substrate and a micromechanical functional layer of a first material provided over the substrate. The functional layer has a first and second regions, which are connected by a third region of a second material, and at least one of the regions is part of a movable structure, which is suspended over the substrate.

公开(公告)号：JP6394932B2

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：JP2017502655

申请日：2014-07-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： ラスムッセン, クルト

IPC: H04R31/00 ,  H04R19/04

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0176 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003

公开(公告)号：JP2016538712A

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：JP2016519987

申请日：2014-09-24

Applicant: キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッドCavendish Kinetics, Inc. ,  キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッドCavendish Kinetics, Inc.

Inventor： ミカエル・ルノー ,  ビクラム・ジョシ ,  ロベルトゥス・ペトルス・ファン・カンペン ,  トーマス・エル・マグワイア ,  リチャード・エル・ナイプ

IPC: H01G5/16 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/16 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00166 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0109 ,  H01G5/011 ,  H01H59/0009

Abstract: 本発明は、一般に、MEMSデバイス及びその製造方法に関する。RF電極及び従ってその上の誘電体層は、可動板の底面の接触領域に実質的に一致する湾曲した上面を有する。そのような可動板は、誘電体層との良好な接触を有することができ、従って、良好な静電容量が達成される。

Abstract translation: 本发明一般涉及一种MEMS器件及其制造方法。 RF电极并在其上，因此介电层，其具有基本上与可动板的底面的接触面积相匹配的弯曲的上表面。 这种可移动板可以具有与电介质层，因此，优良的电容实现良好的接触。

公开(公告)号：JPWO2011118787A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：JP2012507097

申请日：2011-03-25

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 亮 友井田 ,  亮 友井田 ,  友洋 中谷 ,  友洋 中谷 ,  巧 田浦 ,  巧 田浦 ,  真 奥村 ,  真 奥村

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L23/14 ,  H01L23/15 ,  H01L29/84

CPC classification number: H01L23/15 ,  B81C1/00507 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0125 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0831 ,  G01P2015/088 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/5389 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 迅速にガラスを埋め込み、且つ、ボイドを抑制する。シリコン基板本体51の主面に凹部52を形成する。シリコン基板本体51の主面にガラス基板54の第1の主面を重ね合わせる。ガラス基板54に熱を加えて軟化させて、ガラス基板54の一部をシリコン基板本体51の凹部52に埋め込む。ガラス基板54を冷却する。ガラス基板54のうち、シリコン基板本体51の凹部52に埋め込まれた部分を残し、他の部分を除去する。ガラス基板54の一部をシリコン基板本体51の凹部52に埋め込む時に、凹部52の内部と外部の間を貫通する貫通孔53が形成されている。

公开(公告)号：JP5028486B2

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：JP2009518659

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社フジクラ

Inventor： 敏 山本 ,  廣和 橋本

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/10

CPC classification number: B81C1/00317 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JPWO2010100861A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：JP2011502625

申请日：2010-02-23

Applicant: 株式会社日立メディコ

Inventor： 俊太郎 町田 ,  俊太郎 町田 ,  小林　孝 ,  小林　　孝

IPC: H04R19/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84 ,  H04R31/00

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00214 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0109 ,  C09K13/00 ,  C23F4/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/84 ,  Y10T29/49156

Abstract: 容量検出型超音波トランスデューサ(CMUT)において、超音波トランスデューサの下部電極への電気接続を、下部電極の下面から行っても、空洞部の変形や、空洞部を囲む絶縁膜厚さの不均一性や、さらには、メンブレンの表面形状の平坦性の劣化も抑制できる技術を提供する。下部電極306と、下部電極の下面から下部電極へ接続する電気接続部304と、下部電極を覆うように形成された第1絶縁膜と、第1絶縁膜上に、上面から見て、下部電極と重なるように形成された空洞部308と、空洞部308を覆うように形成された第2絶縁膜と、第2絶縁膜上に、上面から見て、空洞部308と重なるように形成された上部電極310とを備えた超音波トランスデューサにおいて、下部電極306への電気接続部304が空洞部308と、上面から見て、重ならない配置とする。