Abstract:
본 발명은 반도체 소자의 다층 금속배선 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 제조방법이 1차 배선, 비아 홀, 2차 배선의 순서로 진행하는 반면, 본 발명은 비아 홀 대신에 비아기등을 이용하여, 1차 배선과 비아기등을 하나의 금속도전층으로 금속막의 식각시감광제와의 선택비 차이를 이용하여 한꺼번에 형성하며, 이어서 PECVD 산화막과 SOG 박막을 이용하여 1차 금속배선의 갭-채움과 평탄화를 수행하고 CMP 혹은 에치백등의 기술을 이용하여 비아기등의 최상단면이 노출되고 완전히 평탄화가 이루어진 상태에서 2차 금속배선을 완성하는 것으로, 2차 금속배선 이전까지의 단계를 반복수행함으로써, 다층 금속배선을 쉽게 가능하도록 한다.
Abstract:
본 발명은 방송 선택신호(100f)를 반전시키는 인버터(100a)와, 상기 인버터의 출력값을 각각 인에이블 신호로 하여 옵셋 선택신호(100g) 및 광스위치 구동신호(100h)를 입력받는 한 쌍의 제1 3상 버퍼와, 상기 방송선택신호(100f)를 인에이블 신호로 하여 상기 광스위치 구동신호(100h)를 입력받는 제2 3상 버퍼를 구비하는 것을 특징으로 하여, 저가의 상용 전기소자로 광스위치를 구동할 수 있을뿐만 아니라 광스위치에 방송기능을 부여할 수 있는 효과가 있으며, 또한 집적화된 광스위치의 경우에는 본 구동장치를 에이식(ASIC) 처리하여 집적화시킴으로서 작은 부피에 많은 광스위치와 구동장치를 집적시켜 소형의 대용량 고속 광스위치를 구현할 수 있는 효과가 있는 방송가능 광스위치 구동장치에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 착발신 휴대전화 통신방법에 관한 것으로, 특히, 기존의 공중전화망에 간단한 기능부를 부가하여 경제성을 높이고 초리속도를 향상시킨 착발신 휴대전화 통신시스템 및 운용방법에 관한 것이다. 본 발명은 기존의 공중전화망의 톨 교환기에 휴대전화단말식별 번호와 위치식별코드를 갖는 데이타베이스를 접속하고, 일반 로칼 교환기에 연결된 가입자선에 일정한 무선인터페이스를 통하여 휴대 단말과 접속되는 기지국을 접속하여 시스팀을 구성한 후 데이타베이스, 기지국 및 휴대단말에 저장도는 가입자정보 및 가입자위치 정보를 이용하여 이동성을 보장되는 개인통신서비스를 제공하는 것을 특징으로 한다.