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公开(公告)号：KR101069582B1
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：KR1020090132252
申请日：2009-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본발명의전계방출장치에서탄소나노튜브(CNT, Carbon nanotube)를가지는캐소드전극및 이의제조방법에관한것으로, 이러한본 발명은기판; 및상기기판상에형성되며상면에탄소나노튜브잉크가도포된탄소나노튜브잉크층을가지는금속접착층;을포함하며, 상기기판및 상기금속접착층은레이저에의해함께패터닝되는것을특징으로하는전계방출장치에서탄소나노튜브를가지는캐소드전극과이의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101015150B1
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：KR1020080134722
申请日：2008-12-26
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 FED 소자의 전계 방출용 탄소나노튜브 제조를 위해 금속 나노 입자를 기판 상에 적층한 후 열처리하여 나노입자 사이에 공극을 형성한 후 그 상부에 탄소나노튜브 잉크젯팅을 하여 탄소나노튜브의 일단이 공극사이에 물리적으로 끼게(anchoring)한 후 후열처리하여 금속나노입자들이 서로 연결되면서 탄소나노튜브들의 일단을 잡아주어 탄소나노튜브의 접착력을 향상시키고, 전계 방출 능력이 개선된 구조를 얻을 수 있도록 하는 금속 나노 입자를 이용한 전계 방출 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르는 금속 나노 입자를 이용한 전계 방출 소자는, 수계 잉크를 제공하는 단계; 기판상에 상기 수계 잉크로 패턴을 인쇄하는 단계; 인쇄된 상기 패턴을 열처리 및 경화하여 공극을 형성시키는 단계; 공극이 형성된 상기 패턴 상에 탄소나노튜브 조성물을 인쇄하는 단계; 탄소나노튜브 조성물이 인쇄된 상기 기판을 후열처리하는 단계; 후열처리된 상기 기판을 활성화하는 단계에 의해 구성되는 것을 특징으로 한다.
수계 잉크, 탄소 나노 튜브, 전계 방출 소자, 금속 나노 입자-
公开(公告)号：KR1020090071147A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070139362
申请日：2007-12-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A method of manufacturing cold cathode using the jet printing method is provided to strongly adhere the carbon nanotube to a substrate by the thermal budget by using a bonding layer. The carbon nanotube solution is prepared. The carbon nanotube solution is jet-printed on the substrate. In a stand-by process, surfactant and carbon nanotube are mixed with water. The carbon nanotube is dispersed by ultrasonic wave. The organic solvent is the mixture of the isopropanol and water. And the water is a rate of 10~90 wt.%. After the dispersion step, the biocide and the additive including moisturizing agent are added in the mixture.
Abstract translation: 提供使用喷墨打印方法制造冷阴极的方法，通过使用结合层通过热预算将碳纳米管强力地附着到基底上。 制备碳纳米管溶液。 将碳纳米管溶液喷射印刷在基板上。 在待机过程中，将表面活性剂和碳纳米管与水混合。 碳纳米管通过超声波分散。 有机溶剂是异丙醇和水的混合物。 水的比例为10〜90重量％。 在分散步骤之后，在混合物中加入杀生物剂和包含保湿剂的添加剂。
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公开(公告)号：KR100855602B1
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：KR1020070054677
申请日：2007-06-04
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1309 , B41J2/14 , B41J2/1642 , G02F1/1303 , G03F7/0002 , H04N5/225
Abstract: A micro pattern transfer apparatus capable of varying a line width is provided to control a contact area between a substrate and a probe by using elasticity of a probe support unit and a connection unit of the probe, thereby forming a micro pattern on the substrate as controlling the line width. A first ink keeping unit(320) contains ink. A probe unit(310) includes a hole and a probe. The hole transfers ink, applied from the first ink keeping unit, onto a substrate(350). The probe is for opening/closing the hole. A probe support unit fixes the probe unit to a lower part of the first ink keeping unit. An optical unit(330) includes a CCD(Charge Coupled Device) camera for confirming a location and processing state of the probe unit.
Abstract translation: 提供能够改变线宽的微图形转印装置，通过使用探针支撑单元和探针的连接单元的弹性来控制基板和探针之间的接触面积，由此在基板上形成微图案作为控制 行宽。 第一墨水保持单元（320）包含墨水。 探针单元（310）包括孔和探针。 该孔将从第一墨水保持单元施加的墨水转印到基底（350）上。 探头用于打开/关闭孔。 探针支撑单元将探针单元固定到第一墨水保持单元的下部。 光学单元（330）包括用于确认探针单元的位置和处理状态的CCD（电荷耦合器件）照相机。
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公开(公告)号：KR100765149B1
公开(公告)日：2007-10-15
申请号：KR1020050093483
申请日：2005-10-05
CPC classification number: H04R19/016 , H04R19/005 , H04R31/003 , H04R2201/029 , H04R2499/11
Abstract: A micro acoustic sensing apparatus and a manufacturing method thereof are provided to reduce the size of a die even with an anisotropic wet-type etching process since the shape of a vibration plate does not depend on the etching shape of a silicon substrate. A micro acoustic sensing apparatus includes a substrate unit(500), a backplate unit(510), and a vibration plate unit(520). The substrate unit(500) has a hole at the center thereof. The backplate unit(510) is formed on the substrate unit(500), is composed of an insulation film and a first conductive thin film, and has a plurality of holes at a place corresponding to the center of the substrate unit(500). The circumferential part of the vibration plate unit(520) is contacted to the insulation film of the backplate unit(510), and the central part thereof is separated from the center of the backplate unit(510) by a predetermined distance. The vibration plate unit(520) is composed of a second conductive thin film.
Abstract translation: 提供了一种微声感测装置及其制造方法，即使采用各向异性湿式蚀刻工艺也能减小模具的尺寸，因为振动板的形状不依赖于硅衬底的蚀刻形状。 微声传感装置包括基板单元（500），背板单元（510）和振动板单元（520）。 基板单元（500）在其中心具有孔。 背板单元（510）形成在基板单元（500）上，由绝缘膜和第一导电薄膜构成，并且在与基板单元（500）的中心对应的位置具有多个孔。 振动板单元（520）的圆周部分与背板单元（510）的绝缘膜接触，其中心部分与背板单元（510）的中心分开预定距离。 振动板单元（520）由第二导电薄膜构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100695623B1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：KR1020040049780
申请日：2004-06-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 100㎚ 이하의 극소 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경용 캔틸레버를 구현할 수 있어, 바이오 분자를 분석할 수 있고, 극소 채널로 야기되는 쇼트 채널(Short channel) 효과의 발생을 방지할 수 있으며, 탐침의 종횡비를 크게 하여, 정보의 센싱도를 향상시키는 원자간력 현미경용 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 동일한 두께의 포지티브 포토레지스트를 도포하여 탐침의 첨두부만 보이도록 하거나 포지티브 포토레지스트를 두껍게 도포한 후에 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포지티브 포토레지스트 상부에 네거티브 포토레지스트를 도포한 후에 마스크를 패터닝하여 탐침의 첨두부의 상기 네거티브 포토레지스트를 제거하는 단계; (e) 상기 네거티브 포토레지스트가 제거된 탐침의 첨두부에만 금속점을 증착하는 단계; 및 (e) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 바이오 분자들 간의 상호작용에 따른 전기적 효과를 측정함으로써 단일 분자를 탐침에 부착하는 장점이 있고, 수신 감도가 증대되는 효과가 있다.
AFM, 캔틸레버, 전하량 측정, 종횡비, 현미경, 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020070009788A
公开(公告)日：2007-01-19
申请号：KR1020050063670
申请日：2005-07-14
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A read/write enabled atomic force microscopy cantilever is provided to improve the sensitivity by embedding a MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in the atomic force microscopy cantilever. An atomic force microscopy cantilever includes a cantilever support, a cantilever arm, a probe(150), a metal layer(160), a channel(170), a source(180), a drain(190), and a gate(200). A first silicon layer, an oxide layer, and a second silicon layer are sequentially stacked in the cantilever support. The cantilever arm is formed by extending the second silicon layer of the cantilever support. The probe is formed in the second silicon layer of the cantilever arm. The metal layer is formed in the cantilever support. The channel is formed at a lower portion of the probe. Impurities are doped in the source and the drain. The gate is formed between the source and the drain.
Abstract translation: 通过在原子力显微镜悬臂中嵌入一个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）来提供一个支持读/写的原子力显微镜悬臂，以提高灵敏度。 原子力显微镜悬臂包括悬臂支架，悬臂，探针（150），金属层（160），通道（170），源（180），排水口（190）和门 ）。 第一硅层，氧化物层和第二硅层顺序堆叠在悬臂支架中。 悬臂是通过延伸悬臂支撑件的第二硅层而形成的。 探针形成在悬臂的第二硅层中。 金属层形成在悬臂支撑件中。 通道形成在探针的下部。 杂质掺杂在源极和漏极中。 栅极形成在源极和漏极之间。
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公开(公告)号：KR100648041B1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020050063675
申请日：2005-07-14
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G11B9/14
Abstract: An information storage device is provided to achieve the storage of information in the tera-bit range by manufacturing media using a spin-coated polymer thin film, a phase transition layer, or a ferroelectric thin film. An information storage device is configured to read and write information using media(210) formed on a silicon substrate(220). The media are formed of a polymer thin film, a phase transition layer, a dielectric/ferroelectric thin film, or a conductive transition oxide thin film. The information storage device has an atomic microscopic cantilever including a cantilever support, a cantilever arm, a probe(150), a metal layer(160) formed on the cantilever support, a channel formed below the probe, a source(180), a drain(190), and a gate(200) formed between the source and drain.
Abstract translation: 提供信息存储装置以通过使用旋涂聚合物薄膜，相变层或铁电薄膜制造介质来实现在四比特范围内的信息存储。 信息存储装置被配置为使用形成在硅衬底（220）上的介质（210）读取和写入信息。 介质由聚合物薄膜，相变层，电介质/铁电薄膜或导电过渡氧化物薄膜形成。 该信息存储装置具有包括悬臂支撑，悬臂，探针（150），形成在悬臂支撑上的金属层（160），形成在探针下方的通道，源（180）， 漏极（190）以及在源极和漏极之间形成的栅极（200）。
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公开(公告)号：KR100617470B1
公开(公告)日：2006-08-29
申请号：KR1020040045211
申请日：2004-06-18
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 탄소나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (e) 상기 금속막을 열처리한 후에 구형으로 변형하여 금속구를 형성하는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 탄소 나노튜브를 수직으로 배양시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.
탄소 나노튜브, 원자간력, 현미경, 캔틸레버, 수직, 배양-
公开(公告)号：KR100603244B1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020040059941
申请日：2004-07-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G11B9/14
Abstract: 본 발명은 탐침형 정보저장장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 외부 진동에 대한 영향을 최소화할 수 있는 휴대용 정보저장장치에 관한 것이다.
본 발명의 탐침형 정보저장장치는 탐침 어레이, 신호처리부, 매체 및 구동기로 이루어진 탐침형 정보저장장치에 있어서, 상기 탐침 어레이와 신호처리부를 외부 케이스에 연결하기 위한 탐침부 스프링 및 상기 매체와 구동기를 외부 케이스에 연결하기 위한 구동부 스프링으로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 탐침형 정보저장장치는 탐침부와 매체부 주위에 스프링을 부가함으로써, 외부 진동에 대한 영향을 최소화할 수 있어 휴대용 정보저장장치로의 사용이 가능하고, 종래의 질량 보상 방법에 비해 기록 면적을 높일 수 있는 장점이 있으며, 탐침부와 매체부 사이의 진동이 줄어들기 때문에 신호대 잡음비가 높아져 고속화 또는 대용량화가 가능한 효과가 있다.
탐침, 스프링, 저장, 매체, 구동
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