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    141.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE602005016193D1

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：DE602005016193

    申请日：2005-06-30

    Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

    Inventor： AH CHIL SEONG ,  YUN WAN SOO ,  YUN YONG JU ,  HA DONG HAN

    IPC: B22F9/24 ,  B22F1/00

    Abstract: The present invention relates to gold nanoparticles which can be produced at low costs with high yields in large amounts by a liquid phase synthesis method and have a controlled size, as well as a synthesis method thereof. The inventive gold nanoparticles consist of gold nanoplates having a polygonal or circular plate structure.

    142.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE112005001585T5

    公开(公告)日：2007-06-14

    申请号：DE112005001585

    申请日：2005-07-01

    Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

    Inventor： PARK BYONG-CHEON ,  JUNG KI-YOUNG ,  SONG WON-YOUNG ,  HONG JAE-WAN ,  O BEOM-HOAN ,  AHN SANG-JUNG

    IPC: G01Q60/24 ,  G01Q70/12 ,  G01Q70/16

    Abstract: The present invention relates to a method for fabricating a scanning probe microscope (SPM) nanoneedle probe using ion beam which is preferably focused ion beam and a nanoneedle probe thereby. More particularly, the present invention relates to a method for fabricating a SPM nanoneedle probe capable of being easily adjusted with an intended pointing direction of a nanoneedle attached on a tip of the SPM nanoneedle probe and of being easily straightened with the nanoneedle attached on the tip of the SPM nanoneedle probe along the intended pointing direction, and to a SPM nanoneedle probe thereby. Also, the present invention relates to a method for fabricating a critical dimension SPM(CD-SPM) nanoneedle probe capable of precisely scanning the sidewall of an sample object in nanoscale using ion beam which is preferably focused ion beam, and to a CD-SPM nanoneedle probe thereby. More particularly, the present invention relates to a method for fabricating a CD-SPM nanoneedle probe capable of precisely scanning the sidewall of the sample object in nanoscale by bending a portion of an end of the nanoneedle attached on the tip of the SPM nanoneedle probe in a specific angle toward a diretion other than an original direction in which the nanoneedle attached on the tip of the SPM nanoneedle probe extends out, and to a CD-SPM nanoneedle probe thereby. A method of fabricating scanning probe microscope (SPM) nanoneedle probe using ion beam, comprises: positioning the probe so that a tip of the probe on which the nanoneedle is attached faces toward a direction in which the ion beam is irradiated; and aligning the nanoneedle attached on the tip of the probe with the ion beam in parallel by irradiating the ion beam toward the tip of the probe on which the nanoneedle is attached. A method of fabricating a critical dimension scanning probe microscope (CD-SPM) nanoneedle probe using ion beam, comprises: screening a certain portion of the nanoneedle attached on a tip of the probe using a mask; and bending a part of the nanoneedle exposed out of the mask to align the part of the nanoneedle by irradiating the ion beam on the part of the nanoneedle exposed out of the mask, along the direction of the irradiated ion beam.

    NO DETAILS
    143.
    发明专利
    NO DETAILS 未知

    公开(公告)号：GB201519531D0

    公开(公告)日：2015-12-23

    申请号：GB201519531

    申请日：2014-10-15

    Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

    Abstract: A high-speed and high-resolution pan-tilt device capable of changing a height comprises a pan unit, a tilt unit, a support bar, and a base frame. The pan unit includes a pan motor and a pan screw for rotating a camera leftward and rightward. The tilt unit includes a tilt motor and a tilt screw for rotating the camera upward and downward, and moves the entirety of the pan unit upward and downward. The support bar has a tip portion and a rear end portion. The camera is mounted on the tip portion, and is capable of being panned and tilted when an angle of the support bar is changed. The base frame supports the pan unit and the tilt unit.

    Rauscharme Kühlvorrichtung
    145.
    发明专利
    Rauscharme Kühlvorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE112010005032T5

    公开(公告)日：2012-10-18

    申请号：DE112010005032

    申请日：2010-11-18

    Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

    Inventor： KIM KI-WOONG ,  KANG CHAN SEOK ,  HWANG SEONG-MIN ,  LEE SEONG-JOO ,  LEE YONG HO

    IPC: A61B5/055

    Abstract: Es wird eine rauscharme Kühlvorrichtung bereitgestellt. Die Kühlvorrichtung umfasst einen Außenbehälter und einen Innenbehälter. Zwischen dem Außenbehälter und dem Innenbehälter ist eine Wärmeisolierschicht in einem Vakuumzustand angeordnet. Der Innenbehälter umfasst ein Dewargefäß, das ein flüssiges Kältemittel enthält, eine Vorpolarisationsspule, die im Inneren des Innenbehälters angeordnet ist und in das flüssige Kältemittel eingetaucht ist, eine Aufnahmespule, die in das flüssige Kältemittel eingetaucht ist, und eine supraleitende Quanteninterferenzeinrichtung (SQUID), die elektrisch mit der Aufnahmespule verbunden ist und in das flüssige Kältemittel eingetaucht ist. Die Vorpolarisationsspule ist aus einem Supraleiter gebildet.

    Integrating sphere photometer and measuring method of the same
    146.
    发明专利
    Integrating sphere photometer and measuring method of the same 未知

    公开(公告)号：AU2010327508A1

    公开(公告)日：2012-05-24

    申请号：AU2010327508

    申请日：2010-02-02

    Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

    Inventor： PARK SEONGCHONG ,  LEE DONG HOON ,  PARK SEUNG NAM

    IPC: G01J1/02

    Abstract: Provided are an integrating sphere photometer and a measuring method of the same. The integrating sphere photometer includes an integrating sphere including a left hemisphere and a right hemisphere, a photometer disposed on the center surface of the right hemisphere, a photometer baffle disposed in front of the photometer to be spaced apart therefrom, a light source to be tested disposed at the center region of the integrating sphere to illuminate light to at least an illumination region of the left hemisphere, an auxiliary lamp part disposed in the vicinity of a contact region between the left hemisphere and the right hemisphere to illuminate light to the illumination region, and an auxiliary lamp baffle disposed around the auxiliary lamp part to prevent the light emitted from the light source to be tested from being directly illuminated to the auxiliary lamp part and also to prevent the light emitted from the auxiliary lamp part from being directly illuminated to the light source to be tested.

    Quantenpunkt-Photovoltaikvorrichtung und deren Herstellungsverfahren
    148.
    发明专利
    Quantenpunkt-Photovoltaikvorrichtung und deren Herstellungsverfahren 未知

    公开(公告)号：DE112009002124T5

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：DE112009002124

    申请日：2009-08-28

    Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

    Inventor： KIM KYUNG JOONG ,  LEE WOO ,  KIM YONG SUNG ,  KIM YOUNG HEON ,  HONG SEUNG HUI ,  YUN WAN SOO ,  KANG SANG WOO

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

    Abstract: Die vorliegende Erfindung stellt eine halbleiterbasierte Photovoltaikvorrichtung und ein Herstellungsverfahren dafür bereit. Die halbleiterbasierte Photovoltaikvorrichtung ist in der Lage, Licht mit einer breitbandigen Wellenlänge zu absorbieren und hat eine hohe photoelektrische Konversionseffizienz, weil sie eine hohe Separationseffizienz für Elektron-Loch-Paare aufweist. Spezieller umfasst das verfahren zur Herstellung der Photovoltaikvorrichtung die Schritte a) Ausbilden einer Halbleiterquantenpunktdünnschicht auf einem Halbleitersubstrat vom p- oder n-Typ, wobei die Halbleiterquantenpunktdünnschicht innerhalb eines Mediums, bei welchem derselbe Typ von Störstellen wie das Halbleitersubstrat dotiert sind, Halbleiterquantenpunkte beinhaltet; b) Ausbilden einer Porenanordnung durch Teilätzung, wobei die Porenanordnung die Halbleiterquantenpunktdünnschicht durchdringt; c) Abscheiden eines Halbleiters, in welchem zu dem Halbleitersubstrat komplementäre Störstellen dotiert sind, auf der Halbleiterquantenpunktdünnschicht, bei welcher die Porenanordnung ausgebildet ist; und d) nacheinander Ausbilden einer transparenten leitfähigen Schicht und einer oberen Elektrode auf dem Halbleiter, in welchem die komplementären Störstellen dotiert sind, und Ausbilden einer unteren Elektrode an einem unteren Abschnitt des Halbleitersubstrats.

    Solarzelle mit einer Quantenpunkt-Nanodraht-Anordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren
    149.
    发明专利
    Solarzelle mit einer Quantenpunkt-Nanodraht-Anordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren 未知

    公开(公告)号：DE112008003977T5

    公开(公告)日：2012-01-12

    申请号：DE112008003977

    申请日：2008-11-10

    Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

    Inventor： KIM KYUNG JOONG ,  LEE WOO

    IPC: H01L31/042

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Solarzelle mit einer Quantenpunkt-Nanodraht-Anordnung und das Herstellungsverfahren davon. Die erfindungsgemäße Solarzelle umfasst eine Quantenpunkt-Nanodraht-Anordnung mit einer Hetero-Struktur, welche eine Matrix und Halbleiter-Quantenpunkte und einen Halbleiter vom p-Typ und vom n-Typ und Elektroden, die jeweils die Quantenpunkt-Nanodrähte kontaktieren, umfasst. Mit der erfindungsgemäßen Solarzelle kann die Bandlückenenergie des Halbleiter Quantenpunkts einfach eingestellt werden, indem die Halbleiter-Quantenpunkte, welche unterschiedliche Abmessungen aufweisen, in dem Quantenpunkt-Nanodraht vorhanden sind, so dass die fotoelektrische Konvertierung in einem weiten Spektrum von sichtbaren Strahlen bis zu Infrarotstrahlen durchgeführt werden kann. Der Quantenpunkt ist in der Quantenpunkt-Nanodraht-Anordnung einer hohen Dichte eingebettet ist, so dass die Lichtabsorption maximiert werden kann. Der Quantenpunkt-Nanodraht kontaktiert den Halbleiter vom p-Typ und vom n-Typ über einen weiten Bereich hinweg, wodurch die Leitfähigkeit der Elektronen und Löcher verbessert werden kann.

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