公开(公告)号：WO02051742A2

公开(公告)日：2002-07-04

申请号：PCT/DE2001/004692

申请日：2001-12-13

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0178

Abstract: The invention relates to a micromechanical component comprising: a substrate (1); a monocrystalline layer (10), which is provided above the substrate (1) and which has a membrane region (10a); a cavity (50) that is provided underneath the membrane region (10a), and; one or more porous regions (150; 150'), which are provided inside the monocrystalline layer (10) and which have a doping (n ; p ) that is higher than that of the surrounding layer (10).

Abstract translation: 本发明提供了一种具有衬底（1）的微机械部件; 一个所提供的单晶层（10），其具有隔膜部（10A）在所述衬底（1）的上方; 一个设置在所述空腔的膜区域（10a）的下面（50）; 包括周围相比增加掺杂的层（10）;（P <+>名词<+>）5;和一个或多个单晶层（10）的多孔区（150“150）内。

公开(公告)号：KR1020060129009A

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：KR1020067016091

申请日：2004-12-20

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 베어한스-페터 ,  회흐스트아르님

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0353 ,  B81C2201/0178

Abstract: The invention concerns a micromechanical sensor and a method for the production thereof. According to the invention, the diaphragm can be reliably mounted regardless of process- related vibrations of the cavern etching process and the diaphragm can be provided in any shape due to the fact that a suitable binding of the diaphragm in an oxide layer produced by local oxidation is formed. The micromechanical sensor comprises: at least one substrate (1); an outer oxide layer (9) formed in a laterally outer region (4) in the substrate (1); a diaphragm (15) formed in a laterally inner diaphragm region (5) and having a number of perforations (16), and; a cavern (14) etched into the substrate (1) underneath the diaphragm (15), said diaphragm (15) being suspended in a suspending region (10) of the outer oxide layer (9), this region tapering toward the binding points (12) of the diaphragm (15), and the diaphragm (15) is, in the vertical height thereof, placed between a top side (17) and an underside (19) of the outer oxide layer (9).

Abstract translation: 本发明涉及一种微机械传感器及其制造方法。 根据本发明，无论孔洞蚀刻工艺的过程相关的振动如何，隔膜都可以可靠地安装，并且可以以任何形状提供隔膜，这是由于隔膜在局部氧化产生的氧化物层中的适当结合 形成了。 所述微机械传感器包括：至少一个基板（1）; 在所述基板（1）的横向外部区域（4）中形成的外部氧化物层（9）。 形成在横向内部隔膜区域（5）中并且具有多个穿孔（16）的隔膜（15），以及 蚀刻到隔膜（15）下面的衬底（1）中的一个洞（14），所述隔膜（15）悬挂在外部氧化物层（9）的悬挂区域（10）中，该区域朝向绑定点 12），隔膜（15）的垂直高度位于外侧氧化物层（9）的上侧（17）和下侧（19）之间。

公开(公告)号：KR100414570B1

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：KR1020000037659

申请日：2000-07-03

Applicant: 조동일

Inventor： 조동일 ,  이상우 ,  박상준

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0019 ,  B81C2201/0178 ,  H01L21/764

Abstract: An isolation method for a single crystalline silicon microstructure using a triple layer structure is disclosed. The method includes forming the triple layer composed of an insulation layer formed over an exposed surface of the silicon microstructure, a conductive layer formed over the entire insulation layer, and a metal layer formed over a top portion of the microstructure; and partially etching the conductive layer to form electrical isolation between parts of the microstructure. The method does not require a separate photolithography process for isolation, and can be effectively applied to microstructures having high aspect ratios and narrow trenches. Also disclosed are single crystalline silicon microstructures having a triple layer isolation structure formed using the disclosed method.

Abstract translation: 公开了一种使用三层结构的单晶硅微结构的隔离方法。 该方法包括：形成由在硅微结构的暴露表面上形成的绝缘层，在整个绝缘层上形成的导电层以及在微结构的顶部上形成的金属层构成的三层; 并且部分地蚀刻导电层以在微结构的部分之间形成电隔离。 该方法不需要单独的光刻工艺进行隔离，并且可以有效地应用于具有高纵横比和窄沟槽的微结构。 还公开了具有使用所公开的方法形成的三层隔离结构的单晶硅微结构。

公开(公告)号：KR100369324B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1019990054394

申请日：1999-12-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최창억 ,  전치훈 ,  장원익 ,  김윤태

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2203/0136

Abstract: A method for forming a micro cavity is disclosed. In the method for forming the cavity, a first layer is formed on a silicon layer and a trench is formed in the silicon layer by selectively etching the silicon layer. A second and a third layers are formed on the trench and on the silicon layer. Etching holes are formed through the third layer by partially etching the third layer. A cavity is formed between the silicon layer and the third layer after the second layer is removed through the etching holes. Therefore, the cavity having a large size can be easily formed and sealed in the silicon layer by utilizing the volume expansion of the silicon or the poly silicon layer. Also, a vacuum micro cavity can be formed according as a low vacuum CVD oxide layer or a nitride layer formed on the etching holes which are partially opened after the thermal oxidation process by controlling the size of the etching holes concerning the other portion of the poly silicon layer.

Abstract translation: 公开了一种形成微腔的方法。 在用于形成空腔的方法中，在硅层上形成第一层，并且通过选择性地蚀刻硅层在硅层中形成沟槽。 第二和第三层形成在沟槽上和硅层上。 通过部分蚀刻第三层形成穿过第三层的蚀刻孔。 在通过蚀刻孔去除第二层之后，在硅层和第三层之间形成空腔。 因此，通过利用硅或多晶硅层的体积膨胀，可以容易地在硅层中形成和密封具有大尺寸的空腔。 另外，通过控制与其他部分的聚合物相关的蚀刻孔的尺寸，可以形成真空微腔，作为在热氧化过程之后部分地打开的蚀刻孔上形成的低真空CVD氧化物层或氮化物层 硅层。

公开(公告)号：KR101056547B1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020067016091

申请日：2004-12-20

Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

Inventor： 베어한스-페터 ,  회흐스트아르님

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0353 ,  B81C2201/0178

Abstract: 본 발명은 마이크로 기계식 센서 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 멤브레인은 캐번 에칭 공정의 공정 관련 진동에 관계없이 신뢰성있게 장착될 수 있고, 국부적인 산화에 의해 생성된 산화층 내에 멤브레인의 적절한 접합이 형성되는 점으로부터 멤브레인은 어떠한 형상으로도 제공될 수 있다. 마이크로 기계식 센서는 적어도 하나의 기판(1)과, 기판(1) 내의 측방향 외부 영역(4)에 형성된 외부 산화층(9)과, 측방향 내부 멤브레인 영역(5)에 형성되고 수많은 관통구를 갖는 멤브레인(15)과, 멤브레인(15) 하부에 기판(1)내로 에칭성형된 캐번(14)을 포함한다. 멤브레인(15)은 외부 산화층(9)의 현수 영역(10)에 현수되어 있고, 현수 영역은 멤브레인(15)의 접합점(12)을 향하여 테이퍼져 있다. 멤브레인(15)은 그 수직방향 높이가 외부 산화층(9)의 상단부(17)와 하단부(19) 사이에 위치해 있다.
센서, 멤브레인, 캐번, 에칭, LOCOS 구조

Abstract translation: 描述了一种微机械传感器及其制造方法。 通过在由局部氧化产生的氧化层中设计隔膜的适当连接，可以实现安全的隔膜限制，与由于工艺技术引起的洞穴蚀刻过程的波动无关，以及隔膜的自由设计成为可能。 微机械传感器包括，例如，一个基板，形成在横向外部区域在衬底的外部氧化物层，具有形成在其横向内部隔膜区域中的多个穿孔的膜片，一个洞穴在衬底蚀刻的膜片，由此下方 膜片悬挂在外部氧化物层的悬置区域中，该悬置区域朝向膜片的连接点逐渐变细并且膜片位于外部氧化物层的顶侧和底侧之间的垂直高度。

公开(公告)号：KR100562061B1

公开(公告)日：2006-03-17

申请号：KR1020037004373

申请日：2001-07-26

Applicant: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

Inventor： 오쿠무라미카 ,  호리카와마키오 ,  이시바시키요시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02255 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0178 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662

Abstract: A substrate is provided with a substrate main body made from silicon, and an oxide film for a base formed thereon. The oxide film includes a first oxide film made mainly of a thermal SiO 2 film formed by thermally oxidizing silicon in the substrate main body, and a second oxide film made of a high-temperature oxide film deposited and formed thereon. Alternatively the second oxide film may be formed by TEOS.

公开(公告)号：KR1020010053854A

公开(公告)日：2001-07-02

申请号：KR1019990054394

申请日：1999-12-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최창억 ,  전치훈 ,  장원익 ,  김윤태

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2203/0136

Abstract: PURPOSE: A method for forming a micro cavity structure hermetically sealed with a planar silicon oxide layer on a silicon substrate is provided with a simplified process and an improved planarity. CONSTITUTION: In the method, the silicon substrate(1) is selectively etched to form a plurality of narrow trenches in a region where a cavity(6) will be formed. The first silicon oxide layer is then formed in the trenches by the first thermal oxidation. Next, a portion of the first silicon oxide layer growing on a surface of the silicon substrate(1) is removed by etch. After that, a polysilicon layer is deposited on an entire resultant structure and then selectively etched to form a plurality of small apertures exposing the region of the cavity(6). Thereafter, the first silicon oxide layer is removed by wet etch through the apertures in the polysilicon layer, so that the cavity(6) is formed in the silicon substrate(1). Next, by the second thermal oxidation, the polysilicon layer is turned into the planar silicon oxide layer(2), while the apertures are clogged up by cubical expansion.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成在硅衬底上用平面氧化硅层密封的微腔结构的方法，其具有简化的工艺和改进的平面度。 构成：在该方法中，选择性地蚀刻硅衬底（1）以在将形成空腔（6）的区域中形成多个窄沟槽。 然后通过第一次热氧化在沟槽中形成第一氧化硅层。 接下来，通过蚀刻去除在硅衬底（1）的表面上生长的第一氧化硅层的一部分。 之后，在整个所得结构上沉积多晶硅层，然后选择性地蚀刻以形成暴露空腔（6）的区域的多个小孔。 此后，通过湿蚀刻通过多晶硅层中的孔去除第一氧化硅层，使得在硅衬底（1）中形成空腔（6）。 接下来，通过第二热氧化，多晶硅层变成平面氧化硅层（2），而孔被立方膨胀堵塞。

公开(公告)号：TW200618276A

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：TW094141104

申请日：2005-11-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張毓華 YUH-HWA CHANG ,  陳斐筠 FEI-YUN CHEN ,  曾健庭 JIANN-TYNG TZENG ,  朱翁駒 CHENG-YU CHU ,  彭俊凱 CHUN-KAI PENG ,  葉志杰 CHIH-CHIEH YEH ,  柏竟衡 CHING-HENG PO ,  何大椿 DAH-CHUEN HO

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/00253 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2201/053

Abstract: 本發明提供一種防止金屬與矽層間側向交互擴散的方法，包括下列步驟：首先，提供一包括複數個金屬圖案之基板。接著，形成氧化矽層、氮化矽層、氮氧化矽層、氮化鈦或氧化鋁於金屬圖案之間隙壁以防止金屬圖案和後續填入之矽層間側向交互擴散。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种防止金属与硅层间侧向交互扩散的方法，包括下列步骤：首先，提供一包括复数个金属图案之基板。接着，形成氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氮化钛或氧化铝于金属图案之间隙壁以防止金属图案和后续填入之硅层间侧向交互扩散。

公开(公告)号：TW201338031A

公开(公告)日：2013-09-16

申请号：TW101128383

申请日：2012-08-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李德浩 ,  LEE, TE HAO

IPC: H01L21/306

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C2201/0122 ,  B81C2201/0178

Abstract: 在本發明一實施例中，以氫氟酸(HF)蒸氣蝕刻高深寬比開口以形成微機電系統(MEMS；Micro Electro Mechanical System)裝置及結構間具0.2μm的空氣縫隙的其他緊密封裝的半導體裝置。以氫氟酸蒸氣蝕刻氧化物插塞及空隙(voids)部分及氧化物襯層部分的縫隙(gap)，並進一步蝕刻埋藏在矽及其他結構下的氧化物層，其為結構釋放懸臂及其他微機電系統裝置的理想方法。在一實施例中，氫氟酸蒸氣在室溫及大氣壓下進行蝕刻。本發明一實施例提供形成微機電系統裝置的製程，其包括懸臂及固定(stationary)、抗震的(vibration resistant)橫向共平面(in-plane)電極。

Abstract in simplified Chinese: 在本发明一实施例中，以氢氟酸(HF)蒸气蚀刻高深宽比开口以形成微机电系统(MEMS；Micro Electro Mechanical System)设备及结构间具0.2μm的空气缝隙的其他紧密封装的半导体设备。以氢氟酸蒸气蚀刻氧化物插塞及空隙(voids)部分及氧化物衬层部分的缝隙(gap)，并进一步蚀刻埋藏在硅及其他结构下的氧化物层，其为结构释放悬臂及其他微机电系统设备的理想方法。在一实施例中，氢氟酸蒸气在室温及大气压下进行蚀刻。本发明一实施例提供形成微机电系统设备的制程，其包括悬臂及固定(stationary)、抗震的(vibration resistant)横向共平面(in-plane)电极。

公开(公告)号：TW200927638A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：TW097142304

申请日：2008-11-03

Applicant: 羅伯特博斯奇股份有限公司 ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： 沃克爾 史奇米茲 SCHMITZ, VOLKER ,  阿克瑟 格羅斯 GROSSE, AXEL

IPC: B81B ,  B81C

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0178

Abstract: 一種微機械構件,具有一功能區域(3)及一載體基材(1),其中該載體基材(1)有一渠溝構造(2),平行於該載體基材(1)的主延伸平面(1'),其中該渠溝構造(2)的表面被一第一絕緣層(20)蓋住,且其中該渠溝構造(2)有一上表面平面(5),平行於主延伸平面(1')且延伸過該渠溝構造(2)的載體基材(1)的一上緣(5'),其中:該渠溝構造(2)的至少一渠溝(10)用一種半導體材料(30)充填,其中該功能區域(5)沿一垂直於該主延伸平面(1')的方向係設在該載體基材(1)的上表面平面下方。此外還關於這種微機械構件的製造方法。

Abstract in simplified Chinese: 一种微机械构件,具有一功能区域(3)及一载体基材(1),其中该载体基材(1)有一渠沟构造(2),平行于该载体基材(1)的主延伸平面(1'),其中该渠沟构造(2)的表面被一第一绝缘层(20)盖住,且其中该渠沟构造(2)有一上表面平面(5),平行于主延伸平面(1')且延伸过该渠沟构造(2)的载体基材(1)的一上缘(5'),其中:该渠沟构造(2)的至少一渠沟(10)用一种半导体材料(30)充填,其中该功能区域(5)沿一垂直于该主延伸平面(1')的方向系设在该载体基材(1)的上表面平面下方。此外还关于这种微机械构件的制造方法。