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公开(公告)号：KR1019980014634A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960033694
申请日：1996-08-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 T형 게이트제조 방법에 관한 것으로, 스텝퍼를 사용하여 실리콘 나이트라이드의 증착 및 건식 식각에 의하여 게이트 길이가 짧은 T-형 게이트를 제조하므로서, 게이트 길이가 짧게 형성되면서도 게이트 저항이 증가하지 않아 소자의 이득 및 잡음 특성이 나빠지지 않고, 일반 스텝퍼의 패턴 해결(Resolution)의 한계인 0.5μm 보다 훨씬 작은 0.1∼0.2μm의 게이트 길이를 갖는 고주파용 GaAs MESFET 소자를 제작할 수 있으며, 생산성을 높이고 공정의 단가를 줄일 수 있는 T-형 게이트 제조 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR1019970056497A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950047073
申请日：1995-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04L27/34
Abstract: 본 발명은 16QAM에서의 심볼타임이 동기를 위해서 블럭으로 데이타를 입력 받을 때 AD 변환기의 샘프링 주파수의 드리프트에 의한 영향을 고려한 심볼 타이밍 동기의 블럭 제어방법에 관한 것이로, 데이타 블록의 앞과 뒤에 히더와 꼬리를 부가하는 제1과정과; 버퍼에 쌓을 위치를 계산하는 제2과정과; 데이타를 입력받는 제3과정과; 위에서 계산한 버퍼의 위치에 따라 쌓는 제4과정과; Accumulator를 초기화시키는 제5과정과; M(8)-cyclic accumulation을 할 때 시작점을 16부터 시작해서 마지막 점은 한 블럭(버퍼 끝점에서 16개를 제외한) 까지만 누적시키는 제6과정과; Accumulator에서 가장 큰 값을 찾음으로써 샘플링 타이밍을 선택하는 제7과정; 및 찾은 샘플링 포인트로부터 오프셋을 구하는 제8과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 실시간 심볼 타이밍 동기 블럭 제어방법을 적용함으로써 CPU간의 통신량을 줄였으며 실시간 처리에서 AD 변환기의 샘프링 주파수의 드리프트의 의한 영향을 제거하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970031623A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950043029
申请日：1995-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04L27/34
Abstract: 본 발명은 16 QAM(Quadrature amplituded modulation) 시스템의 DSP 보드를 이용한 송신 패턴의 발생과 이의 파형 성형된 신호를 다른 DSP보드에서 수신하여 적절한 샘플링 포인트에서 선택된 심벌의 심벌오율을 실시간으로 구하기 위한 방법으로, 소정비트의 직교 진폭 변조 시스템내 구비되어 있는 다수개의 신호처리수단중 임의의 신호처리수단으로 하여금 송신 패턴을 발생시키는 제1과정과, 송신되어지는 파형 생성된 신호를 다른 임의의 신호처리수단에서 수신하는 제2과정과, 수신된 파형신호를 설정된 샘플링 포인트에서 선택된 심벌의 심벌오율을 실시간으로 계산하는 제3 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다단변복조 송수신 시스템에서의 심벌오율 측정방법이다.
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公开(公告)号：KR1019970031531A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950040299
申请日：1995-11-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04L7/04
Abstract: 본 발명은 QAM 신호의 프레임 동기 검출방법에 관한 것으로, 특히 현재의 프레임 동기를 찾기 위해 과거의 프레임 동기 정보의 도움을 얻어서 보다 정확하게 프레임 동기를 구할 수 있도록 된 PSAM(Pilot Symbol Assisted Modulation)방식을 적용한 QAM 신호의 프레임 동기 검출방법에 관한 것으로, 이동통신시스템에 적용되는 QAM 신호의 프레임 동기 검출방법에 있어서, 프레임 동기 획득에 필요한 데이타(Data)에서 과거의 어큐뮬레이터(Accumulator) 값을 계속 저장하는 제 1 단계; 저장된 과거의 어큐뮬레이터 값에 일정한 가중치(λi)를 곱한 후, 현재의 어큐뮬레이터 값과 평균을 취하여 전체 어큐뮬레이터(Total Accumulator) 값을 구하는 제 2 단계; 계산된 전체 어큐뮬레이터의 값중에서 가장 큰값의 위치를 프레임 동기로 검출하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여 레일리 페이딩 환경하에서 QAM에 PSAM 방식을 적용하였을때 더욱 정확하게 프레임 동기를 찾을 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970003908B1
公开(公告)日：1997-03-22
申请号：KR1019930005879
申请日：1993-04-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: The method for mounting chemical composite wafer on plain glass substrate includes steps ; a) forming protection layer(2) against damage or crack ; b) spraying wax(3) for adhering a plain glass a substrate(4) and a wafer(1) ; and c) adhering front side of the wafer on which the protection layer is formed and the plain glass substrate coated by the wax. The protection layer formed by baking after spraying photo sensitive layer.
Abstract translation: 化学复合晶片在普通玻璃基板上的安装方法包括： a）形成保护层（2），防止损坏或破裂; b）喷涂蜡（3）以将平板玻璃粘附在基板（4）和晶片（1）上; 以及c）粘附其上形成有保护层的晶片的正面和由蜡涂覆的平板玻璃基板。 保护层通过喷涂形成的感光层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970004498A
公开(公告)日：1997-01-29
申请号：KR1019950017181
申请日：1995-06-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04L7/00
Abstract: 본 발명은 16QAM TCM의 심볼 타이밍 동기에서 필터에 의한 파형정형방법에 관한 것으로서, 종래 다중레벨 변조방식인 QAM에서는 피크가 정확한 샘플 포인트가 되지 않았기 때문에 레이즈로 코사인 필터로 파형정형을 했을 때 정확한 동기를 찾기 어려웠던 문제점을 해결하기 위해 입력된 인접심볼 사이의 신호레벨을 비교하여 구한 차신호를 이용하여 스케일과 시프트를 구한 후, 이 차신호를 소정 기준레벨과 비교한 결과에 따라 상승패턴 또는 하강패턴 이전파형을 갖는 파형정형을 함으로써 완전히 상호 심볼 간섭이 전혀 없는 파형을 생성할 수가 있고, 잡음이 없는 이상적인 상황에서는 정확한 샘플 포인트를 찾을 수가 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR1019960026922A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036016
申请日：1994-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/40
Abstract: 본 발명은 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET),고전자 이동도트랜지스터(HEMT),또는 이종접합 바이폴라트랜지스터(HBT) 등과 같은 갈륨비소 화합물반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 오믹접촉(ohmic contact) 저항특성을 개선시킬 수 있는 오믹전극을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 오믹금속의 중착전에 GaAs 표면을 (NH
4 )
2 S
X 용액에 담금처리를 통하여 유황처리 시킨 후, 금속층 형성 및 열처리 공정을 수행하여 GaAs에 대해 n형의 도판트(dopant)로 작용하는 유황을 오믹층과 GaAs기판과의 계면에 확산시킴으로써 오믹접촉저항을 감소시킨다.-
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公开(公告)号：KR1019960002089B1
公开(公告)日：1996-02-10
申请号：KR1019930005880
申请日：1993-04-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
Abstract: The air bridge of the power FET is formed by (a) forming unit gates comprising a first metal layer(5) and a second metal(6) layer on the substrate(1), (b) covering a first dual tone photoresist(2) on the wafer, and forming a post pattern for the air bridge by the use of a negative profile, (c) heat-treating the post pattern, (d) forming a base metal layer(3) by the electron beam heat deposition, (e) covering a second dual tone photoresist(4), and defining it, and (f) electroplating a gold on the patterned wafer, and removing the photoresists(2, 4) and the metal layer(3). The power FET is used for a microwave unit.
Abstract translation: 功率FET的空气桥由（a）在衬底（1）上形成包括第一金属层（5）和第二金属（6）层的单位栅极形成，（b）覆盖第一双色光致抗蚀剂（2） ），并且通过使用负型轮廓形成用于空气桥的柱状图案，（c）热处理柱状图案，（d）通过电子束热沉积形成贱金属层（3） （e）覆盖第二双色光致抗蚀剂（4）并限定它;（f）在图案化晶片上电镀金，以及去除光致抗蚀剂（2,4）和金属层（3）。 功率FET用于微波单元。
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公开(公告)号：KR1019950034817A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019940010636
申请日：1994-05-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L21/8252
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