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公开(公告)号：KR1020150108147A
公开(公告)日：2015-09-25
申请号：KR1020140030970
申请日：2014-03-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 안테나와 송수신 칩 및 디지털 신호처리 칩을 하나의 패키지로 소형화, 집적화, 경량화하기 위해 단일 기판 위에 안테나와 레이더 온 칩으로 패키징하는 밀리미터파용 레이더 온 패키지에 관한 것으로, 밀리미터파용 레이더 온 패키지는, 다층 기판; 상기 다층 기판의 일면에 배치되는 RFIC 송신 모듈과 RFIC 수신 모듈로 구성되는 RFIC 칩; 및 상기 다층 기판의 타면에 형성되어 안테나 송신부와 안테나 수신부를 구성하며, 유전체 공진기 안테나의 노출 영역인 다수의 멀티 어레이 안테나를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于毫米波的雷达，其能够在单个基板上封装天线和雷达，用于将天线，发射和接收芯片以及数字信号处理芯片小型化，集成和照明，以便将其作为 一包 用于毫米波的包装雷达包括：多层基板; RFIC芯片，其由布置在所述多层基板的一侧上的RFIC传输模块和RFIC接收模块构成; 并且形成在多层基板的另一侧上的多个多阵列天线包括天线发送单元和天线接收单元，并且是介质谐振器天线的曝光区域。
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公开(公告)号：KR1020120116335A
公开(公告)日：2012-10-22
申请号：KR1020120026571
申请日：2012-03-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A radar device is provided to improve the reliability of measurement by using a digital modulation-demodulation technology. CONSTITUTION: A transmitting unit(110) converts a digital modulation signal generated by a digital signal processing unit(130) into a carrier frequency through analog conversion. The transmitting unit transmits a generated transmission signal(T1) through a transmission antenna(141). A receiving unit(120) receives an echo signal(R1) reflected from a target(150) and performs digital conversion to the same. The digital signal processing unit demodulates the each signal. [Reference numerals] (130) Digital signal processing unit; (AA) Digital code
Abstract translation: 目的：提供雷达装置，通过数字调制解调技术提高测量的可靠性。 构成：发送单元（110）通过模拟转换将由数字信号处理单元（130）产生的数字调制信号转换为载波频率。 发送单元通过发送天线（141）发送生成的发送信号（T1）。 接收单元（120）接收从目标（150）反射的回波信号（R1），并对其进行数字转换。 数字信号处理单元解调每个信号。 （附图标记）（130）数字信号处理单元; （AA）数字代码
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公开(公告)号：KR1020070041868A
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020050097449
申请日：2005-10-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03F1/0222 , H03F1/0277
Abstract: 본 발명은 최대 출력에서 선형성을 만족시키면서, 최대 사용빈도를 갖는 영역에서 효율을 증대시켜 배터리의 사용시간을 연장할 수 있도록 한 저소비 전력 시스템에서의 전력증폭기에 관한 것이다.
본 발명의 전력증폭기는, 외부로부터 입력된 신호를 임피던스 정합시키기 위한 입력 임피던스 정합부; 상기 입력 임피던스 정합부를 경유한 신호를 증폭하기 위한 고출력 증폭부 및 저출력 증폭부; 상기 입력 신호의 전력 레벨에 따라 상기 고출력 증폭부 및 저출력 증폭부를 제어하는 증폭제어부; 상기 고출력 증폭부 및 저출력 증폭부로부터 증폭된 신호를 임피던스 정합시키기 위한 출력 임피던스 정합부; 및 상기 저출력 증폭부에 가변적인 동작 전압을 공급하기 위한 다이나믹 전압 공급부를 포함한다.
상기 구성에 따라, 최대 출력에서 선형성을 만족시키면서, 최대 사용빈도를 갖는 영역에서 효율을 증대시켜 휴대기기 배터리의 사용시간을 연장할 수 있는 효과가 있다.
전력증폭기, 이동통신 단말기, 임피던스 정합부, 증폭기 제어부-
公开(公告)号：KR100444820B1
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：KR1020010047655
申请日：2001-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/12
Abstract: PURPOSE: A photodetector is provided to minimize a tunneling leakage current and improve the capability of a light receiving chip in which the photodetector and a hetero-junction bipolar transistor are integrated into a single chip, by smoothly transferring the charges generated in a light absorbing layer. CONSTITUTION: The first conductive layer of the first conductivity type is formed in a predetermined region on a substrate(40). A light absorbing layer(43) is stacked on the first conductive layer. The second conductive layer of the second conductivity type is stacked on the light absorbing layer. The third conductive layer are formed between the first conductive layer and the light absorbing layer and between the light absorbing layer and the second conductive layer, decreasing a lattice match and a potential energy band difference between the two stack layers to make photoelectrons flow smoothly.
Abstract translation: 目的：提供一种光电探测器，以最小化隧道泄漏电流，并通过将光吸收层中产生的电荷平稳地转移到光电探测器中，从而提高其中光电探测器和异质结双极晶体管集成到单个芯片中的光接收芯片的能力 。 构成：第一导电类型的第一导电层形成在衬底（40）上的预定区域中。 光吸收层（43）堆叠在第一导电层上。 第二导电类型的第二导电层堆叠在光吸收层上。 所述第三导电层形成于所述第一导电层与所述光吸收层之间以及所述光吸收层与所述第二导电层之间，减少所述两层叠层之间的晶格匹配和势能差，使光电子顺利流动。
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公开(公告)号：KR1020030013580A
公开(公告)日：2003-02-15
申请号：KR1020010047655
申请日：2001-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/12
Abstract: PURPOSE: A photodetector is provided to minimize a tunneling leakage current and improve the capability of a light receiving chip in which the photodetector and a hetero-junction bipolar transistor are integrated into a single chip, by smoothly transferring the charges generated in a light absorbing layer. CONSTITUTION: The first conductive layer of the first conductivity type is formed in a predetermined region on a substrate(40). A light absorbing layer(43) is stacked on the first conductive layer. The second conductive layer of the second conductivity type is stacked on the light absorbing layer. The third conductive layer are formed between the first conductive layer and the light absorbing layer and between the light absorbing layer and the second conductive layer, decreasing a lattice match and a potential energy band difference between the two stack layers to make photoelectrons flow smoothly.
Abstract translation: 目的：提供一种光电检测器，以最小化隧道泄漏电流，并通过平滑地转移在光吸收层中产生的电荷，提高光接收芯片和异质结双极晶体管集成到单个芯片中的光接收芯片的能力 。 构成：第一导电类型的第一导电层形成在衬底（40）上的预定区域中。 光吸收层（43）层叠在第一导电层上。 第二导电类型的第二导电层堆叠在光吸收层上。 第三导电层形成在第一导电层和光吸收层之间，并且在光吸收层和第二导电层之间，减小了两个堆叠层之间的晶格匹配和势能带差，使得光电子流畅地流动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010064258A
公开(公告)日：2001-07-09
申请号：KR1019990062408
申请日：1999-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01F5/00
Abstract: PURPOSE: A high performance active inductor is provided to be used at a low voltage, and attain impedance of an output port higher than when being used an inductor or a resistance as a load of an output port. CONSTITUTION: A condenser(C31) is connected to a gate and a source of an NMOS(m31) in parallel. A resistor(R31) is ground connected with Vdd on the gate of the NMOS(M31). A high performance active inductor is activated with a simple load without requiring an additional circuit. The active inductor supplies a DC necessary for an amplifying termination, such that any additional circuit, for example, a current source, is not needed. A higher impedance is ensured than a case when a resistor is used as a load through an optimization process.
Abstract translation: 目的：提供一种低电压使用的高性能有源电感器，其输出端口的阻抗高于使用电感器或电阻作为输出端口负载时的阻抗。 构成：电容器（C31）并联连接到NMOS（m31）的栅极和源极。 电阻（R31）与NMOS（M31）的栅极上的Vdd接地。 高性能有源电感器通过简单的负载被激活，而不需要额外的电路。 有源电感器提供放大终端所需的DC，使得不需要任何附加电路，例如电流源。 比通过优化过程使用电阻作为负载的情况下，确保更高的阻抗。
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公开(公告)号：KR1020010063350A
公开(公告)日：2001-07-09
申请号：KR1019990060412
申请日：1999-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/45
Abstract: PURPOSE: A BALUN(BALanced-to-UNbalanced) circuit for single signals and differential signals using a coupled inductor is provided to reduce a driving loss when D2S and S2D conversions are performed by obtaining an impedance which is higher than a desired frequency since the coupled inductor and a capacitor are connected in parallel. CONSTITUTION: A D2S conversion section(200) includes the inductor(L1), capacitor(Co), and register(R). The inductor(L1), whose left and right winding numbers are same each other, is linked to a voltage source(Vdd) at a central connecting point. The capacitor(Co) discontinues direct current component around and between an end of the inductor(L1) and a load(Vout) and shorts alternating current. The register(R) is linked to the load(Vout). The D2S conversion section(200) generates an absolute sum current(iout) for pair current(i1 and i2) of two ends of the inductor(L1). A S2D conversion section(220) includes an inductor(L2), and N type transistors(N1,N2,Ncs). The inductor(L2), whose left and right winding numbers are same each other, is linked to a ground (Vss) at a central connecting point. The N type transistors(N1,N2) whose gate are linked to two ends of the inductor(L2) and have a differential pair and common source. The N type transistor(Ncs) is linked to the common source of the N type transistors(N1,N2) and acts as a current source. The S2D conversion section(220) generates a reversed voltage(vib) from the input voltage(vin) of an end of the inductor.
Abstract translation: 目的：提供使用耦合电感器的单信号和差分信号的BALUN（平衡不平衡）电路，以便通过获得高于期望频率的阻抗来执行D2S和S2D转换以减少驱动损耗，因为耦合 电感和电容并联。 构成：D2S转换部分（200）包括电感（L1），电容（Co）和寄存器（R）。 其左右绕组数相同的电感器（L1）与中心连接点的电压源（Vdd）相连。 电容器（Co）中断在电感器（L1）的一端和负载（Vout）之间和之间的直流分量并使交流电短路。 寄存器（R）连接到负载（Vout）。 D2S转换部分（200）产生用于电感器（L1）的两端的对电流（i1和i2）的绝对和电流（iout）。 S2D转换部分（220）包括电感器（L2）和N型晶体管（N1，N2，Ncs）。 左右绕组数彼此相同的电感器（L2）在中心连接点连接到地（Vss）。 其栅极连接到电感器（L2）的两端并具有差分对和公共源的N型晶体管（N1，N2）。 N型晶体管（Ncs）与N型晶体管（N1，N2）的公共源连接，作为电流源。 S2D转换部分（220）根据电感器端部的输入电压（vin）产生反向电压（vib）。
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公开(公告)号：KR1020010058230A
公开(公告)日：2001-07-05
申请号：KR1019990062446
申请日：1999-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/00
Abstract: PURPOSE: A frequency synthesizer available to high speed operation is provided to respond to input phase difference rapidly by making narrow distance of time and space based on the past oscillator output frequency. CONSTITUTION: A phase comparison device(10) generates phase difference signal after comparing basis signal and comparative signal. A charge pump(20) generates a voltage signal which has DC component including pulse signal based on the phase difference signal from the phase comparison device(10). A low pass filter(30) makes smooth voltage signal supplied from the charge pump(20) and generates control voltage that high frequency is removed from. A voltage control oscillator(40) outputs output signal which frequency corresponds to value of control voltage. A division circuit(50) feedbacks output signal generated from the control voltage oscillator(40).
Abstract translation: 目的：提供可用于高速运行的频率合成器，以通过基于过去的振荡器输出频率进行窄距离的时间和空间来快速响应输入相位差。 构成：比较基准信号和比较信号之后，相位比较装置（10）产生相位差信号。 电荷泵（20）基于来自相位比较装置（10）的相位差信号产生具有包括脉冲信号的DC分量的电压信号。 低通滤波器（30）使得从电荷泵（20）提供的平滑电压信号产生高频率的控制电压。 电压控制振荡器（40）输出与控制电压值对应的频率的输出信号。 除法电路（50）反馈从控制电压振荡器（40）产生的输出信号。
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公开(公告)号：KR100281647B1
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019980052342
申请日：1998-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/40
Abstract: 본 발명은 CDMA 방식 전력증폭기회로에서의 선형성을 높이기 위한 회로에 관한 것으로서, 특히 능동소자 발룬을 이용한 소신호 선형성 향상을 위한 RF 집적회로에 관한 것이다. 본 발명은, 케스코우드 연결된 2개의 FET(M1, M2)와，각각의 FET에 대하여 직류 게이트 전압 VGG1과 VGG2로 이루어진 케스코우드 증폭기 FET M1의 드레인과 FET M2의 소오스단이 연결된 부분에 게이트가 공유되고, FET M2의 드레인과 드레인이 공유되는 왜곡 발생기로 사용되는 새로운 FET(M3)와, FET M3의 직류 게이트 전압 VGG3와 직류 전류/전압 절연을 위한 캐패시터(C1)로 구성된다. FET M1, M2는 보통의 케스코우드 증폭기에서 신호의 증폭을 위하여 정상 동작점에서 동작하도록 하고 부가된 FET(M3)의 게이트전압(VGG3)을 M1, M2의 동작전압 이하(V3-2 영역)에서 조절하여 추가되는 전력소모가 무시할 수 있는 정도이면서 입력된 신호가 비선형 능동 소자인 FET(M3)를 통과하여 생성된 3차 왜곡 신호를 FET(M2)의 드레인과 공통으로 묶어져서 이 3차 왜곡된 신호가 본래의 통신 신호가 M1, M2의 3차 비선형성에 의하여 생성된 3차 왜곡 신호와 상쇄되어 선형성이 개선된다.
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公开(公告)号：KR1020000033517A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980050413
申请日：1998-11-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/48
Abstract: PURPOSE: An integrated elements with a trench filled with air and a method for manufacturing the same are included to transfer signals through a wiring safely by minimizing the capacitive coupling. CONSTITUTION: A method for manufacturing the integrated elements with a trench filled with air include first and second steps. In the first step, a plurality of first trenches(57) are formed in a board(30) by way of a selective etching. In the second step, air is filled in the first trench by forming a first dielectric layer(33) in the structure after the first step is performed and by filling the opening of the first trench(57). The air filled inside of the first trench(57) is accumulated to form an air layer(31).
Abstract translation: 目的：包含填充空气的沟槽的集成元件及其制造方法被包括以通过最小化电容耦合来安全地传输信号通过布线。 构成：用填充有空气的沟槽制造集成元件的方法包括第一和第二步骤。 在第一步骤中，通过选择性蚀刻在板（30）中形成多个第一沟槽（57）。 在第二步骤中，通过在执行第一步骤之后在结构中形成第一介电层（33）并填充第一沟槽（57）的开口，将空气填充在第一沟槽中。 填充在第一沟槽（57）内部的空气被积聚形成空气层（31）。
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