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公开(公告)号：KR100162867B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950021554
申请日：1995-07-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/3205
Abstract: 본 발명은 이온 클러스터 빔을 이용한 반도체 소자용 구리박막 제조방법에 관한 것으로, 증착할 구리를 도가니에 채우는 단계와, 기판을 증착위치에 올려 놓은 후, 증착조건의 진공을 유지하는 단계와, 구리가 채워진 도가니를 도가니 필라멘트와 도가니 밤바드먼트를 조절함으로써 클러스터 이온 빔을 형성시키는 단계와, 이온화 필라멘트와 이온화 전압을 조절하여 이온 빔의 일부분을 이온화시키는 단계와, 가속 전압을 조절하여 이온화된 클러스터 이온을 가속시켜 가속된 클러스터 이온 빔과 중성 클러스터 이온 빔을 기판에 증착시키는 단계의 순서로 진행하는 구리박막 제조방법을 제공하여 반도체의 필요조건인 스텝 커버리지를 만족할 뿐 아니라 구리박막의 결정성이 우수해지고, 제조한 박막의 박막저항이 구리 본래의 저항에 가까운 값을 갖 는 효과가 있으며, 기판과의 접착력이 우수하여 고품위 반도체 소자용으로 사용시 우수한 특성을 가지도록 한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019990000697A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970023758
申请日：1997-06-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/14
Abstract: 본 발명은, 히터의 노출에 따른 에너지 낭비를 막고 측정 부위의 가스 흐름이나 외부 조건에 의존하여 감지막에 전달되는 온도를 일정하게 조절하여 센싱 특성을 안정화시킨 반도체식 가스 센서를 제공하기 위하여, 박막증착용 알루미나 기판 앞면에 소정의 패턴으로 형성되는 백금 박막 전극과; 상기 전극이 형성된 기판의 앞면에 증착되는 NO
x 가스 감지용 산화텅스텐 박막과; 상기 알루미나 기판 뒷면에 형성되어 상기 감지막 부위의 온도를 일정하게 유지하기 위한 히터와; 상기 알루미나 기판의 뒷면에 형성되는, 상기 히터를 완전히 매몰시켜 상기 히터를 외부에 대하여 방열하기 위한, 알루미나, 뮬라이트, 코디에라이트, 마그네시아 및 지르코니아로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 재료로 만들어지는 쉬트;를 포함하는 센싱 특성이 안정화된 반도체식 판상 가스 센서 및 알루미나봉과; 상기 알루미나봉위에 형성되는 히터와; 상기 알루미나봉위에 감겨지는, 상기 히터를 완전히 매몰시켜 상기 히터를 외부에 대하여 방열하기 위한, 알루미나, 뮬라이트, 코디에라이트, 마그네시아 및 지르코니아로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 재료로 만들어지는 쉬트와; 상기 쉬트위에 소정의 패턴으로 형성되는 백금 박막 전극과; 상기 전극위에 증착되는 NO
x 가스 감지용 산화텅스텐 박막;을 포함하는 센싱 특성이 안정화된 반도체식 봉상 가스 센서를 제공한다.-
公开(公告)号：KR1019980068362A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970004899
申请日：1997-02-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G4/12
Abstract: 본 발명은 마이크로파 대역에서 높은 품질 계수와 유전율을 가지며 공진 주파수의 온도 계수가 안정한 고주파용 유전체 자기 조성물로서, (1-x)(La
1/2 Na
1/2 )TiO
3 - xCa(Fe
1/2 Nb
1/2 )O
3 (식중, 0.4 ≤ x ≤ 0.7)로 나타내지는 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다. 이 조성물은 Ca(Fe
1/2 Nb
1/2 )O
3 의 함량을 조절함으로써 공진 주파수의 온도 계수의 조정이 용이해서, 유전체 공진기 소재로서의 응용에 적합하다.-
公开(公告)号：KR1019980019932A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960038203
申请日：1996-09-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/02 , H01L27/108 , H01L27/04
Abstract: 본 발명은 피제트티(PZT) 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 졸-겔 스핀 코팅방법으로 백금전극과 PZT 박막 사이에 박막과 같은 페로브스카이트 구조를 갖는 티탄산납(PbTiO
3 )의 촉진층을 삽입하고 백금전극과 반도체기판 사이에 확산 장벽용 알루미나(Al
2 O
3 ) 완충층을 삽입함으로서, 저온에서의 페로브스카이트 상형성을 용이하게 하며 고온에서의 물성저하 없이 우수한 유전 및 강유전 특성을 발현하는 비휘발성 메모리용 PZT 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 PZT 박막은 현재 메모리 반도체 산업에서 가장 커다란 문제점으로 대두되는 저온에서의 페로브스카이트 단일상의 형성과 확산방지 및 막의 피로현상을 개선시킬 수 있기 때문에 장치의 의존성이 적은 졸-겔법이 갖는 경제적인 면 등의 장점을 살릴 수 있음과 동시에 특성향상을 위해 값비싼 단결정 기판 등으로 대체하지 않고 실제 반도체 소자 제조공정에서 사용되는 반도체기판을 아무 문제없이 직접 적용할 수 있으므로 그 응용성을 확대할 수 있다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100134547B1
公开(公告)日：1998-04-20
申请号：KR1019940025241
申请日：1994-10-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/00 , H01L21/205 , H01S3/18
Abstract: 본 발명은 레이저를 발생시키는 장비, 또는 레이저를 이용하는 장비에 필수적으로 장착되어야 하는 레이저 거울의 제조방법에 관한 것으로, 원자의 증착이 아닌 102 ∼ 103개 원자들의 모임인 덩어리를 이온화시키고 고전압을 걸어 가속화시켜서 기판을 때림으로서 기판에서 퍼지는 현상이 일어나도록 함으로써 1. 고밀도 금속 박막, 2. 고 평탄성 금속 박막, 3. 기판과 금속간의 고 접착력, 4. 제조한 금속 박막과 기판간의 예리한 계면 형성 등을 모두 만족하는 레이저 거울을 제작하도록 한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970042414A
公开(公告)日：1997-07-24
申请号：KR1019950054970
申请日：1995-12-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/109
Abstract: 본 발명은 코디어라이트(2Al
2 O
3 -2MgO-5SiO
2 ) 분말을 9wt% 이하로 함유하며, 안정화 또는 부분안정화 지르코니아로 이루어지는 다공성 세라믹스 확산장벽용 조성물, 이러한 조성물로 된 확산장벽층을 가지는 내열측성이 개선되고 센싱 전류 범위가 넓은 산소센서 및 그것의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법으로 제작된 다공성 세라믹스를 이용한 한계전류식 산소센서는 공해방지기기, 자동차나 보일러 등의 연료절감 및 열효율 향상 시스템 및 휴대용 산소분석기 등의 다양한 분야에 응용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970027006A
公开(公告)日：1997-06-24
申请号：KR1019950040878
申请日：1995-11-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/119
Abstract: 본 발명은 폴리비닐부티랄 79 3.0~9.0wt%, 폴리에틸렌글리콜 2.0~5.0wt% 및 디부틸프탈레이트 1.0~4.0wt%로 이루어지며 이들의 비율이 중량비로 3.0~9.0 : 2.0~5.0 : 1.0~4.0인, 지르코니아 시트 제조에 사용되는 유기물 첨가제 조성물 및 그것을 이용하여 닥터 블레이드 성형 방법으로 지르코니아 쉬트를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에서는 첨가제의 첨가량을 줄임으로써 밀도가 향상되고, 탈지 또는 소결시 균열이나 휨의 발생이 없는 그린쉬트를 제조할 수 있으며, 혼합 공정을 1단계로 할 수 있어 공정을 단순화시킨다.
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