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公开(公告)号：KR1020060014214A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：KR1020040062816
申请日：2004-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0666
Abstract: 금속막의 두께를 측정하기 위한 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 있어서, 금속막의 표면에 소정의 시간차를 두고 제1 광과 제2 광을 조사한 다음, 제2 광에 연이어 제3 광을 조사한다. 금속막의 표면으로부터 반사된 제3 광의 반사도를 측정하여 금속막의 표면에서 제2 광에 의하여 생성된 제2 음파가 제1 광에 의하여 생성된 제1 음파를 간섭하는 시점을 검출하고, 검출된 시점에 대응하는 제1 광과 제2 광의 시간차로부터 금속막의 두께를 산출한다. 상기 검출된 시점에서 제2 음파는 제1 음파를 상쇄시키거나 보강한다. 제3 광의 반사도로부터 제1 음파가 금속막의 내부를 순환하는데 소요된 시간을 검출함으로써, 미세한 금속막의 두께를 정확하게 산출할 수 있을 뿐만 아니라, 나아가 반도체 생산 공정의 효율을 극대화시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160027851A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140116479
申请日：2014-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01B11/065 , G01B2210/56 , G01N21/211 , G01N2021/213
Abstract: 광학측정방법에있어서, 타원분광기를통해패턴상에박막을형성하기위한증착공정을수행하기전과후의상기패턴으로부터반사된광을검출하여제1 스펙트럼및 제2 스펙트럼을각각획득한다. 상기제1 스펙트럼및 상기제2 스펙트럼사이의스큐(skew) 스펙트럼을획득한다. 상기스큐스펙트럼을푸리에변환하여상기패턴상에형성된박막의두께를산출한다.
Abstract translation: 在光学测量方法中，通过在椭圆偏振仪上通过检测在图案上形成薄膜的沉积工艺之前和之后的图案反射的光分别获得第一光谱和第二光谱。 在第一光谱和第二光谱之间获得偏斜光谱。 对偏斜光谱执行傅里叶变换操作，以计算图案上的薄膜的厚度。
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公开(公告)号：KR1020150143162A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140072337
申请日：2014-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/211 , G01N2021/213
Abstract: 광학측정방법에있어서, 계측설비를통해기판상의구조물로부터반사된광을검출하여원시스펙트럼을획득한다. 공정변화에민감한파장대역에서의상기원시스펙트럼을분석하여상기기판에수행된실제공정의공정변화를결정한다. 상기공정변화에기초하여결정된상기계측설비의스펙트럼오프셋에따라상기원시스펙트럼을교정한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光学测量方法。 该方法包括：通过测量装置检测从衬底上的结构反射的光来获得原始光谱; 通过分析对过程变化敏感的波长带中的原始谱来确定在衬底上执行的实际过程的过程变化; 并且根据基于过程变化确定的测量装置的频谱偏移校正原始频谱。
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公开(公告)号：KR100706811B1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：KR1020060012182
申请日：2006-02-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 여기에 개시된 테스트 패턴 및 이를 이용한 실리콘 식각량 측정 방법은, 콘택 형성 공정이 수행된 이후에 웨이퍼를 구성하는 각각의 반도체 칩에 구성되어 있는 테스트 패턴을 대상으로 광학적 임계치수(Optical Critical Dimension, OCD)를 측정함으로써, 실리콘 식각량을 실시간으로 분석한다. 그 결과, 콘택홀을 형성하는데 필요한 식각 조건이 실시간으로 조절되어, 반도체 수율이 효과적으로 향상될 수 있게 된다.
Abstract translation: 该测试图案和使用本文公开的相同的硅蚀刻量测量的方法，所述光学临界尺寸的目标，其上的每个构成晶片的半导体芯片的构造进行接触形成步骤之后（光学临界尺寸，OCD）的测试图案 实时分析硅蚀刻量。 结果，实时调节形成接触孔所需的蚀刻条件，从而可以有效地提高半导体产量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100568703B1
公开(公告)日：2006-04-07
申请号：KR1020040062816
申请日：2004-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0666
Abstract: 금속막의 두께를 측정하기 위한 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 있어서, 금속막의 표면에 소정의 시간차를 두고 제1 광과 제2 광을 조사한 다음, 제2 광에 연이어 제3 광을 조사한다. 금속막의 표면으로부터 반사된 제3 광의 반사도를 측정하여 금속막의 표면에서 제2 광에 의하여 생성된 제2 음파가 제1 광에 의하여 생성된 제1 음파를 간섭하는 시점을 검출하고, 검출된 시점에 대응하는 제1 광과 제2 광의 시간차로부터 금속막의 두께를 산출한다. 상기 검출된 시점에서 제2 음파는 제1 음파를 상쇄시키거나 보강한다. 제3 광의 반사도로부터 제1 음파가 금속막의 내부를 순환하는데 소요된 시간을 검출함으로써, 미세한 금속막의 두께를 정확하게 산출할 수 있을 뿐만 아니라, 나아가 반도체 생산 공정의 효율을 극대화시킬 수 있다.
Abstract translation: 一种用于测量金属膜的厚度的方法和用于执行该方法的设备，该方法包括：在金属膜的表面上以预定时间差照射第一光和第二光; 测量从金属膜表面反射的第三光的反射率，以检测由金属膜表面上的第二光产生的第二声波干扰由第一光产生的第一声波的时间， 根据相应的第一光线和第二光线之间的时间差来计算金属膜的厚度。 并且在检测到的时间点处的第二声波消除或加强第一声波。 通过检测第一声波在第三光的反射率下在金属膜中循环所花费的时间，可以准确地计算金属薄膜的厚度并进一步最大化半导体生产工艺的效率。
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公开(公告)号：KR1020150012509A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020130088094
申请日：2013-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01B11/0633
Abstract: 두께 측정 방법 및 두께 측정 장치가 제공된다. 두께 측정 방법은, 막질에 대해 입사광을 조사하여, 막질에서 반사된 반사광의 진폭 비(Ψ) 또는 위상 차(Δ)에 대한 파장 도메인 스펙트럼을 획득하고, 파장 도메인 스펙트럼을 1/파장 도메인 스펙트럼으로 변환하고, 1/파장 도메인 스펙트럼에 대해 고속 푸리에 변환(Fast Fourier Transform, FFT)을 수행하여 결과 스펙트럼을 획득하고, 결과 스펙트럼으로부터 막질의 두께를 측정하는 것을 포함한다.
Abstract translation: 在本发明中提供了一种通过使用表示反射光的光学特性的光谱来测量待测物体的厚度的方法，该方法可以测量膜的厚度及其装置。 厚度测量方法包括以下步骤：通过将入射光照射到膜上，获得关于从膜反射的反射光的振幅比（Ψ）或相位差（Δ）的波长域光谱; 将波长域光谱转换成1 /波长域光谱; 通过在1 /波长域光谱上执行快速傅里叶变换（FFT）来获得结果谱; 并根据结果光谱测量膜的厚度。
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公开(公告)号：KR101443058B1
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020080059983
申请日：2008-06-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/3563 , G01J3/447 , G01J4/00 , G01N21/9501 , H01L22/12
Abstract: 본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 막질 디멘젼 분석에서의 반도체 제조설비 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은 먼저, 선행되는 반도체 제조공정이 완료된 레퍼런스 기판에서 레퍼런스 스펙트럼 및 레퍼런스 프로파일을 획득하고, 상기 레퍼런스 스펙트럼과 레퍼런스 프로파일간의 관계를 이용하여 소정의 함수를 산출해 낸다. 후속에서 상기 레퍼런스 기판과 동일 또는 유사한 반도체 제조공정이 완료된 실제 계측대상인 실측 기판의 표면에서 실시간으로 검출되는 스펙트럼을 변수로 하여 상기 함수의 해를 구함으로서 실시간으로 프로파일을 획득하기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
스펙트럼(spectrum), 프로파일(profile), 레퍼런스(reference), 실시간, 함수(function)-
公开(公告)号：KR1020100000468A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080059983
申请日：2008-06-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/3563 , G01J3/447 , G01J4/00 , G01N21/9501 , H01L22/12
Abstract: PURPOSE: An equipment for manufacturing a semiconductor device analyzed layered media dimension and used the same are provided to calculate a complex three-dimensional pattern by obtaining a profile corresponding to a solution of a function. CONSTITUTION: A semiconductor substrate to be processed through a semiconductor manufacturing process(S10). A reference spectrum and reference profile from a substrate which is determined as a reference substrate is detected(S20). A function related to the function of the reference spectrum and reference profile is extracted(S30). A real-time spectrum of the fixed substrate is detected from the substrates. The profile of the substrate to be processed in a semiconductor manufacturing process is detected in real time by applying a real-time spectrum valuable to the function(S40).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造分析分层介质尺寸并使用它的半导体器件的设备，以通过获得与功能的解决方案相对应的轮廓来计算复杂的三维图案。 构成：通过半导体制造工艺处理的半导体衬底（S10）。 检测来自确定为参考基板的基板的参考光谱和参考分布（S20）。 提取与参考频谱和参考曲线的功能相关的功能（S30）。 从基板检测固定基板的实时光谱。 通过应用对功能有价值的实时光谱，实时地检测半导体制造工艺中待处理衬底的轮廓（S40）。
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公开(公告)号：KR1020080076178A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：KR1020070015769
申请日：2007-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: A method for measuring a pattern of a substrate is provided to obtain a two-dimensional image by using an array sensor for receiving slit beams according to a reflective angle equivalent to an incident angle in each of reflected slit beams. A multi-slit beam penetrate a lens(S110). The multiple slit beam is irradiated onto a surface of an inspection region according to the predetermined incident angle(S120). The reflected multi-slit beam penetrates the lens according to a reflective angle equivalent to the incident angle(S130). An array sensor receives the reflected multi-slit beam(S140). The amount of the received multi-slit beam in each of pixels is measured(S150). A two-dimensional image data is obtained in the inspection region by using the amount of the received multi-slit beam(S160). A pattern structure of the inspection region is measured by using the two-dimensional image data(S170).
Abstract translation: 提供了一种用于测量基板图案的方法，以通过使用阵列传感器来获得二维图像，该阵列传感器根据与每个反射狭缝光束中的入射角度相等的反射角来接收狭缝光束。 多狭缝光束穿透透镜（S110）。 根据预定的入射角将多个狭缝光束照射在检查区域的表面上（S120）。 反射的多狭缝光束根据与入射角度相等的反射角度穿透透镜（S130）。 阵列传感器接收反射的多狭缝光束（S140）。 测量每个像素中接收的多缝光束的量（S150）。 通过使用接收的多缝光束的量，在检查区域中获得二维图像数据（S160）。 通过使用二维图像数据来测量检查区域的图案结构（S170）。
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