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公开(公告)号：KR101570472B1
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020090020327
申请日：2009-03-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/10 , H03M13/1102 , H03M13/15 , H03M13/1515 , H03M13/152 , H03M13/23 , H03M13/2707 , H03M13/271 , H03M13/2906 , H03M13/2909 , H03M13/2927 , H03M13/2957
Abstract: 여기에개시되는데이터처리시스템은데이터를저장하기위한메모리채널과; 그리고상기메모리채널로전송될데이터를부호화하도록구성된부호화기를포함한다. 상기부호화기는상기메모리채널로전송될데이터를부호화하여외부부호어를생성하는외부부호기와; 그리고상기외부부호어를부호화하여복수의내부부호어들을생성하는내부부호기를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150122487A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：KR1020140048817
申请日：2014-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H04N5/378
CPC classification number: H03M3/462 , H03M1/0626 , H03M1/123 , H03M3/344 , H03M3/466
Abstract: 아날로그-디지털컨버터는변조부, 제어부및 디지털필터를포함한다. 디지털필터는가중치신호생성부및 제1 적분기를포함한다. 변조부는아날로그신호에기초하여디지털변조신호를생성한다. 제어부는디지털필터링의종류및 차수를나타내는가변적인가중치제어신호를생성한다. 가중치신호생성부는가중치제어신호에기초하여가중치신호를생성한다. 제1 적분기는디지털변조신호에응답하여가중치신호를적분하여아날로그신호에상응하는디지털신호를생성한다.
Abstract translation: 模拟数字转换器包括：调制单元，控制单元和数字滤波器。 数字滤波器包括加权信号生成单元和第一积分器。 调制单元基于模拟信号产生数字调制信号。 控制单元生成表示数字滤波的类型和顺序的可变加权控制信号。 加权信号生成单元基于加权控制信号生成加权信号。 第一积分器响应于数字调制信号，通过对加权信号进行积分来产生对应于模拟信号的数字信号。
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公开(公告)号：KR101554159B1
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：KR1020080098694
申请日：2008-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1008
Abstract: 데이터저장장치및 이를포함하는데이터저장시스템이개시된다. 본발명의실시예에따른데이터저장장치는, 입력되는데이터를선택적으로랜덤화하여소정의저장수단에기입함으로써랜더마이저및 저장장치의효율성을최대화할수 있다. 또한, 본발명의실시예에따른데이터저장장치는, 기설정된단위별로랜더마이저의씨드를각각상이하게적용함으로써데이터의랜덤성을더욱증가시킬수 있다.
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144.发明授权
公开(公告)号：KR101516577B1
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020080111056
申请日：2008-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 비휘발성 반도체 메모리 장치 및 그의 리드 전압 추정 방법이 개시된다. 본 발명의 방법은 초기 리드 전압을 예비 리드 전압으로 결정하는 결정단계; 상기 예비 리드 전압에서 메모리 셀들의 데이터를 읽는 리딩(reading) 단계; 프로그램 데이터로부터 도출되어 기 저장된 기준 데이터를 로딩(loading)하는 단계; 리드 전압 추정을 위해 상기 기준 데이터와 비교되어질 비교 데이터를 상기 읽혀진 데이터로부터 도출하는 단계; 상기 비교 데이터와 기준 데이터를 비교하는 비교단계; 상기 비교 데이터와 기준 데이터의 차이가 오차 허용 범위 이내일 경우 상기 예비 리드 전압을 최적의 리드 전압으로 추정하는 추정단계; 및 상기 비교 데이터와 기준 데이터의 차이가 오차 허용 범위를 벗어나는 경우 상기 예비 리드 전압을 변경한 후 상기 리딩(reading) 단계와 그 이후의 단계를 순차적으로 반복하는 변경 및 반복 단계를 포함하여, 메모리 셀들의 문턱 전압이 강하 또는 상승된 경우 최적의 리드 전압을 빠르게 추정할 수 있다. 따라서 리드 전압의 변경으로 인해 발생하는 데이터 오류를 줄일 수 있다.
비휘발성 반도체 메모리, 리드 전압, 리드 레벨, 데이터 오류Abstract translation: 公开了一种非易失性半导体存储器件及其引线电压估计方法。 该方法包括：确定步骤，将初始引线电压确定为初步引线电压; 在初步读取电压下读取存储器单元的数据; 加载先前存储的从程序数据导出的参考数据; 从读取的数据比较数据中导出与引线电压估计的参考数据进行比较; 比较步骤，比较比较数据和参考数据; 估计步骤，当所述比较数据与所述参考数据之间的差处于误差容限范围内时，将所述初步读取电压估计为最佳读取电压; 并且，当比较数据和参考数据之间的差异在误差容限范围之外时，在初步读取电压改变之后改变并重复读取步骤和随后的步骤， 当晶体管的阈值电压降低或升高时，可以快速估计最佳读取电压。 因此，可以减小由读电压的改变引起的数据错误。
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公开(公告)号：KR101497073B1
公开(公告)日：2015-03-02
申请号：KR1020080019381
申请日：2008-02-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/56 , G06F11/1012 , G11C29/00
Abstract: 본 발명은 데이터를 저장하는 메모리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 메모리 셀에 저장되는 데이터의 길이를 결정하고, 결정된 길이에 기반하여 메모리에 데이터를 저장하는 장치에 관한 것이다.
본 발명은 메모리 셀에 저장될 데이터의 비트 수 및 데이터 검출 정보의 비트 수를 결정하는 비트 결정부, 상기 결정된 데이터의 비트 수에 상응하는 데이터를 수신하는 데이터 수신부, 상기 수신한 데이터에 대한 오류 정정 부호화를 수행하여 상기 데이터 검출 정보의 비트 수에 상응하는 데이터 검출 정보를 생성하는 오류 정정 부호화부 및 상기 수신된 데이터 및 상기 생성된 데이터 검출 정보를 메모리 셀에 저장하는 데이터 저장부를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 데이터 저장 장치를 제공한다.
본 발명에 따르면 메모리 셀에 저장될 데이터의 임계 오류율에 기반하여 메모리 데이터와 동일한 메모리 셀에 저장될 데이터 검출 정보의 비트 수를 결정할 수 있다
메모리 셀, 오류 정정 부호, 데이터 검출 정보-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150018684A
公开(公告)日：2015-02-24
申请号：KR1020130094321
申请日：2013-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F15/16
CPC classification number: H04L67/10 , H04L67/12 , H04L67/306
Abstract: According to an embodiment of the present invention, a method for transmitting content data to at least one grouped client in a cloud environment is provided. The method includes: receiving content use influence information in cloud environment for each client; determining a reference client based on the received content use influence information; generating a group including at least one neighbor client that has information similar to content preference information of the determined reference client; and transmitting content data used by the reference client to the at least one neighbor client included in the generated group.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，提供了一种用于在云环境中向至少一个分组的客户端发送内容数据的方法。 该方法包括：为每个客户端在云环境中接收内容使用影响信息; 基于所接收的内容使用影响信息确定参考客户端; 生成包括具有与所确定的参考客户端的内容偏好信息类似的信息的至少一个邻居客户端的组; 以及将所述参考客户端使用的内容数据发送到包括在所生成的组中的所述至少一个邻居客户端。
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公开(公告)号：KR1020140146864A
公开(公告)日：2014-12-29
申请号：KR1020130069710
申请日：2013-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03G3/20
CPC classification number: H04N5/37457 , H03G1/0088 , H03G3/001 , H04N5/378
Abstract: A programmable gain amplifier includes a sampling circuit which performs correlation double sampling on an input signal by using a reference voltage, a source follower, a first capacitor which is connected between the sampling circuit and the source follower, and an error amplifier which is connected between the input terminal of the source follower and the output terminal of the source follower and resets the voltage of the output terminal of the source follower to the reference voltage during a source follower reset operation.
Abstract translation: 可编程增益放大器包括：采样电路，通过使用参考电压对输入信号进行相关双采样;源极跟随器;连接在采样电路和源极跟随器之间的第一电容器;以及误差放大器，其连接在 源极跟随器的输入端子和源极跟随器的输出端子，并且在源极跟随器复位操作期间将源极跟随器的输出端子的电压重置为参考电压。
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公开(公告)号：KR101378349B1
公开(公告)日：2014-03-28
申请号：KR1020080009753
申请日：2008-01-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/3418 , G11C29/00
Abstract: 메모리 장치 및 메모리 데이터 읽기 방법이 제공된다. 본 발명의 메모리 장치는 멀티 비트 셀 어레이, 상기 멀티 비트 셀 어레이 내의 메모리 페이지에 N개의 데이터 페이지들을 저장하는 프로그래밍부, 및 상기 N개의 데이터 페이지들을 제1 그룹 및 제2 그룹으로 분할하고, 상기 제1 그룹의 데이터를 상기 메모리 페이지로부터 읽은 후 상기 읽은 제1 그룹의 데이터에 기초하여 상기 제2 그룹의 데이터를 상기 메모리 페이지로부터 읽는 기법을 결정하는 제어부를 포함하며, 이를 통해 데이터 페이지들의 read error를 줄일 수 있다.
멀티 비트 셀, 멀티 레벨 셀, 데이터 읽기-
公开(公告)号：KR1020130087935A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：KR1020120009207
申请日：2012-01-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03M13/05 , H03M13/1102 , H03M13/356 , H03M13/3707
Abstract: PURPOSE: A memory, a memory system, and an error checking and correction (ECC) method are provided to perform optimized ECC for a scheme applied to a flash memory, thereby improving the reliability and reducing power consumption and/or ECC encoding/decoding time. CONSTITUTION: An ECC engine (ECCE) performs an ECC operation for data temporarily stored in a first memory array (MArr1) and data read out from the first memory array in a first mode, and performs an ECC operation for data stored in a second memory array (MArr2) after being read out from the first memory array and data read out from the second memory array in a second mode. In response to the first logic level of a control signal transmitted from an ECC control unit (ECU), the ECCE sets the first mode of which the error correction capability is lower than that of the second mode.
Abstract translation: 目的：提供存储器，存储器系统和错误校验（ECC）方法以对应用于闪速存储器的方案执行优化的ECC，从而提高可靠性并降低功耗和/或ECC编码/解码时间 。 构成：ECC引擎（ECCE）对在第一存储器阵列（MArr1）中临时存储的数据和从第一存储器阵列读出的数据以第一模式执行ECC操作，并且对存储在第二存储器中的数据执行ECC操作 从第一存储器阵列读出数组（MArr2）和以第二模式从第二存储器阵列读出的数据。 响应于从ECC控制单元（ECU）发送的控制信号的第一逻辑电平，ECCE设置纠错能力低于第二模式的第一模式。
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公开(公告)号：KR1020130073337A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：KR1020110141130
申请日：2011-12-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/58
CPC classification number: H01L21/67144 , H01L2924/0002 , Y10T156/1744 , Y10T156/1746 , Y10T156/1761 , Y10T156/1776 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: An apparatus for bonding a semiconductor chip is provided to improve productivity by simplifying a multi stack package process. CONSTITUTION: A transfer rail transfers a substrate. A loading member (120a,120b) loads the substrate. An unloading member (130a,130b) unloads the substrate. A first wafer supply unit supplies a first wafer including a first semiconductor chip. A bonding unit (150a,150b) attaches the first semiconductor chip to the substrate.
Abstract translation: 目的：提供用于接合半导体芯片的装置，以通过简化多堆叠封装工艺来提高生产率。 传输轨道传输基板。 加载部件（120a，120b）装载基板。 卸载部件（130a，130b）卸载基板。 第一晶片供应单元提供包括第一半导体芯片的第一晶片。 接合单元（150a，150b）将第一半导体芯片附接到基板。
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