公开(公告)号：KR101443058B1

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020080059983

申请日：2008-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박장익 ,  전충삼 ,  박환식 ,  김지혜 ,  류관우 ,  사공정 ,  윤소연

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/3563 ,  G01J3/447 ,  G01J4/00 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12

Abstract: 본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 막질 디멘젼 분석에서의 반도체 제조설비 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은 먼저, 선행되는 반도체 제조공정이 완료된 레퍼런스 기판에서 레퍼런스 스펙트럼 및 레퍼런스 프로파일을 획득하고, 상기 레퍼런스 스펙트럼과 레퍼런스 프로파일간의 관계를 이용하여 소정의 함수를 산출해 낸다. 후속에서 상기 레퍼런스 기판과 동일 또는 유사한 반도체 제조공정이 완료된 실제 계측대상인 실측 기판의 표면에서 실시간으로 검출되는 스펙트럼을 변수로 하여 상기 함수의 해를 구함으로서 실시간으로 프로파일을 획득하기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
스펙트럼(spectrum), 프로파일(profile), 레퍼런스(reference), 실시간, 함수(function)

公开(公告)号：KR1020100000468A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020080059983

申请日：2008-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박장익 ,  전충삼 ,  박환식 ,  김지혜 ,  류관우 ,  사공정 ,  윤소연

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/3563 ,  G01J3/447 ,  G01J4/00 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12

Abstract: PURPOSE: An equipment for manufacturing a semiconductor device analyzed layered media dimension and used the same are provided to calculate a complex three-dimensional pattern by obtaining a profile corresponding to a solution of a function. CONSTITUTION: A semiconductor substrate to be processed through a semiconductor manufacturing process(S10). A reference spectrum and reference profile from a substrate which is determined as a reference substrate is detected(S20). A function related to the function of the reference spectrum and reference profile is extracted(S30). A real-time spectrum of the fixed substrate is detected from the substrates. The profile of the substrate to be processed in a semiconductor manufacturing process is detected in real time by applying a real-time spectrum valuable to the function(S40).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造分析分层介质尺寸并使用它的半导体器件的设备，以通过获得与功能的解决方案相对应的轮廓来计算复杂的三维图案。 构成：通过半导体制造工艺处理的半导体衬底（S10）。 检测来自确定为参考基板的基板的参考光谱和参考分布（S20）。 提取与参考频谱和参考曲线的功能相关的功能（S30）。 从基板检测固定基板的实时光谱。 通过应用对功能有价值的实时光谱，实时地检测半导体制造工艺中待处理衬底的轮廓（S40）。

公开(公告)号：KR1020060123968A

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：KR1020050045643

申请日：2005-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기범 ,  지윤정 ,  윤소연

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66

Abstract: An apparatus for cushioning an impact of exhaust pressure and an apparatus for analyzing a sample having the same are provided to prevent a change of flow rate of X-ray detection gas by buffering a floating state of exhaust pressure. A buffer chamber(202) is installed between a first exhaust tube(312) for exhausting residual gas from a process chamber(310) and a second exhaust tube(314) connected with an exhaust pump(350) disposed outside a process chamber. The buffer chamber includes a first region for storing the gas and a second region for storing a predetermined liquid. An auxiliary tube(210) is connected with the first exhaust tube and is extended from the first exhaust tube to the inside of the predetermined liquid in order to bubble the gas within the predetermined liquid.

Abstract translation: 提供一种用于缓冲排气压力的冲击的装置和用于分析其的试样的装置，以通过缓冲排气压力的浮动状态来防止X射线检测气体的流量的变化。 缓冲室（202）安装在用于排出来自处理室（310）的残余气体的第一排气管（312）和与设置在处理室外部的排气泵（350）连接的第二排气管（314）之间。 缓冲室包括用于储存气体的第一区域和用于储存预定液体的第二区域。 辅助管（210）与第一排气管连接并从第一排气管延伸到预定液体的内部，以便使预定液体内的气体气泡。

公开(公告)号：KR100659158B1

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：KR1020050045643

申请日：2005-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기범 ,  지윤정 ,  윤소연

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66

Abstract: 공정 챔버의 배기 압력을 완충시킬 수 있는 배기압 완충 장치에 있어서, 버퍼 챔버는 공정 챔버로부터 잔류 가스를 배기시키기 위한 제1배기 배관 및 공정 챔버 외부에 배치된 배기 펌프와 연결되는 제2배기 배관 사이에 구비되고, 소정의 액체를 수용함으로써 잔류 가스가 수용되는 제1영역 및 액체가 수용되는 제2영역으로 분리된다. 버퍼 챔버 내부에 배치되는 보조 배관은 제1배기 배관과 연결되고, 제1배기 배관으로부터 액체 내부로 연장되며, 상기 가스를 상기 액체 내에서 버블링시킨다. 상기와 같은 구성을 갖는 배기압 완충 장치는 배기 펌프의 배기 압력이 변동하더라도 공정 챔버 내의 잔류 가스를 일정한 압력으로 배기시킬 수 있다.