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    MIKROMECHANISCHE KOMPONENTE UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
    132.
    发明申请
    MIKROMECHANISCHE KOMPONENTE UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG 审中-公开
    微机械器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2016015996A1

    公开(公告)日：2016-02-04

    申请号：PCT/EP2015/066064

    申请日：2015-07-14

    Applicant: FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

    Inventor： SCHIEBEL, Felix ,  EBERL, Christoph ,  BERWIND, Matthew ,  GUMBSCH, Peter

    IPC: B29C67/00 ,  B81C99/00

    CPC classification number: B81C1/00373 ,  B29C64/135 ,  B33Y10/00 ,  B33Y80/00 ,  B81B7/0074 ,  B81B2201/038 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0392 ,  B81C3/001 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2203/038

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Komponenten (1), bei welchem ein flüssiges Ausgangsmaterial (2), welches durch Bestrahlung aushärtbar ist, auf ein Substrat aufgebracht wird, das Ausgangsmaterial durch lokale Bestrahlung mit einer ersten Strahlungsquelle in einem Teilvolumen (21) ausgehärtet wird, um zumindest eine dreidimensionale Struktur zu erzeugen, wobei die dreidimensionale Struktur zumindest eine geschlossene Kavität (10) begrenzt, in welcher zumindest ein Teil des flüssigen Ausgangsmaterials (2) eingeschlossen ist. Weiterhin betrifft die Erfindung eine mikromechanische Komponente, welche ein flüssiges Ausgangsmaterial (2) enthält, welches teilweise durch Bestrahlung ausgehärtet ist, und welche zumindest eine Kavität (10) enthält, in welcher das flüssige Ausgangsmaterial (2) eingeschlossen ist.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制备微机械部件（1），其特征在于，液体起始材料（2），它是由可辐射固化的，被施加到基材上，固化，通过局部照射原料与一个部分体积的第一辐射源（21） 中，为了至少以产生三维结构，所述三维结构分隔的至少一个封闭的腔（10），其中，所述液体原料（2）的至少一部分被封闭。 此外，本发明涉及一种微机械部件，它包含一个液体起始材料（2），其部分地被照射而固化，并且其包括至少一个腔（10），其中包含的液体起始材料（2）。

    METHOD OF FORMING DEPOSITED PATTERNS ON A SURFACE
    133.
    发明申请
    METHOD OF FORMING DEPOSITED PATTERNS ON A SURFACE 审中-公开
    在表面形成沉积图案的方法

    公开(公告)号：WO2015088771A1

    公开(公告)日：2015-06-18

    申请号：PCT/US2014/067285

    申请日：2014-11-25

    Applicant: RAYTHEON COMPANY

    Inventor： GOOCH, Roland ,  KOCIAN, Thomas, Allan ,  DIEP, Buu ,  KENNEDY, Adam, M. ,  BLACK, Stephen, H.

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: H01L31/18 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0188 ,  H01L31/02327

    Abstract: A method for forming a coating of material on selected portions of a surface of a substrate having a plurality of cavities (11) includes: providing a structure (16) having a release agent (18) thereon; contacting a top surface (17) of the wafer (10) with the release agent to transfer portions of the release agent to the top surface of the wafer while bottom portions of the cavities remain spaced from the release agent to produce an intermediate structure (24); the release agent disposed on the top surface of the wafer and with the bottom portions of the cavities void of the release agent; exposing the intermediate structure to the material (27) to blanket coat the material on both the release agent and the bottom portions of the cavities; and selectively removing the release agent together with the coating material while leaving the coating material on the bottom portions of the cavities.

    Abstract translation: 在具有多个空腔（11）的基板的表面的选定部分上形成材料涂层的方法包括：提供在其上具有脱模剂（18）的结构（16）; 使所述晶片（10）的顶表面（17）与所述脱模剂接触以将所述脱模剂的部分转移到所述晶片的顶表面，同时所述空腔的底部保持与所述脱模剂间隔开以产生中间结构（24 ）; 所述脱模剂设置在所述晶片的顶表面上，并且所述空腔的底部部分脱离所述脱模剂; 将所述中间结构暴露于所述材料（27）以将所述材料涂覆在所述空腔的所述脱模剂和所述底部两者上; 并且与涂料一起选择性地除去脱模剂，同时将涂料留在空腔的底部。

    FREE FORM PRINTING OF SILICON MICRO- AND NANOSTRUCTURES
    134.
    发明申请
    FREE FORM PRINTING OF SILICON MICRO- AND NANOSTRUCTURES 审中-公开
    自由形式印刷硅微结构和纳米结构

    公开(公告)号：WO2011126438A1

    公开(公告)日：2011-10-13

    申请号：PCT/SE2011/050401

    申请日：2011-04-05

    Applicant: NIKLAUS, Frank ,  FISCHER, Andreas

    Inventor： NIKLAUS, Frank ,  FISCHER, Andreas

    IPC: B81C99/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  G01Q90/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265

    CPC classification number: B81C1/00373 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0188 ,  B82Y20/00

    Abstract: The invention relates to a method of making a three-dimensional structure in semiconductor material. A substrate (20) is provided having at least a surface comprising semiconductor material. Selected areas of the surface of the substrate are to a focused ion beam whereby the ions are implanted in the semiconductor material in said selected areas. Several layers of a material selected from the group consisting of mono-crystalline, poly-crystalline or amorphous semiconductor material, are deposited on the substrate surface and between depositions focused ion beam is used to expose the surface so as to define a three-dimensional structure. Material not part of the final structure (30) defined by the focused ion beam is etched away so as to provide a three-dimensional structure on said substrate (20).

    Abstract translation: 本发明涉及在半导体材料中制造三维结构的方法。 提供了至少具有半导体材料的表面的衬底（20）。 衬底的表面的选定区域是聚焦离子束，由此将离子注入到所述选定区域中的半导体材料中。 选自由单晶，多晶或非晶半导体材料组成的组中的几层材料沉积在衬底表面上，并且在沉积之间聚焦的离子束用于暴露表面以限定三维结构 。 蚀刻不是由聚焦离子束限定的最终结构（30）的部分的材料，以便在所述衬底（20）上提供三维结构。

    ELECTROCHEMICALLY FABRICATED STRUCTURES HAVING DIELECTRIC OR ACTIVE BASES AND METHODS OF AND APPARATUS FOR PRODUCING SUCH STRUCTURES
    135.
    发明申请
    ELECTROCHEMICALLY FABRICATED STRUCTURES HAVING DIELECTRIC OR ACTIVE BASES AND METHODS OF AND APPARATUS FOR PRODUCING SUCH STRUCTURES 审中-公开
    具有电介质或活性基的电化学结构以及用于生产这种结构的方法和装置

    公开(公告)号：WO2003095711A2

    公开(公告)日：2003-11-20

    申请号：PCT/US2003/014862

    申请日：2003-05-07

    Applicant: MEMGEN CORPORATION

    Inventor： THOMPSON, Jeffrey, A. ,  COHEN, Adam, L. ,  LOCKARD, Michael, S. ,  SMALLEY, Dennis, R.

    IPC: C25D1/00

    CPC classification number: B81C1/00126 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/019

    Abstract: Multilayer structures are electrochemically fabricated on a temporary ( e.g. conductive) substrate and are thereafter bonded to a permanent ( e.g. dielectric, patterned, multi-material, or otherwise functional) substrate and removed from the temporary substrate. In some embodiments, the structures are formed from top layer to bottom layer, such that the bottom layer of the structure becomes adhered to the permanent substrate, while in other embodiments the structures are form from bottom layer to top layer and then a double substrate swap occurs. The permanent substrate may be a solid that is bonded ( e.g. by an adhesive) to the layered structure or it may start out as a flowable material that is solidified adjacent to or partially surrounding a portion of the structure with bonding occurs during solidification. The multilayer structure may be released from a sacrificial material prior to attaching the permanent substrate or it may be released after attachment.

    Abstract translation: 多层结构在临时的（例如导电的）衬底上电化学地制造，然后在永久（例如电介质，图案化，多材料或其他功能）的衬底上结合并从临时衬底去除。 在一些实施例中，结构由顶层至底层形成，使得结构的底层变得粘附到永久性基底上，而在其它实施例中，结构从底层到顶层形成，然后双层衬底交换 发生。 永久性基材可以是与层状结构结合的固体（例如通过粘合剂），或者可以作为在凝固期间发生结合而在结构的一部分附近凝固的可流动材料开始。 多层结构可以在附着永久性基底之前从牺牲材料上释放，或者在附着后可以释放多层结构。

    다층 멤브레인을 구비한 MEMS 구조
    136.
    发明公开
    다층 멤브레인을 구비한 MEMS 구조 无效
    具有多层膜的MEMS结构

    公开(公告)号：KR1020160076479A

    公开(公告)日：2016-06-30

    申请号：KR1020150183273

    申请日：2015-12-21

    Applicant: 델프멤스

    Inventor： 로빈,르노 ,  로르펠랑,니콜라스 ,  세그니,카임

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

    CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0188 ,  H01H49/00 ,  H01H2059/0027 ,  H01H2059/0036 ,  H01H2227/004

    Abstract: 본발명은 MEMS 디바이스, 특히, MEMS 스위치를제조하는방법에관한것으로, 상기방법은, 기판위에포스트들및 전도(전송)선을형성하는단계및 상기포스트들및 전도선위에멤브레인을형성하는단계를포함하되, 상기멤브레인을형성하는단계는제2 멤브레인층이형성되는영역에인접한해당제2 멤브레인층이형성되지않는영역을제1 멤브레인층이갖도록포스트들중 하나의포스트위의영역및/또는전도선위의영역에제1 멤브레인층을그리고해당제1 멤브레인층위에제2 멤브레인층을형성하는단계를포함한다. 또한, MEMS 디바이스, 특히, MEMS 스위치가제공되되, 해당디바이스는기판위에형성된포스트들및 전도(전송)선; 및상기포스트들및 전도선위의멤브레인을포함한다. 멤브레인은제2 멤브레인층이형성되는영역에인접한해당제2 멤브레인층이형성되지않는영역을제1 멤브레인층이갖도록포스트들중 하나의포스트위의영역및/또는전도선위의영역에제1 멤브레인층및 해당제1 멤브레인위에형성된제2 멤브레인층을포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及MEMS器件的制造方法，更具体地说，涉及MEMS开关的制造方法。 该方法包括在基板上形成支柱和导电（转移）线的步骤; 以及在柱和导电线上形成膜的步骤。 形成膜的步骤包括在一个柱上和/或导电线上的区域中的区域中形成第一膜层的步骤，使得第一膜层具有不具有对应的第二膜的区域 层附近具有第二膜层。 MEMS器件包括形成在基板上的柱和导电（转移）线; 和柱上的膜和导线。 所述膜包括在所述柱中的一个区域和/或所述导电线上的区域中的区域中的第一膜层，以及形成在所述第一膜上的所述第二膜层，使得所述第一膜层具有不具有 在具有第二膜层的区域附近的相应的第二膜层。

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