公开(公告)号：CN102206470A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110083930.4

申请日：2011-03-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 林直人 ,  生岛伸祐 ,  大山高辉 ,  林圭治 ,  内田翔 ,  武田公平 ,  泽﨑良平

IPC: C09J7/02 ,  C09J11/08

CPC classification number: B32B7/12 ,  B32B25/08 ,  B32B25/16 ,  B32B27/08 ,  B32B27/28 ,  B32B27/302 ,  B32B27/304 ,  B32B27/306 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/40 ,  B32B2274/00 ,  B32B2307/538 ,  B32B2307/712 ,  B32B2307/732 ,  B32B2405/00 ,  C09J7/381 ,  C09J2201/36 ,  C09J2453/00 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明提供了下面的新型压敏胶粘带，该压敏胶粘带表现出对被粘物的足够强的粘附性。该新型压敏胶粘带的粘附性在其制备过程中被控制为适度的弱。因而，充分地抑制了剥离失败和发生褶皱状况发生，并且因此进行稳定的产品供给。本发明的压敏胶粘带包括至少三层，所述三层包括下列顺序的：基材层(A)；第一压敏胶粘层(B1)；和第二压敏胶粘层(B2)，其中：所述基材层(A)含有热塑性树脂；所述第一压敏胶粘层(B1)和所述第二压敏胶粘层(B2)的每一个均含有增粘剂；所述第一压敏胶粘层(B1)中增粘剂的含量(R1)与所述第二压敏胶粘层(B2)中增粘剂的含量(R2)的比R1/R2为0.90-1.10；并且所述第二压敏胶粘层(B2)中增粘剂的含量为5wt％或更多。

公开(公告)号：CN102169849A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010623081.2

申请日：2010-12-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 村田修平 ,  松村健 ,  水野浩二 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/68 ,  C09J7/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67132 ,  B32B7/12 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24777 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及芯片保持用胶带、芯片状工件的保持方法、使用芯片保持用胶带的半导体装置制造方法及芯片保持用胶带的制造方法。本发明提供容易进行芯片状工件的粘贴剥离的芯片保持用胶带。一种芯片保持用胶带，具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述粘合剂层具有用于粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域和用于粘贴安装框架的框架粘贴区域，所述芯片保持用胶带通过将安装框架粘贴到所述框架粘贴区域上来使用，其中，所述粘合剂层中，在测定温度23±3℃、牵引速度300mm/分钟的条件下，所述框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力为所述芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力的5倍以上。

公开(公告)号：CN101515564B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200910006428.6

申请日：2009-02-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 村田修平 ,  松村健 ,  神谷克彦

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L24/29 ,  C09J7/20 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2201/61 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01049

Abstract: 本发明提供一种具备切割膜和芯片焊接膜的膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割膜和设置于该粘合剂层上的芯片焊接膜，且即使在室温下产品的保存稳定性也优异。本发明的具备切割膜和芯片焊接膜的膜具备：在基材上具有放射线固化型粘合剂层的切割膜、和设置于该粘合剂层上的芯片焊接膜，其特征在于，所述粘合剂层中的粘合剂含有丙烯酸类聚合物而构成，所述丙烯酸类聚合物的酸值为0.01～1，碘值在5～10的范围内。

公开(公告)号：CN1930262B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200580007827.4

申请日：2005-02-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 有满幸生 ,  下川大辅

IPC: C09J7/02 ,  C09J5/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/78 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  C09J5/08 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H05K3/0058 ,  Y10T428/249984 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2813 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明提供一种加热剥离型粘合片，其能够防止由加压引起的粘合层的变形、能够提高磨削或切断工序的低碎片性，此外还能够在加工后容易地剥离工件，而且能够在常温下容易地将粘合带粘贴到粘附体上。一种加热剥离型粘合片，其特征在于，是在基材的至少一个面上形成有含有发泡剂且在未发泡状态的剪切弹性模量(23℃)为7×106Pa以上的热膨胀性粘合层而成的加热剥离型粘合片，在上述热膨胀性粘合层上形成有剪切弹性模量(23℃)小于7×106Pa的粘合层。形成在热膨胀性粘合层上的粘合层的厚度为0.01～10μm。

公开(公告)号：CN101946371A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980105149.3

申请日：2009-11-18

Applicant: 索尼化学&信息部件株式会社

Inventor： 阿久津恭志 ,  石松朋之 ,  宫内幸一

IPC: H01R11/01 ,  C09J7/00 ,  H01B5/16 ,  H01R43/00

CPC classification number: C09J7/00 ,  C08K3/017 ,  C08K3/08 ,  C08K9/02 ,  C09J7/10 ,  C09J2201/134 ,  C09J2201/36 ,  C09J2205/102 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01R4/04 ,  H05K1/0346 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1189 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在导电性粒子的补充效率及导通可靠性两方面均优异的连接膜，以及接合体及其制造方法。所述连接膜是将第1电路元件和第2电路元件以电形式连接在一起的连接膜，所述第2电路元件在面向第1电路元件的一面形成含有氮原子的膜；所述连接膜具备位于所述第1电路元件一侧的第1层和位于第2电路元件一侧的第2层，所述第1层含有阳离子系固化剂及环氧树脂；所述第2层含有自由基系固化剂、丙烯酸树脂及环氧化合物；所述第1和第2层中的任意一层为含有导电性粒子的含导电性粒子有机树脂层，所述第1和第2层中的另一层为没有导电性的绝缘性有机树脂层；所述含有导电性粒子有机树脂层的最低熔融粘度是所述绝缘性有机树脂层的最低熔融粘度的10倍以上。

公开(公告)号：CN101385135B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200780005822.7

申请日：2007-02-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三隅贞二 ,  松村健 ,  高本尚英 ,  三木翼

IPC: H01L21/52 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L24/29 ,  C09J7/28 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/128 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造方法，在进行介有衬垫的三维安装时，不需要用于将衬垫固定在被粘体上的新的装置，成品率高，以低成本就可以制造。具体地说，本发明涉及使用衬垫用胶粘片的半导体装置制造方法，其特征在于，具有：准备至少在一面上具有包含胶粘剂层的衬垫层的胶粘片作为衬垫用胶粘片，对所述衬垫用胶粘片进行切割，形成具备胶粘剂层的小片状衬垫的工序；通过所述胶粘剂层将所述衬垫固定在被粘体上的工序。

公开(公告)号：CN101755022A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880021279.4

申请日：2008-06-20

Applicant: 索尼化学&信息部件株式会社

Inventor： 石松朋之 ,  大关裕树

IPC: C09J7/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/00 ,  C09J201/00 ,  H01B5/16 ,  H01R11/01

CPC classification number: H01R4/04 ,  C09J7/10 ,  C09J9/02 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L24/29 ,  H01L24/31 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1189 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的为提供一种能够不引起短路(Short)地将电子部件连接到基板上的粘合薄膜、连接方法及接合体。粘合薄膜，包括：第一粘合剂层和粘附于上述第一粘合剂层的第二粘合剂层，并且，所述第一粘合剂层在开始固化的固化开始温度以下温度的最低粘度，高于所述第二粘合剂层在开始固化的固化开始温度以下温度的最低粘度，将上述第一粘合剂层和上述第二粘合剂层分别朝向基板和电子部件一侧，热挤压上述基板和上述电子部件，对上述电子部件和上述基板进行连接，其特征在于，上述第一粘合剂层中分散有导电性粒子，上述第一粘合剂层的膜厚度小于上述导电性粒子平均粒径的2倍。

公开(公告)号：CN1993809B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580026540.6

申请日：2005-08-02

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 盛岛泰正 ,  喜多贤二 ,  石渡伸一 ,  山川贵纪

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  C09J2479/08 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/90 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/1062 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/2852 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665

Abstract: 一种晶片加工带，包括形成于基底膜(1)上的可移除的粘合剂层(2)与粘接剂层(3)。在抛光工艺中，在所述带粘合到具有突起金属电极(4)的晶片电路基板的状态下，研磨晶片电路基板(5)的背面。在划片工艺中，将该晶片电路基板分为芯片。在拾取该分开的芯片中，其中在该粘接剂层(3)从基底膜(1)剥离而接合到芯片的状态下拾取所述芯片。

公开(公告)号：CN101523561A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037298.1

申请日：2007-10-04

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 平野孝 ,  佐佐木晓嗣 ,  织田直哉

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J9/02 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/24942 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的半导体用膜，按照粘合层、第一粘结层、第二粘结层的顺序进行贴合而成，上述第二粘结层的外周部超过上述第一粘结层的外周边缘，该半导体用膜是用于在上述粘合层的与第一粘结层相反侧的表面上层叠半导体晶片并且在上述第二粘结层的上述外周部上贴合晶片环切断该半导体用晶片时的半导体用膜，其特征在于，上述第一粘结层相对于上述粘合层的粘合力A1(cN/25mm)比上述第二粘结层相对于上述晶片环的粘合力A2(cN/25mm)低。本发明的半导体装置，其特征在于，是使用上述记载的半导体用膜制造而成。

公开(公告)号：CN101432378A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015535.4

申请日：2007-05-04

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： A·布格哈特 ,  O·哈尔茨 ,  K-H·舒马赫

IPC: C09J7/00 ,  C09J7/02

CPC classification number: C09J175/06 ,  C08G18/6212 ,  C08G18/797 ,  C09J7/10 ,  C09J7/35 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/134 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/61 ,  C09J2475/00 ,  Y10T428/31554

Abstract: 本发明涉及一种膜在粘结两种基质中的用途，其中膜包含含有大于30重量％可热活化聚氨酯的层(简称PU层)。