도함수 스펙트럼 분석을 위한 적어도 하나의 광원의 파장 변이를 위한 장치 및 방법
    142.
    发明公开
    도함수 스펙트럼 분석을 위한 적어도 하나의 광원의 파장 변이를 위한 장치 및 방법 审中-实审
    用于衍生光谱分析的至少一个光源的波长变化的设备和方法

    公开(公告)号:KR1020170042304A

    公开(公告)日:2017-04-18

    申请号:KR1020177005716

    申请日:2015-07-13

    CPC classification number: G01J3/447 G01J3/10 G01J3/4338 G01J2003/102

    Abstract: 본발명은샘플을수신하기위한분석존(2); 상기분석존(2)을향해작업파장범위에서광 세기의스펙트럼프로파일을가지는광 빔(4)을방출하기위해배치되는, 적어도하나의발광다이오드(3); 상기다이오드의작업파장범위내에서상기다이오드(3)에의해방출되는광 세기의스펙트럼프로파일을시간에따라변이시키기위한수단(5); 상기다이오드(3)에의해방출되는광 세기의스펙트럼프로파일의시간에대한변이동안, 상기다이오드(3)에의해방출되고상기분석존(2)을통과한상기광 빔(4)을수신하고, 상기다이오드(3)에의해방출되고상기검출기에의해수신되는광 빔의검출신호(A')를, 상기발광다이오드의광 세기의스펙트럼프로파일을대표하는적어도하나의특성에의존하는신호의형태로공급하기위한, 검출기(6, 8, 9)를포함하는, 스펙트럼분석장치에관한것이다. 도함수스펙트럼분석에적용된다.

    Abstract translation: 本发明包括用于接收样本的分析区域(2) 至少一个发光二极管(3),所述发光二极管(3)被布置成朝向所述分析区域(2)发射具有在所述工作波长范围内的所述光强度的光谱分布的光束(4); 用于在二极管的工作波长范围内时间变化由二极管(3)发射的光强度的光谱分布的装置(5); 期间在由二极管3发射的光强度的光谱分布随时间的变化,它是由所述二极管(3),以接收一个通道hansanggi光束4到分析区(2),二极管发射的 (3)由一个发射并且由检测器接收到的,对于其中取决于所述至少一个特性表示所述LED的光强度的光谱分布的信号的形式提供的光束的检测信号(A“) ,和一个探测器(6,8,9)。 它适用于微分谱分析。

    동적 객체로부터의 스펙트럼 정보의 획득
    143.
    发明公开
    동적 객체로부터의 스펙트럼 정보의 획득 审中-实审
    从移动对象获取光谱信息

    公开(公告)号:KR1020160074412A

    公开(公告)日:2016-06-28

    申请号:KR1020150179013

    申请日:2015-12-15

    Abstract: 본광학장치는제1 및제2 편광자들간에개재되는파장판을포함하며또한광학장치에상대하여이동중인물체또는물체이미지로부터방사하는광을수용하도록배치된다. 검출기어레이는하나이상의검출기요소들을포함하며또한제2 편광자로부터광을수용하도록광학적으로결합된다. 검출기어레이의검출기요소각각은제2 편광자로부터수용되는광의강도에따라변화하는전기출력신호를제공한다. 광의강도는물체또는물체이미지와광학장치의상대이동의함수이며또한물체의물체지점에관한스펙트럼정보를포함한다.

    Abstract translation: 光学装置包括插入在第一和第二偏振器之间的波长板,并且被布置成接收由相对于光学装置移动的物体发射的光或物体的图像。 检测器阵列包括一个或多个检测器元件,并被光耦合以接收来自第二偏振器的光。 检测器阵列的每个检测器元件提供由第二偏振器接收的光的强度变化的电输出信号。 光的强度是物体或物体的图像的相对运动的函数,并且还包括关于物体的位置的光谱信息。

    막질 디멘젼 분석에서의 반도체 제조설비 및 그의 제조방법
    145.
    发明授权
    막질 디멘젼 분석에서의 반도체 제조설비 및 그의 제조방법 有权
    用于制造半导体器件的设备分析了分层介质尺寸并使用相同的

    公开(公告)号:KR101443058B1

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:KR1020080059983

    申请日:2008-06-25

    CPC classification number: G01N21/3563 G01J3/447 G01J4/00 G01N21/9501 H01L22/12

    Abstract: 본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 막질 디멘젼 분석에서의 반도체 제조설비 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은 먼저, 선행되는 반도체 제조공정이 완료된 레퍼런스 기판에서 레퍼런스 스펙트럼 및 레퍼런스 프로파일을 획득하고, 상기 레퍼런스 스펙트럼과 레퍼런스 프로파일간의 관계를 이용하여 소정의 함수를 산출해 낸다. 후속에서 상기 레퍼런스 기판과 동일 또는 유사한 반도체 제조공정이 완료된 실제 계측대상인 실측 기판의 표면에서 실시간으로 검출되는 스펙트럼을 변수로 하여 상기 함수의 해를 구함으로서 실시간으로 프로파일을 획득하기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
    스펙트럼(spectrum), 프로파일(profile), 레퍼런스(reference), 실시간, 함수(function)

    막질 디멘젼 분석에서의 반도체 제조설비 및 그의 제조방법
    146.
    发明公开
    막질 디멘젼 분석에서의 반도체 제조설비 및 그의 제조방법 有权
    用于制造半导体器件的设备分析的层状介质尺寸并使用它们

    公开(公告)号:KR1020100000468A

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:KR1020080059983

    申请日:2008-06-25

    CPC classification number: G01N21/3563 G01J3/447 G01J4/00 G01N21/9501 H01L22/12

    Abstract: PURPOSE: An equipment for manufacturing a semiconductor device analyzed layered media dimension and used the same are provided to calculate a complex three-dimensional pattern by obtaining a profile corresponding to a solution of a function. CONSTITUTION: A semiconductor substrate to be processed through a semiconductor manufacturing process(S10). A reference spectrum and reference profile from a substrate which is determined as a reference substrate is detected(S20). A function related to the function of the reference spectrum and reference profile is extracted(S30). A real-time spectrum of the fixed substrate is detected from the substrates. The profile of the substrate to be processed in a semiconductor manufacturing process is detected in real time by applying a real-time spectrum valuable to the function(S40).

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造分析分层介质尺寸并使用它的半导体器件的设备,以通过获得与功能的解决方案相对应的轮廓来计算复杂的三维图案。 构成:通过半导体制造工艺处理的半导体衬底(S10)。 检测来自确定为参考基板的基板的参考光谱和参考分布(S20)。 提取与参考频谱和参考曲线的功能相关的功能(S30)。 从基板检测固定基板的实时光谱。 通过应用对功能有价值的实时光谱,实时地检测半导体制造工艺中待处理衬底的轮廓(S40)。

    분광결상을 이용한 타원계측 장치 및 타원계측 방법
    147.
    发明授权
    분광결상을 이용한 타원계측 장치 및 타원계측 방법 有权
    使用光谱成像和椭圆偏光法的椭圆偏光装置

    公开(公告)号:KR100574776B1

    公开(公告)日:2006-04-28

    申请号:KR1020040002880

    申请日:2004-01-15

    CPC classification number: G01J3/447 G01J4/04 G01N21/211

    Abstract: 본 발명은 분광결상을 이용하는 타원계측장치 및 타원계측방법에 관한 것으로, 시료의 표면에 지정/구획된 다점영역으로 해당 다점영역에 맞게 시준하고 편광시킨 백색광을 입사시키기 위한 광원 그룹과, 반사되는 백색광을 광분석을 위해 편광시키는 광분석 그룹과, 편광된 백색광을 분광/결상시키기 위한 분광결상 그룹을 포함하여 구성됨이 특징이 있다. 특히 분광결상 그룹에는 다점영역에 맞게 시준된 백색광이 입사되고, 분광소자에 의해 파장별로 분광되므로, 결상면의 한축에는 다점영역을 이루는 각 지점의 위치별로 결상되고, 다른 한축에는 파장별로 결상되어 위치별/파장별 물성정보를 갖는 광학 데이터의 수득이 가능하다. 따라서 다점영역의 물성 정보를 동시에 획득하고, 또한 파장별로 분광하여 획득하는 등의 풍부한 데이터의 획득이 가능하여 측정의 신속성과 신뢰성 제고의 효과가 있다.
    분광, 결상, 타원계측, 다점영역, 파장

    全反射分光計測装置及び全反射分光計測方法

    公开(公告)号:JP2017207446A

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:JP2016101709

    申请日:2016-05-20

    Inventor: 河田 陽一

    Abstract: 【課題】被測定物がない状態での計測と、被測定物がある状態での計測とで時間間隔が空いた場合であっても、光源のパワーの変動の影響を受けずに光学定数を導出することができる全反射分光計測装置を提供する。 【解決手段】全反射分光計測装置は、テラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生部と、全反射面に被測定物が配置される内部全反射プリズムと、テラヘルツ波を検出する検出部と、テラへルツ波の電場ベクトルを計測する電場ベクトル計測部と、電場ベクトルに基づいて被測定物の光学定数に関する情報を取得する解析部と、を備え、テラヘルツ波のS偏光成分及びP偏光成分の互いの比率は一定であり、解析部は、全反射面に被測定物が配置されていないときに計測された電場ベクトルのS偏光成分とP偏光成分との比と、被測定物が配置されているときに計測された電場ベクトルのP偏光成分とS偏光成分との比とに基づいて光学定数に関する情報を取得する。 【選択図】図3

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