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公开(公告)号：KR101927967B1
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：KR1020120087359
申请日：2012-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N19/597 , H04N13/00 , H04N19/119 , H04N19/30
Abstract: 다시점 비디오 데이터의 깊이맵의 부호화, 복호화 방법 및 장치가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 다시점 비디오 데이터의 깊이맵 부호화 방법은 예측 부호화하고 복원된 다시점 컬러 비디오 프레임의 블록의 픽셀값에 기초하여, 복원된 다시점 컬러 비디오 프레임의 블록을 파티션으로 분할하고, 다시점 컬러 비디오 프레임의 블록 파티션의 주변 픽셀값들 및 다시점 컬러 비디오 프레임의 블록 파티션과 대응되는 깊이맵 프레임의 블록 파티션의 주변 픽셀값들을 이용하여 상관 관계를 나타내는 파라메터를 획득하며, 획득된 파라메터를 이용하여 복원된 다시점 컬러 비디오 프레임의 블록 파티션으로부터 대응되는 깊이맵 프레임 블록 파티션에 대한 예측값을 획득한다.
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公开(公告)号：KR101856130B1
公开(公告)日：2018-05-10
申请号：KR1020120000999
申请日：2012-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/02 , G11C16/06 , H01L27/115
CPC classification number: G11C16/04 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , H01L27/115 , H01L27/11582
Abstract: 본발명은비휘발성메모리장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른 3차원비휘발성메모리장치는제 1 스트링선택트랜지스터, 제 1 로칼접지선택트랜지스터, 제 1 글로벌접지선택트랜지스터, 제 3 기판으로부터수직방향으로적층된제 1 메모리셀들을포함하는제 1 낸드스트링과제 2 스트링선택트랜지스터, 제 2 로칼접지선택트랜지스터, 제 2 글로벌접지선택트랜지스터, 상기기판으로부터수직방향으로적층된제 2 메모리셀들을포함하는포함하는제 2 낸드스트링및 상기제 1 및제2 스트링선택트랜지스터, 상기제 1 및제 2 로칼접지선택트랜지스터, 상기제 1 및제 2 글로벌선택트랜지스터로동작전압을선택하여제공하는패스트랜지스터들을포함하는선택라인동작전압선택회로를포함하며, 상기제 1 글로벌선택트랜지스터및 제 2 글로벌선택트랜지스터는전기적으로연결되어있고, 상기제 1 로칼접지선택트랜지스터및 상기제 2 로칼접지선택트랜지스터는전기적으로분리되어있고, 상기제 1 글로벌접지선택트랜지스터및 상기제 2 글로벌접지선택트랜지스터는전기적으로연결된다.
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公开(公告)号：KR101811035B1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：KR1020110099914
申请日：2011-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/14 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/16 , G11C16/3418 , G11C16/344 , G11C16/3445 , H01L27/115
Abstract: 본발명은반도체메모리에관한것으로, 구체적으로는불휘발성메모리를포함하는메모리시스템에관한것이다. 본발명의실시예에따른소거방법은기판에소거전압을인가하고, 선택된메모리블록중 선택된서브블록에연결된워드라인들에선택워드라인전압을인가하고, 소거전압이인가되기시작한시점으로부터특정한지연시간후에선택된메모리블록중 비선택된서브블록에연결된워드라인들을플로팅하는것을포함한다.
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公开(公告)号：KR101783960B1
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020100080410
申请日：2010-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G09B29/106
Abstract: 소정의지역적기준에따라컨텐츠를그룹핑하고, 적어도하나의그룹을컨텐츠분포에기초하여확대레벨을설정하는레벨설정부와확대레벨이설정된적어도하나의그룹중 하나의그룹을선택하는인터페이스부및 선택된그룹의확대레벨에따라, 지도화면을확대하여선택된그룹의컨텐츠를제공하는제어부를포함하는컨텐츠제공장치가개시되어있다.
Abstract translation: 根据预定的地理标准对内容进行分组，和接口单元和用于选择至少一个或一组一组的组，电平设置部中的至少一个的和所述缩放水平来建立电平的内容分发组的基础上选择的组 以及控制单元，用于根据组的放大等级放大地图画面以提供所选择的一组内容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170089246A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：KR1020160009405
申请日：2016-01-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F9/441 , G06F9/4418 , G06F9/461
Abstract: 다양한실시예는제1 운영체제와제2 운영체제를저장하기위한제1 메모리, 제2 메모리, 및프로세서를포함하고, 상기프로세서는, 상기제2 메모리에서상기제1 운영체제의실행에적어도기반하여, 상기전자장치와관련된상황정보를확인하고, 상기상황정보가지정된조건을만족하는경우, 상기제1 운영체제의실행과관련되어상기제 2 메모리에저장된데이터를상기제1 메모리에스냅샷이미지로저장하고, 및상기제2 메모리에서상기제2 운영체제를실행하도록설정된전자장치및 방법을제공한다. 또한, 다른실시예도가능하다.
Abstract translation: 在各种实施例中，至少基于所述第一存储器，第二存储器和处理器，其中所述处理器在运行第一操作系统在所述第二存储器，用于存储一个第一OS和第二OS，所述 当状态信息满足指定条件时，将存储在第二存储器中的数据作为快照图像与第一操作系统的执行相关联地存储在第一存储器中， 以及被设置为在第二存储器中执行第二操作系统的电子设备和方法。 其他实施例也是可能的。
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公开(公告)号：KR1020170076500A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020150186816
申请日：2015-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/01
CPC classification number: G06K9/00892
Abstract: 다양한실시예에따르면, 전자장치는, 메모리; 및제1 생체신호를획득하고, 상기제1 생체신호로부터제1 종류의적어도하나의신호또는제2 종류의적어도하나의신호중의적어도하나를포함하는제1 신호패턴의부분을검출하고, 상기제1 신호패턴에대응하는제1 기능을수행하도록구성된프로세서를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据各种实施例，一种电子设备包括：存储器; 并且从第一生物计量信号中检测包括第一种类型的至少一个信号或第二种类型的至少一个信号中的至少一个的第一信号模式的一部分， 并且处理器被配置为执行对应于信号模式的第一功能。
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公开(公告)号：KR1020170054072A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020150156775
申请日：2015-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은액세서리장치를감지하는전자장치및 그의동작방법에관한것으로, 제1 방향으로향하는제1 면, 제1 방향과반대인제2 방향으로향하는제2 면, 및제1 면및 제2 면사이의공간을적어도일부둘러싸는측면을포함하는외부(external) 하우징, 하우징의제1 면, 제2 면, 및/또는측면중 적어도일부를통하여노출된유저인터페이스, 하우징의내부에배치된통신회로, 하우징의내부에배치된제1 센서, 제1 센서와전기적으로연결되고, 하우징의제2 면및/또는측면의적어도일부에인접하여배치된도전성부재, 통신회로, 유저인터페이스, 및제1 센서와전기적으로연결된프로세서및 프로세서와전기적으로연결된메모리를포함하고, 메모리는, 실행시에, 프로세서가, 제1 센서를이용하여, 하우징의제2 면에탈착가능하게장착되도록구성된악세서리장치가도전성부재에접촉또는근접하는지를감지하여제1 신호를발생시키고, 제1 신호를적어도하나의임계값과비교하고, 비교결과에기초하여, 통신회로및/또는유저인터페이스를통하여적어도하나의액션을실행시키도록하는인스트럭션들을저장하는것을포함할수 있고, 다른실시예로도적용이가능하다.
Abstract translation: 本发明是一种电子设备，用于感测所述附属设备和涉及其操作方法之间，在第一方向上的表面上的第一头，第一方向相反的摄取定向在第二方向上的第二侧，mitje第一侧和第二侧 通过外壳的第一侧，第二侧和/或侧面的至少一部分暴露的用户接口;设置在外壳内的通信电路; 一个是第一传感器，连接到所述第一传感器和电布置和/或至少一个导电构件安置成邻近于所述壳体，通信电路，用户接口的侧面的一部分的第二表面内，mitje第一传感器和所述电 包括相关联的处理器，并且所述处理器和电连接到所述存储器，所述存储器，当被执行时，所述处理器，使用与所述附件装置的触头的壳体的第一传感器是一个导电构件，其适于以可拆卸的方式安装到所述第二表面，或 肌肉 为了存储指令以生成第一信号，将第一信号与至少一个阈值进行比较，并基于比较结果经由通信电路和/或用户接口执行至少一个动作 并且可以应用于其他实施例。
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公开(公告)号：KR1020170051842A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150153269
申请日：2015-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/7889 , H01L29/7926
Abstract: 본발명은반도체메모리소자및 그제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는기판상에, 상기기판의상면과수직한방향으로적층된워드라인들을포함하는게이트구조체, 상기워드라인들은서로이격되고; 상기기판과상기게이트구조체사이에개재된하부절연패턴; 상기게이트구조체와상기하부절연패턴을관통하는채널구조체; 상기채널구조체와상기워드라인들사이에각각개재된전하저장패턴들; 및상기채널구조체와상기하부절연패턴사이에개재된하부전하저장패턴을포함한다. 상기워드라인들사이, 및상기하부절연패턴과상기게이트구조체사이에각각리세스영역들이정의되고, 상기전하저장패턴들및 상기하부전하저장패턴은상기리세스영역들에의해서로이격된다.
Abstract translation: 本发明是一种半导体存储器件及其涉及制造方法，和的方法更具体地，涉及一基板，该栅极结构包括一个顶表面和堆叠在衬底上的垂直单向字线，字线被彼此间隔开; 介于基板和栅极结构之间的下绝缘图案; 穿过栅极结构和下绝缘图案的沟道结构; 介于沟道结构和字线之间的电荷存储模式; 并且在通道结构和下绝缘图案之间夹有较低的电荷存储图案。 在字线之间以及下绝缘图案和栅极结构之间限定凹陷区域，并且电荷存储图案和较低电荷存储图案由凹陷区域隔开。
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公开(公告)号：KR1020170044578A
公开(公告)日：2017-04-25
申请号：KR1020160106010
申请日：2016-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: MTJ 구조물은수직자화방향을갖는고정막패턴구조물, 상기고정막패턴구조물상의터널배리어패턴, 상기터널배리어패턴상에형성되며, 수직자화방향을갖는자유막패턴, 상기자유막패턴상에형성되어, 상기자유막패턴표면에수직방향의자기를유도하는제1 표면자기유도패턴, 상기제1 표면자기유도패턴상의도전패턴, 및상기도전패턴상의강자성패턴을포함할수 있다.
Abstract translation: MTJ结构包括具有垂直磁化方向的固定膜图案结构，在固定膜图案结构上的隧道势垒图案，形成在隧道势垒图案上的自由膜图案，具有垂直磁化方向的自由膜图案， 第一表面磁感应图案，用于感应垂直于自由层图案的表面的磁性，第一表面磁感应图案上的导电图案以及导电图案上的铁磁图案。
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